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公开(公告)号：CN103353276A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310237684.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及一种便于观察金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，包括：将长有石墨烯的金属衬底置于氧化性气氛中，以氧化石墨烯褶皱处的金属；然后将氧化后的金属衬底置于光学显微镜下观察，纳米级褶皱分布情况在光学显微镜下清晰显现出来；所述的金属衬底为铜、镍或者铜镍合金。本发明的表征方法重复性高、简单易行，使这些处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到的纳米级褶皱分布在低放大倍数光学显微镜下能够清晰地显现出来。
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公开(公告)号：CN103353437B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310236946.3
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/00
Abstract: 本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入密闭腔体中，抽真空后通入惰性气体，然后加热，再通入与石墨烯反应的气体，待反应结束后停止加热，停止通入反应气体，保持惰性气体保护，最后降至室温，置于光学镜下观察即可。本发明的观察方法重复性高、简单易行；本发明通过选择性刻蚀的方法，使CVD石墨烯表面褶皱附近的石墨烯大量去除，从而通过低放大倍数的光学显微镜就可以观察到纳米级褶皱的分布情况。
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公开(公告)号：CN103848416A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210501642.0
申请日：2012-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种修饰石墨烯薄膜的方法，先利用在石墨烯薄膜的晶畴边界和缺陷处暴露的金属衬底对金属离子溶液中的金属离子进行还原，生成金属纳米粒子，对石墨烯薄膜实现选择性掺杂修饰；再通过腐蚀和转移工艺对掺杂修饰好的石墨烯薄膜实现转移。本发明利用石墨烯薄膜生长的金属衬底材料作为还原剂对溶液中的金属离子进行还原，而不需要引入新的还原剂，在实现了选择性掺杂修饰石墨烯薄膜的同时，避免了金属纳米粒子在完整石墨烯薄膜表面的沉积。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜；本发明能够准确标定石墨烯连续膜中单晶畴的形状和尺寸，并能通过改变金属离子溶液浓度及其与金属衬底的接触时间定性提高石墨烯薄膜的电学性能。
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公开(公告)号：CN103352249A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310236892.0
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种增大化学气相沉积石墨烯单晶晶畴尺寸的方法，包括：将衬底置入独立腔室中，加热使衬底温度达到500-1600℃；然后在惰性气体保护下通入含碳气体，在0.1-760torr下反应，反应结束后降至室温，即可。本发明简单易操作，本发明的方法可以使相同衬底上制备的多晶石墨烯单晶晶畴尺寸增大数倍甚至10倍以上，重复性高并且不影响其他生长参数对石墨烯生长的控制。
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公开(公告)号：CN103353276B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201310237684.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及一种便于观察金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，包括：将长有石墨烯的金属衬底置于氧化性气氛中，以氧化石墨烯褶皱处的金属；然后将氧化后的金属衬底置于光学显微镜下观察，纳米级褶皱分布情况在光学显微镜下清晰显现出来；所述的金属衬底为铜、镍或者铜镍合金。本发明的表征方法重复性高、简单易行，使这些处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到的纳米级褶皱分布在低放大倍数光学显微镜下能够清晰地显现出来。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103924207B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201310009300.1
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明涉及一种增强泡沫铜在较高温度下抗氧化能力的方法，包括以下步骤：将泡沫铜放入无氧反应器中，抽真空并通入惰性气体，加热使泡沫铜达到一定反应温度；向无氧反应器中通入含碳气体，在一定气压下反应一定时间，待炉内温度冷却至室温，得到的泡沫铜表面覆盖了一层致密的超薄碳膜，使得泡沫铜在较高温度下的抗氧化能力与未处理前相比明显提高，并且不会对泡沫铜的其他各种物理参数造成明显影响。本发明重复性高、简单易行。
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公开(公告)号：CN103965839A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310045979.X
申请日：2013-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种柔性导热垫片的制备方法，包括以下步骤：提供一泡沫金属；提供一导热材料；将所述导热材料填入该泡沫金属中，形成导热垫片。本发明将导热性能较好并且尺寸合适的材料填入泡沫金属的空隙当中，得到的导热垫片与处理前的泡沫金属以及填充材料相比导热能力更强，并且保留了泡沫金属较好的柔韧性；通过调节泡沫金属本身的厚度、孔隙率等参数以及填充材料的种类、组份，质量等参数可以控制所得导热垫片的厚度、导热系数、柔韧性等；得到的导热垫片可以裁剪成任意形状。本发明重复性高、简单易行。
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公开(公告)号：CN103924274A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310009242.2
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种增强泡沫铜抗氧化能力的方法，包括以下步骤：将泡沫铜放入镍盐溶液中，并连接电源阴极；另取一导电材料作为阳极；在阴阳两极之间加上一定电压，一段时间后切断电压；得到的泡沫铜表面会覆盖一层镍薄膜，使得泡沫铜抗氧化性能明显提高，并且不会对泡沫铜的导热、导电等性能产生明显影响。本发明重复性高、简单易行。
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公开(公告)号：CN102344131B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110187773.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温度冷却至室温，得到含有石墨烯薄膜的钼金属衬底；去除钼催化剂，即得石墨烯薄膜。本发明重复性高、简单易行；所得石墨烯薄膜具有大面积、层数可控、分布均匀的特点。
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公开(公告)号：CN102344131A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110187773.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温度冷却至室温，得到含有石墨烯薄膜的钼金属衬底；去除钼催化剂，即得石墨烯薄膜。本发明重复性高、简单易行；所得石墨烯薄膜具有大面积、层数可控、分布均匀的特点。
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