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公开(公告)号：CN117940004A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211304253.9
申请日：2022-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制备方法，方法包括：于基底层上设置石墨烯层，于石墨烯层上设置封装层，石墨烯层的第一边界面设置第一电极层，相变材料层一端与石墨烯层的第二边界面形成电连接，另一端设置第二电极层。本发明通过石墨烯作为电极与相变材料产生边界接触的结构，将相变材料与电极的接触面积推向极限小，可极大的降低器件功耗；同时通过六方氮化硼作为石墨烯的封装层，保护石墨烯免受外界干扰，保证了相变存储单元较高的循环操作寿命；另外，石墨烯电极和六方氮化硼封装结构配合六方氮化硼及石墨烯的高热导率，可以实现相变材料阻态的高速转换，适应高速器件的应用。
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公开(公告)号：CN113866161B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202111404530.9
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/78
Abstract: 本发明提供一种铂衬底上石墨烯的表征方法，将亚甲基蓝显影液涂覆于表面覆盖有石墨烯的铂衬底上，使得甲基蓝显影液与含氢气体在铂的催化下进行反应，生成无色的亚甲基白，且在恢复真空后，铂裸露区域的亚甲基白会在铂的催化下和空气中的氧气反应，被氧化为亚甲基蓝，快速变为蓝色，以形成颜色变化差别，便于进行石墨烯的表征；本发明无需加热即可自发进行，重复性高、简单易行，能够用于铂衬底上石墨烯的大面积表征，且不会破坏石墨烯和铂衬底的表面，对石墨烯的质量没有影响，且铂衬底可以循环利用，以降低成本。
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公开(公告)号：CN113866161A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111404530.9
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/78
Abstract: 本发明提供一种铂衬底上石墨烯的表征方法，将亚甲基蓝显影液涂覆于表面覆盖有石墨烯的铂衬底上，使得甲基蓝显影液与含氢气体在铂的催化下进行反应，生成无色的亚甲基白，且在恢复真空后，铂裸露区域的亚甲基白会在铂的催化下和空气中的氧气反应，被氧化为亚甲基蓝，快速变为蓝色，以形成颜色变化差别，便于进行石墨烯的表征；本发明无需加热即可自发进行，重复性高、简单易行，能够用于铂衬底上石墨烯的大面积表征，且不会破坏石墨烯和铂衬底的表面，对石墨烯的质量没有影响，且铂衬底可以循环利用，以降低成本。
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公开(公告)号：CN106884152A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510933627.7
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/0227
Abstract: 本发明提供一种基于清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化铜层；以及步骤3），将氧化后的铜衬底放入氧化铜的反应溶液中，以腐蚀去除包含杂质的氧化铜层，得到清洁的铜衬底表面。本发明通过将包含杂质的铜表面层氧化，再将氧化铜层去除，获得适宜高质量石墨烯制备的清洁铜表面。该方法获得的衬底可明显减少石墨烯中的缺陷。本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合工业化应用的批量化处理。
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公开(公告)号：CN106746761A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611151861.5
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C03C27/12
CPC classification number: B32B7/12 , B32B17/06 , B32B37/12 , B32B2307/212 , B32B2307/30
Abstract: 本发明提供一种石墨烯玻璃及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供第一玻璃，于所述第一玻璃表面形成石墨烯薄膜；2）提供第二玻璃，将所述第二玻璃覆盖于所述石墨烯薄膜上，使得所述石墨烯薄膜夹在所述第一玻璃及第二玻璃之间，所述石墨烯薄膜的尺寸小于所述第一玻璃及第二玻璃的尺寸；3）对所述第一玻璃及第二玻璃进行加热处理，使没被石墨烯薄膜隔开的第一玻璃及第二玻璃粘连，将石墨烯薄膜完全密封于粘连的玻璃之间，获得到石墨烯玻璃。本发明的石墨烯玻璃具备防辐射和加热功能，可以用于玻璃防辐射、除霜、除雾、供暖等。本发明制备的石墨烯玻璃由于石墨烯被玻璃密封，石墨烯的稳定性会得到提升，使用寿命也会明显延长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104851787A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510152563.7
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28506
Abstract: 本发明涉及一种提高金属电极与石墨烯欧姆接触的方法，包括：(1)将CVD方法生长的带有金属衬底的石墨烯浸到金属离子溶液中进行修饰，静置后取出并吹干；(2)将修饰好的带有金属衬底的石墨烯采用湿法转移工艺转移到绝缘衬底上；(3)采用电子束蒸发在石墨烯表面形成金属电极。本发明在沉积金属之前采用化学手段对缺陷部分进行修饰，使被还原的金属纳米颗粒稳定地存在于石墨烯的边界或者缺陷部分，从而改进了金属电极和石墨烯之间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN104805419A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410032316.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积法（CVD）石墨烯薄膜区域择优选取的方法，包括以下步骤：1）提供一长有CVD石墨烯的金属衬底；2）将长有石墨烯的生长衬底置于反应腔中，并于保护气体气氛中将所述生长衬底加热至预设温度；3）通入反应气体，于预设气压下使该反应气体与所述石墨烯反应预设时间，使石墨烯中的缺陷区域被刻蚀去除；4）将反应后的石墨烯转移至目标衬底表面，获得质量较高的石墨烯材料。本发明通过对生长衬底上的CVD石墨烯薄膜进行原位刻蚀，将有缺陷的石墨烯刻蚀掉，留下质量更高的石墨烯材料；本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合微电子应用的工业制备。
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公开(公告)号：CN104803377A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510152604.2
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种通过高温高压提高石墨烯表面洁净度的方法，包括：将转移完毕的有机胶、石墨烯和目标衬底的结合体放入装有除胶溶剂的密闭容器中于150kPa-2000kPa、50-500℃下加热，即得除完有机胶的石墨烯。本发明通过将有机胶、石墨烯和目标衬底的结合体放到高温高压容器中加热，避免了有机胶在石墨烯表面的残留引入表面态的问题，去除彻底并且用时较短，显著提高了石墨烯表面的洁净程度。
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公开(公告)号：CN103924207A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310009300.1
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明涉及一种增强泡沫铜在较高温度下抗氧化能力的方法，包括以下步骤：将泡沫铜放入无氧反应器中，抽真空并通入惰性气体，加热使泡沫铜达到一定反应温度；向无氧反应器中通入含碳气体，在一定气压下反应一定时间，待炉内温度冷却至室温，得到的泡沫铜表面覆盖了一层致密的超薄碳膜，使得泡沫铜在较高温度下的抗氧化能力与未处理前相比明显提高，并且不会对泡沫铜的其他各种物理参数造成明显影响。本发明重复性高、简单易行。
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公开(公告)号：CN103353437A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310236946.3
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/00
Abstract: 本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入密闭腔体中，抽真空后通入惰性气体，然后加热，再通入与石墨烯反应的气体，待反应结束后停止加热，停止通入反应气体，保持惰性气体保护，最后降至室温，置于光学镜下观察即可。本发明的观察方法重复性高、简单易行；本发明通过选择性刻蚀的方法，使CVD石墨烯表面褶皱附近的石墨烯大量去除，从而通过低放大倍数的光学显微镜就可以观察到纳米级褶皱的分布情况。
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