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公开(公告)号：CN111422860A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010137684.5
申请日：2020-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种反向转移石墨烯的方法，涉及石墨烯技术领域。本发明的反向转移石墨烯的方法，对由金属衬底上生长形成的石墨烯的上下两个表面，涂覆不同溶解性质的胶体，利用两种胶体溶解性的不同，将石墨烯的上下表面颠倒进行转移至目标衬底上，相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，由于实现了石墨烯的反向转移，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。
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公开(公告)号：CN105021621B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201410181069.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面形貌，并根据所述石墨烯下方所述衬底的腐蚀程度判断所述石墨烯表面的破损情况。本发明的石墨烯表征方法通过低倍显微镜就可以检验石墨烯表面是否存在微小尺寸的破损，表征范围大、可重复性高、简单易行，可以有效降低表征成本，提高表征效率。
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公开(公告)号：CN109650383A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811592288.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法，制备方法包括步骤：提供生长衬底，且生长衬底具有生长表面；提供固态氧源，并使固态氧源与生长表面之间保持一定间距；以及提供石墨烯生长气体，并通过固态氧源提供氧源，以基于石墨烯生长气体及氧源于生长表面上生长石墨烯。通过上述技术方案，本发明通过在石墨烯生长过程中提供氧源的方式，控制石墨烯的成核密度，控制石墨烯晶畴的尺寸，并通过固态氧源远程供氧的方式，解决了供氧过程中存在安全风险、衬底表面平整度下降以及供氧量低、容易引入杂质等问题，实现了重复性高、高效、安全的供氧，适用于CVD石墨烯的批量制备。
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公开(公告)号：CN106882792B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510933644.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，包括：1）将长有石墨烯的金属衬底置于目标衬底上，并将所述石墨烯面朝目标衬底；2）将放置好的长有石墨烯的金属衬底和目标衬底放入反应器中，在保护气氛下，升温至金属衬底熔化温度或以上，使所述金属衬底熔化收缩成金属小球，所述石墨烯附着于目标衬底上，保温预设时间后在保护气氛下降至室温，以将所述石墨烯转移至目标衬底上。本发明的方法重复性高、简单易行，用于微电子和光电子领域用高质量石墨烯的规模批量转移；本发明转移过程属于物理过程且无需其他液态或者固态试剂辅助，转移过程不会引入其他杂质，可有效避免非故意掺杂，降低了转移过程对石墨烯电学性能的影响。
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公开(公告)号：CN104807810B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410032320.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/75
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条纹；3）依据所述铜衬底表面氧化条纹的分布情况判断所述铜衬底的表面晶向。本发明的判定方法重复性高、简单易行，成本较低，可以方便了解用于化学气相沉积法生长石墨烯的多晶铜衬底的表面晶向分布状况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105021621A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410181069.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面形貌，并根据所述石墨烯下方所述衬底的腐蚀程度判断所述石墨烯表面的破损情况。本发明的石墨烯表征方法通过低倍显微镜就可以检验石墨烯表面是否存在微小尺寸的破损，表征范围大、可重复性高、简单易行，可以有效降低表征成本，提高表征效率。
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公开(公告)号：CN103896262A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410075061.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法，包括：配制水合肼溶液，然后将石墨烯样品放入水合肼溶液中1min-12h，取出后吹干，得到无损掺杂石墨烯。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜，而且对石墨烯薄膜没有破坏作用；本发明能够通过改变水合肼溶液浓度及其与目标衬底的接触时间定性提高石墨烯薄膜的迁移率；本发明克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
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公开(公告)号：CN106884152A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510933627.7
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/0227
Abstract: 本发明提供一种基于清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化铜层；以及步骤3），将氧化后的铜衬底放入氧化铜的反应溶液中，以腐蚀去除包含杂质的氧化铜层，得到清洁的铜衬底表面。本发明通过将包含杂质的铜表面层氧化，再将氧化铜层去除，获得适宜高质量石墨烯制备的清洁铜表面。该方法获得的衬底可明显减少石墨烯中的缺陷。本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合工业化应用的批量化处理。
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公开(公告)号：CN106746761A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611151861.5
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C03C27/12
CPC classification number: B32B7/12 , B32B17/06 , B32B37/12 , B32B2307/212 , B32B2307/30
Abstract: 本发明提供一种石墨烯玻璃及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供第一玻璃，于所述第一玻璃表面形成石墨烯薄膜；2）提供第二玻璃，将所述第二玻璃覆盖于所述石墨烯薄膜上，使得所述石墨烯薄膜夹在所述第一玻璃及第二玻璃之间，所述石墨烯薄膜的尺寸小于所述第一玻璃及第二玻璃的尺寸；3）对所述第一玻璃及第二玻璃进行加热处理，使没被石墨烯薄膜隔开的第一玻璃及第二玻璃粘连，将石墨烯薄膜完全密封于粘连的玻璃之间，获得到石墨烯玻璃。本发明的石墨烯玻璃具备防辐射和加热功能，可以用于玻璃防辐射、除霜、除雾、供暖等。本发明制备的石墨烯玻璃由于石墨烯被玻璃密封，石墨烯的稳定性会得到提升，使用寿命也会明显延长。
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公开(公告)号：CN104851787A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510152563.7
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28506
Abstract: 本发明涉及一种提高金属电极与石墨烯欧姆接触的方法，包括：(1)将CVD方法生长的带有金属衬底的石墨烯浸到金属离子溶液中进行修饰，静置后取出并吹干；(2)将修饰好的带有金属衬底的石墨烯采用湿法转移工艺转移到绝缘衬底上；(3)采用电子束蒸发在石墨烯表面形成金属电极。本发明在沉积金属之前采用化学手段对缺陷部分进行修饰，使被还原的金属纳米颗粒稳定地存在于石墨烯的边界或者缺陷部分，从而改进了金属电极和石墨烯之间的欧姆接触。
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