公开(公告)号：CN104078335A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410307391.1

申请日：2014-06-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王斌 ,  于广辉 ,  赵智德 ,  徐伟 ,  隋妍萍 ,  张燕辉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/04

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02645

Abstract: 本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。

公开(公告)号：CN104078335B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410307391.1

申请日：2014-06-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王斌 ,  于广辉 ,  赵智德 ,  徐伟 ,  隋妍萍 ,  张燕辉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/04

Abstract: 本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。

公开(公告)号：CN103114323B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310047961.3

申请日：2013-02-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王斌 ,  于广辉 ,  赵智德 ,  徐伟 ,  隋妍萍

IPC: C25F3/12 ,  C25F3/30 ,  B24B37/10 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的电化学机械抛光的方法，包括：将氮化镓晶体和抛光盘分别作为阳极和阴极，针对GaN晶体的机械研磨和在电解液的中电化学机械抛光。本发明可在GaN晶体的表面获得表面粗糙度均方根小于0.5nm的平整度；本发明抛光效率高、划痕密度较低；无需使用强酸强碱做抛光液，可以在常温条件进行，简便易行，适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN103848416A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210501642.0

申请日：2012-11-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈志蓥 ,  于广辉 ,  王斌 ,  张燕辉 ,  王彬 ,  赵智德 ,  吴渊文 ,  张浩然

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明提供一种修饰石墨烯薄膜的方法，先利用在石墨烯薄膜的晶畴边界和缺陷处暴露的金属衬底对金属离子溶液中的金属离子进行还原，生成金属纳米粒子，对石墨烯薄膜实现选择性掺杂修饰；再通过腐蚀和转移工艺对掺杂修饰好的石墨烯薄膜实现转移。本发明利用石墨烯薄膜生长的金属衬底材料作为还原剂对溶液中的金属离子进行还原，而不需要引入新的还原剂，在实现了选择性掺杂修饰石墨烯薄膜的同时，避免了金属纳米粒子在完整石墨烯薄膜表面的沉积。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜；本发明能够准确标定石墨烯连续膜中单晶畴的形状和尺寸，并能通过改变金属离子溶液浓度及其与金属衬底的接触时间定性提高石墨烯薄膜的电学性能。