公开(公告)号：CN102344131A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110187773.1

申请日：2011-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴渊文 ,  于广辉 ,  师小萍 ,  王彬 ,  张燕辉 ,  陈志蓥

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温度冷却至室温，得到含有石墨烯薄膜的钼金属衬底；去除钼催化剂，即得石墨烯薄膜。本发明重复性高、简单易行；所得石墨烯薄膜具有大面积、层数可控、分布均匀的特点。

公开(公告)号：CN102344131B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201110187773.1

申请日：2011-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴渊文 ,  于广辉 ,  师小萍 ,  王彬 ,  张燕辉 ,  陈志蓥

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温度冷却至室温，得到含有石墨烯薄膜的钼金属衬底；去除钼催化剂，即得石墨烯薄膜。本发明重复性高、简单易行；所得石墨烯薄膜具有大面积、层数可控、分布均匀的特点。