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公开(公告)号：CN104078335A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410307391.1
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/04
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02598 , H01L21/02645
Abstract: 本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。
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公开(公告)号：CN105021621B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201410181069.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面形貌，并根据所述石墨烯下方所述衬底的腐蚀程度判断所述石墨烯表面的破损情况。本发明的石墨烯表征方法通过低倍显微镜就可以检验石墨烯表面是否存在微小尺寸的破损，表征范围大、可重复性高、简单易行，可以有效降低表征成本，提高表征效率。
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公开(公告)号：CN104807810B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410032320.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/75
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条纹；3）依据所述铜衬底表面氧化条纹的分布情况判断所述铜衬底的表面晶向。本发明的判定方法重复性高、简单易行，成本较低，可以方便了解用于化学气相沉积法生长石墨烯的多晶铜衬底的表面晶向分布状况。
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公开(公告)号：CN105021621A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410181069.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面形貌，并根据所述石墨烯下方所述衬底的腐蚀程度判断所述石墨烯表面的破损情况。本发明的石墨烯表征方法通过低倍显微镜就可以检验石墨烯表面是否存在微小尺寸的破损，表征范围大、可重复性高、简单易行，可以有效降低表征成本，提高表征效率。
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公开(公告)号：CN103896262A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410075061.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法，包括：配制水合肼溶液，然后将石墨烯样品放入水合肼溶液中1min-12h，取出后吹干，得到无损掺杂石墨烯。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜，而且对石墨烯薄膜没有破坏作用；本发明能够通过改变水合肼溶液浓度及其与目标衬底的接触时间定性提高石墨烯薄膜的迁移率；本发明克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103114323A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310047961.3
申请日：2013-02-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 王斌
Abstract: 本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的电化学机械抛光的方法，包括：将氮化镓晶体和抛光盘分别作为阳极和阴极，针对GaN晶体的机械研磨和在电解液的中电化学机械抛光。本发明可在GaN晶体的表面获得表面粗糙度均方根小于0.5nm的平整度；本发明抛光效率高、划痕密度较低；无需使用强酸强碱做抛光液，可以在常温条件进行，简便易行，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN1634965A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200410084445.9
申请日：2004-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种生物样品中DNA提取的方法。包括如下步骤：(1)将羧基标记的微磁珠导入芯片的微流道内，并吸附固定在芯片的微流道内，形成可用于生物样品DNA提取的微流体芯片，芯片主体的材料为聚二甲基硅氧烷；(2)将生物样品和DNA吸附液混合后导入到芯片内，和固定在芯片内的标记有羧基的微磁珠混合，样品中的DNA吸附在微磁珠上，通入缓冲液，洗脱，收集洗脱液，获得分离纯化的DNA。本发明的方法，芯片成本低廉，工艺简单，芯片内的微磁珠可以方便的通过外加磁场操控，试剂毒性小，无需复杂仪器设备，操作安全，有利于一次性使用，利用磁珠的顺磁性可以通过外加磁场方便的芯片内操控磁珠，易于实现自动化和便携化。
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公开(公告)号：CN103928583B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410177651.8
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制失配应力以裂纹的形式在蓝宝石上释放，同时保持GaN籽晶层表面无裂纹，可使整个GaN/蓝宝石外延层应力势能降低，进而降低厚膜GaN外延层的位错密度，避免厚膜GaN开裂；背部刻蚀剥离蓝宝石方法是在厚膜GaN生长结束后使用刻蚀剂透过蓝宝石背后的裂纹实现对厚膜GaN背面(N极性面)的刻蚀，通过背部刻蚀可降低GaN/蓝宝石界面的结合强度，使得蓝宝石更容易剥离，有效避免剥离造成的厚膜GaN开裂，有利于产业化。
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公开(公告)号：CN104078335B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410307391.1
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/04
Abstract: 本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。
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公开(公告)号：CN103114323B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310047961.3
申请日：2013-02-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的电化学机械抛光的方法，包括：将氮化镓晶体和抛光盘分别作为阳极和阴极，针对GaN晶体的机械研磨和在电解液的中电化学机械抛光。本发明可在GaN晶体的表面获得表面粗糙度均方根小于0.5nm的平整度；本发明抛光效率高、划痕密度较低；无需使用强酸强碱做抛光液，可以在常温条件进行，简便易行，适用于工业化生产。
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