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公开(公告)号：CN104078335A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410307391.1
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/04
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02598 , H01L21/02645
Abstract: 本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。
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公开(公告)号：CN112102401A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010992950.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及计算机视觉技术领域，尤其涉及一种目标定位方法、装置、系统、设备及存储介质，包括：通过仿生复眼上获取第一图像集合；根据所述第一图像集合确定定位子眼集合；在所述定位子眼集合确定出至少一对双目定位子眼；获取所述双目定位子眼中每个定位子眼的子眼内参数和子眼间外参数；根据所述子眼内参数和所述子眼间外参数确定所述目标对象在定位子眼的相机坐标系中的位置坐标数据；根据所述相对位置坐标数据确定所述目标对象在所述目标子眼的相机坐标系中的定位结果。基于多相机式仿生曲面复眼获取目标的定位图像，结合复眼多通道成像的结构特性和双目视觉定位方法，避免边缘像素畸变对定位造成的偏差，实现了高精度的大视场定位。
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公开(公告)号：CN103928583B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410177651.8
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制失配应力以裂纹的形式在蓝宝石上释放，同时保持GaN籽晶层表面无裂纹，可使整个GaN/蓝宝石外延层应力势能降低，进而降低厚膜GaN外延层的位错密度，避免厚膜GaN开裂；背部刻蚀剥离蓝宝石方法是在厚膜GaN生长结束后使用刻蚀剂透过蓝宝石背后的裂纹实现对厚膜GaN背面(N极性面)的刻蚀，通过背部刻蚀可降低GaN/蓝宝石界面的结合强度，使得蓝宝石更容易剥离，有效避免剥离造成的厚膜GaN开裂，有利于产业化。
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公开(公告)号：CN104078335B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410307391.1
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/04
Abstract: 本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103114323B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310047961.3
申请日：2013-02-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的电化学机械抛光的方法，包括：将氮化镓晶体和抛光盘分别作为阳极和阴极，针对GaN晶体的机械研磨和在电解液的中电化学机械抛光。本发明可在GaN晶体的表面获得表面粗糙度均方根小于0.5nm的平整度；本发明抛光效率高、划痕密度较低；无需使用强酸强碱做抛光液，可以在常温条件进行，简便易行，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103928583A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410177651.8
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/02016 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L21/7806
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制失配应力以裂纹的形式在蓝宝石上释放，同时保持GaN籽晶层表面无裂纹，可使整个GaN/蓝宝石外延层应力势能降低，进而降低厚膜GaN外延层的位错密度，避免厚膜GaN开裂；背部刻蚀剥离蓝宝石方法是在厚膜GaN生长结束后使用刻蚀剂透过蓝宝石背后的裂纹实现对厚膜GaN背面(N极性面)的刻蚀，通过背部刻蚀可降低GaN/蓝宝石界面的结合强度，使得蓝宝石更容易剥离，有效避免剥离造成的厚膜GaN开裂，有利于产业化。
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公开(公告)号：CN112102401B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010992950.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及计算机视觉技术领域，尤其涉及一种目标定位方法、装置、系统、设备及存储介质，包括：通过仿生复眼上获取第一图像集合；根据所述第一图像集合确定定位子眼集合；在所述定位子眼集合确定出至少一对双目定位子眼；获取所述双目定位子眼中每个定位子眼的子眼内参数和子眼间外参数；根据所述子眼内参数和所述子眼间外参数确定所述目标对象在定位子眼的相机坐标系中的位置坐标数据；根据所述相对位置坐标数据确定所述目标对象在所述目标子眼的相机坐标系中的定位结果。基于多相机式仿生曲面复眼获取目标的定位图像，结合复眼多通道成像的结构特性和双目视觉定位方法，避免边缘像素畸变对定位造成的偏差，实现了高精度的大视场定位。
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公开(公告)号：CN104851787A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510152563.7
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28506
Abstract: 本发明涉及一种提高金属电极与石墨烯欧姆接触的方法，包括：(1)将CVD方法生长的带有金属衬底的石墨烯浸到金属离子溶液中进行修饰，静置后取出并吹干；(2)将修饰好的带有金属衬底的石墨烯采用湿法转移工艺转移到绝缘衬底上；(3)采用电子束蒸发在石墨烯表面形成金属电极。本发明在沉积金属之前采用化学手段对缺陷部分进行修饰，使被还原的金属纳米颗粒稳定地存在于石墨烯的边界或者缺陷部分，从而改进了金属电极和石墨烯之间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN104803377A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510152604.2
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种通过高温高压提高石墨烯表面洁净度的方法，包括：将转移完毕的有机胶、石墨烯和目标衬底的结合体放入装有除胶溶剂的密闭容器中于150kPa-2000kPa、50-500℃下加热，即得除完有机胶的石墨烯。本发明通过将有机胶、石墨烯和目标衬底的结合体放到高温高压容器中加热，避免了有机胶在石墨烯表面的残留引入表面态的问题，去除彻底并且用时较短，显著提高了石墨烯表面的洁净程度。
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