公开(公告)号：CN103928583B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410177651.8

申请日：2014-04-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王斌 ,  于广辉 ,  赵志德 ,  徐伟 ,  张燕辉 ,  陈志蓥 ,  隋妍萍

IPC: H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制失配应力以裂纹的形式在蓝宝石上释放，同时保持GaN籽晶层表面无裂纹，可使整个GaN/蓝宝石外延层应力势能降低，进而降低厚膜GaN外延层的位错密度，避免厚膜GaN开裂；背部刻蚀剥离蓝宝石方法是在厚膜GaN生长结束后使用刻蚀剂透过蓝宝石背后的裂纹实现对厚膜GaN背面(N极性面)的刻蚀，通过背部刻蚀可降低GaN/蓝宝石界面的结合强度，使得蓝宝石更容易剥离，有效避免剥离造成的厚膜GaN开裂，有利于产业化。

公开(公告)号：CN103928583A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410177651.8

申请日：2014-04-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王斌 ,  于广辉 ,  赵志德 ,  徐伟 ,  张燕辉 ,  陈志蓥 ,  隋妍萍

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制失配应力以裂纹的形式在蓝宝石上释放，同时保持GaN籽晶层表面无裂纹，可使整个GaN/蓝宝石外延层应力势能降低，进而降低厚膜GaN外延层的位错密度，避免厚膜GaN开裂；背部刻蚀剥离蓝宝石方法是在厚膜GaN生长结束后使用刻蚀剂透过蓝宝石背后的裂纹实现对厚膜GaN背面(N极性面)的刻蚀，通过背部刻蚀可降低GaN/蓝宝石界面的结合强度，使得蓝宝石更容易剥离，有效避免剥离造成的厚膜GaN开裂，有利于产业化。