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公开(公告)号：CN113755804B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110930803.7
申请日：2021-08-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种近零应力掺钪氮化铝薄膜制备方法，属于半导体制造技术领域。该方法具体包括以下步骤：a.对硅衬底进行烘烤，除去水汽和有机物沾污；b.对硅衬底进行预清洗，去除自然氧化层；c.对溅射靶材进行预处理，获得稳定的掺钪氮化铝生长状态；d.向腔体内通入高纯氩气和氮气，调节气体流量、直流功率、射频功率对掺钪铝靶进行溅射，在硅衬底上形成近零应力的掺钪氮化铝薄膜。本发明不增加额外工艺步骤以及额外设备改造，通过对靶材的处理以及工艺参数的调试，可以在硅衬底上制备高均匀性、近零应力的掺钪氮化铝薄膜。
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公开(公告)号：CN115430573B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211039815.1
申请日：2022-08-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
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公开(公告)号：CN113479841A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110563714.3
申请日：2021-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基微流道基板制备方法，属于微电子技术领域。该基板制备方法包括：步骤1.在硅表面光刻、干法刻蚀形成多条平行沟槽，去除表面光刻胶；步骤2.表面沉积金属粘附层和铜种子层，喷胶光刻、湿法腐蚀沟槽底部金属粘附层和铜种子层；步骤3.采用二氟化氙干法刻蚀平行微流道，去除光刻胶；步骤4.电镀铜填充沟槽，并完成表面电镀金属铜平坦化；步骤5.表面光刻冷却液接口，腐蚀铜金属和金属粘附层，干法刻蚀硅形成冷却液接口，并连通平行微流道，去除表面光刻胶，完成所述基板的制备。本发明以较简易的工艺和较低的成本，实现单层硅片微流道结构的制备，有效解决电子模块和系统的散热问题。
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公开(公告)号：CN110534436B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910778546.2
申请日：2019-08-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/473 , B81B1/00 , B81B7/04 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基自适应喷涌式微流体散热基板及其制备方法，散热基板由三层结构堆叠而成，自下而上依次设置支撑层、底层微流体结构层和顶层微流体结构层；支撑层上设置有入液口和支撑层出液口；底层微流体结构层上设置底层微流体通道、底层喷涌口和底层出液口；顶层微流体结构层上设置顶层微流体通道和顶层喷涌口；底层微流体通道和顶层微流体通道分别位于底层微流体结构层或顶层微流体结构层的下表面；入液口的位置与底层微流体通道的端部相对应，支撑层出液口和底层出液口的位置与顶层微流体通道的端部相对应。本发明针对微系统集成需求，解决了微流体散热模块在系统中的集成难题，并针对局部热点，有效提高散热效率。
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公开(公告)号：CN111082775A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911392123.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明涉及一种高品质因数的薄膜体声波谐振器，包括上表面带有凹槽2的衬底1、位于衬底1上方的底电极层3、压电层4、带有空气桥结构6的顶电极层5，其特征在于，所述空气桥结构6内设有可起到对横向声波回弹作用并提升薄膜体声波谐振器品质因数的声回弹结构7；所述声回弹结构7的材质为薄膜介质；所述声回弹结构7以卧式设置在空气桥结构6内的桥腔上方区域，所述回弹结构7的底端面与空气桥结构6的桥腔下方区域悬空结构之间留有空气间隙8，所述声回弹结构7的顶端面与空气桥结构6的桥腔仰顶面紧贴，所述声回弹结构7的左侧面和右侧面分别与空气桥结构6的桥腔支撑结构相邻的内侧面紧贴。本发明能显著提升薄膜体声波谐振器的品质因数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107453729A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710507876.9
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
CPC classification number: H03H9/171 , H03H3/02 , H03H9/0504 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器，包括衬底，其特征在于，还包括所述衬底的上表面带有凹槽，所述凹槽设有边界；所述衬底上设有底电极层；所述底电极层上设有温度补偿层，所述温度补偿层的边界延伸到所述凹槽的边界以外；所述温度补偿层上设有压电层；所述压电层上设有顶电极层；所述压电层上设有保护层，所述保护层至少覆盖所述温度补偿层的边界的上方；所述保护层的材质为导电材料或介电材料。本发明为含有温度补偿层的和具备低频率温度漂移特性的薄膜体声波器件，能够在保持其良好的品质因数的同时，实现在牺牲层释放时对温度补偿层的有效保护。
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公开(公告)号：CN103864009B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410085670.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明涉及的是一种基于介质膜掩膜板沉积工艺的斜坡边缘金属薄膜图形的制备方法，使用具有图形化通孔结构的薄层作为介质膜掩膜板进行金属薄膜的沉积，介质膜掩膜板和需要生长金属薄膜的衬底间的间距可调，产生的图形化金属薄膜具有斜坡状边缘，斜坡角度可根据需求控制；优点：金属薄膜上沿可平缓的降至衬底，其间高度不会有非连续性突变。在具有斜坡状边缘的金属薄膜上继续生长膜层时，膜层边缘结合力好，不会断裂或剥离。本发明中的金属薄膜生长方法基于介质膜掩膜板沉积工艺，斜坡的高度和倾角可通过改变介质膜掩膜板和衬底的间距来调节。具有工艺方法简单，加工方便，适合于大规模生产。
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公开(公告)号：CN105789110A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610256375.3
申请日：2016-04-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H02M3/07
CPC classification number: H01L21/76264 , H01L21/76283 , H01L27/1203 , H02M3/07 , H02M2001/007
Abstract: 本发明是MEMS开关用高升压倍数电荷泵电路，其结构是第二Trench结构的版图、第三Trench结构的版图分别包围第一Trench结构的版图，SOI晶片从上到下为顶层硅，二氧化硅层，高阻载片；在SOI晶片的顶层硅上进行Trench结构，实现每个MOS管衬底电学隔离，MOS管和第三电容互连构成电荷泵子电路单元，若干级电荷泵子电路单元和输出级级联构成整个电荷泵电路。本发明优点：电路全部采用CMOS技术，具有集成度高、功耗低、容易获得高升压倍数等优点。
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公开(公告)号：CN105604736A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510982284.3
申请日：2015-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: F02K9/24
CPC classification number: F02K9/24
Abstract: 本发明一种适用于MEMS微推进器阵列芯片的清洁微装药工艺，包括如下步骤：1）根据微药室阵列层的直径和分布，在带微孔阵列的隔板上加工出相应的隔板微通孔，将带微孔阵列的隔板固定在微药室阵列层表面；2）在微药室内装填推进剂含能材料；3）去除微药室阵列层上表面的带微孔阵列的隔板，露出微药室阵列层受带微孔阵列的隔板保护的洁净工艺面；4）进行后续的键合步骤，通过保证微药室阵列层表面的洁净。优点：1）具有材料适应性广泛；2）隔板上微孔阵列可以采用MEMS工艺加工，具有精度高、效率高；3）隔板上可以方便地加工出高精度的定位标记，通过对准工艺可以保证隔板的微通孔阵列同微药室阵列上下同心，保证顺利完成微装药过程。
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公开(公告)号：CN104868868A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510210470.5
申请日：2015-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H03H7/24
Abstract: 本发明公开了一种MEMS步进式数字衰减器，包括传输线和n个级联的可变衰减单元，n≥1；可变衰减单元包括电阻衰减网络、上MEMS开关和下MEMS开关，且上MEMS开关和下MEMS开关关于电阻衰减网络上下对称。本发明采用MEMS开关代替传统电子开关，MEMS开关关于电阻衰减网络对称，使得信号通过路径最短，结构更为紧凑；通过MEMS开关控制不同电阻衰减网络的接入，以实现不同的衰减量，电路拓扑结构简单、端口阻抗匹配好、制造简单、工艺兼容性好，有利于大规模生产；此外，在共面波导两个接地金属面之间引入空气桥，使得衰减器的衰减量在较宽频带内的平坦度更好。
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