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公开(公告)号：CN119496475A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411505214.4
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H03H3/04 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，首先在谐振器基底上制备谐振器的底电极和压电层结构，并基于此连续溅射谐振器的顶电极和调频层薄膜，对谐振器的调频层薄膜进行光刻处理，最后对光刻处理后的调频层薄膜进行离子束刻蚀，刻蚀至目标厚度，获得所需的调频层图形。本发明的方案基于离子束刻蚀技术对谐振器调频层进行刻蚀，对刻蚀材料没有限制，同时对离子束刻蚀过程中的参数进行了优化，以实现低速、低功率刻蚀，在刻蚀效果提升的同时提高了圆片良率，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105789110B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201610256375.3
申请日：2016-04-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H02M3/07
Abstract: 本发明是MEMS开关用高升压倍数电荷泵电路，其结构是第二Trench结构的版图、第三Trench结构的版图分别包围第一Trench结构的版图，SOI晶片从上到下为顶层硅，二氧化硅层，高阻载片；在SOI晶片的顶层硅上进行Trench结构，实现每个MOS管衬底电学隔离，MOS管和第三电容互连构成电荷泵子电路单元，若干级电荷泵子电路单元和输出级级联构成整个电荷泵电路。本发明优点：电路全部采用CMOS技术，具有集成度高、功耗低、容易获得高升压倍数等优点。
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公开(公告)号：CN105810575B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610240037.0
申请日：2016-04-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/45 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法，具体实施步骤包括：(1)生长介质层；(2)制作欧姆接触窗口；(3)制作欧姆接触通孔；(4)制作扩散层；(5)生长介质层；(6)扩散；(7)刻蚀介质层；(8)制作欧姆接触金属。本发明针对现有GaN HEMT欧姆接触金属形貌差的缺点，提出在欧姆接触区域采用通孔加扩散的方法解决上述问题，具有(1)采用SiCl4刻蚀，增加了材料中Si的浓度；(2)采用通孔形式进行Si扩散，工艺容差大；(3)有效降低了欧姆合金的温度，提高了欧姆接触表面形貌的优点。
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公开(公告)号：CN105846841B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610159644.4
申请日：2016-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明是三维立体接收前端，包括上层集成辐射单元的MEMS天线，中层具有微屏蔽结构的MEMS滤波器，下层实现接收通道功能及性能的硅基转接板；上、中、下三层通过TSV技术实现信号互连。本发明优点：1）采用MEMS加工工艺，可实现天线和滤波器小型化；2）采用MEMS加工工艺，可与传统集成电路工艺集成兼容；3）采用高阻硅基基板结构，内部可集成无源元件，实现多种功能，集成度高；4）所用滤波器采用微电子工艺加工克服传统滤波器由于加工精度导致的频飘问题；5）所用天线、滤波器、接收通道通过TSV技术实现垂直互连，减小体积；6）实现40GHz以内的硅基立体接收前端，微波性能优良，实现接收前端的小型化和低成本化。
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公开(公告)号：CN106672892A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611189122.5
申请日：2016-12-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
CPC classification number: B81B7/02 , B81C1/00023 , B81C1/00261 , B81C1/00444
Abstract: 本发明是一种减小三维堆叠中牺牲层在化学机械抛光中凹陷变形的方法，该方法包括以下步骤：（一）生长停止层；（二）刻蚀停止层形成刻蚀槽；（三）沉积牺牲层；（四）刻蚀牺牲层；（五）沉积平坦化层；（六）圆片无图形化刻蚀；（七）去除牺牲层和平坦化层；（八）去除停止层；（九）化学机械抛光调整圆片平整度和粗糙度；（十）研磨后清洗。本发明的优点是：通过增加光刻刻蚀牺牲层和平坦化材料填充，去除了由于图形大小和密度跨度太大造成的表面形貌起伏，并且大大降低了超厚牺牲层CMP的成本；利用无图形刻蚀和三步CMP可以实现超高的平坦化均匀性和极小的凹陷变形，满足三维堆叠中对不同厚度氧化硅牺牲层平坦化的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103043606A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210517235.9
申请日：2012-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明是一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，包括如下工艺步骤：一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工；二、在硅基上异质生长SiC材料；三、将硅腐蚀掉，最后形成SiC大尺度、高深宽比三维结构构架。优点：解决了由于SiC材质类似于金刚石的硬度而无法或很难直接进行大尺度、高深宽比三维结构加工，利用MEMS牺牲层技术和SiC材料生长技术巧妙结合，实现SiC大尺度、高深宽比三维结构加工；本发明包括硅基三维结构设计，硅基上异质生长SiC材料，结构释放，SiC三维结构形成。
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公开(公告)号：CN101202369B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710191173.6
申请日：2007-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明是一种小型化MEMS开关线移相器，包括MEMS开关、参考相移位传输线、相位延迟传输线、开关偏置线、背面接地层、介质衬底、微波接地端子、微机械通孔。优点：通过高阻抗分布式元件、集总元件和微机械通孔微波接地形成的相位延迟传输网络，保持了传输通道低插损性能，减小移相器大相移单元位传输线的芯片面积；减小移相器小相移单元位延时线所占的芯片面积；减小芯片面积；通过选择小型化设计的MEMS开关，如内禀式悬臂梁MEMS开关，使MEMS开关所占芯片面积最小化；微波信号和开关驱动信号隔离，保持MEMS开关和移相器宽带性能，MEMS开关偏置电路所占芯片面积最小；微机械通孔技术，使芯片上微波接地设计简单方便，并最大程度上减小芯片的面积。
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公开(公告)号：CN1988246A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610098168.6
申请日：2006-12-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明针对目前基于传统工艺制造的滤波器存在的体积大、衰减性能无法满足使用要求的问题，公开了一种基于MEMS技术的层叠式滤波器，其基本结构采用多层分布式耦合线结构。两个接地面分别位于第1介质层(d1)的上面(f1)和第3介质层(d3)的下面(f6)，级间耦合线谐振器(r1，r2，……，r7)和输入输出端(t1，t2)位于各介质层(d1，d2，d3)中间，信号通过同层平面耦合谐振以及上下层面间耦合谐振实现滤波性能，输入、输出端采用抽头线结构，中间耦合线(r8)引入交叉耦合，从而增强阻带衰减特性。各个介质层的厚度控制、介质层上图形以及多层间的对准、装配均通过MEMS(微电子机械系统)微加工工艺形成，从而实现高精度，易集成、可批量生产等特点。
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公开(公告)号：CN111508780B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010325794.4
申请日：2020-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明公开了一种单片集成多波段控制MEMS开关，衬底、三个串联接触式MEMS开关单元、信号传输线、波段控制单元、封帽；三个串联接触式MEMS开关单元、信号传输线和波段控制单元制作在衬底上，信号传输线将三个开关单元连接成一串两并的电路拓扑结构；3个开关单元的控制单元包括高阻值薄膜、连接金属线和控制焊盘，由3个控制电压组合完成多个波段MEMS开关功能；衬底与封帽形成密封腔体，将MEMS开关电路的可动结构封装在腔体内；三个串联接触式MEMS开关单元可分别由蟹型梁式、悬臂梁式开关结构中选择。本发明优化了宽频段下MEMS开关的插入损耗、提高了MEMS开关的隔离度，为相控阵雷达天线、通信装备等向小型化高性能发展提供了新的解决方案。
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公开(公告)号：CN113991009A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111116133.1
申请日：2021-09-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L41/331 , H01L41/332
Abstract: 本发明涉及一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法。包括（1）准备衬底晶圆，在衬底上依次沉积，种子层、掺钪氮化铝压电层、介质层，形成多层复合膜结构；（2）采用湿法工艺对介质层进行刻蚀，实现压电层的图形化掩蔽；（3）利用湿法腐蚀溶液对所述AlScN压电层进行腐蚀，获得含有钪基团的残留刻蚀表面；（4）采用湿法微蚀工艺，对刻蚀后的AlScN表面状态进行修正，获得满足要求的刻蚀形貌。本发明提供了一种湿法刻蚀AlScN的工艺方法，可有效降低现有工艺中严重侧刻蚀现象、以及含钪基团的残留问题；利用湿法刻蚀对材料高选择性的特性，避免现有干法刻蚀AlScN工艺对下层材料的过刻蚀现象；同时该工艺方法可以有效地降低工艺成本，提高产能及效率。
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