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公开(公告)号：CN105789110B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201610256375.3
申请日：2016-04-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H02M3/07
Abstract: 本发明是MEMS开关用高升压倍数电荷泵电路，其结构是第二Trench结构的版图、第三Trench结构的版图分别包围第一Trench结构的版图，SOI晶片从上到下为顶层硅，二氧化硅层，高阻载片；在SOI晶片的顶层硅上进行Trench结构，实现每个MOS管衬底电学隔离，MOS管和第三电容互连构成电荷泵子电路单元，若干级电荷泵子电路单元和输出级级联构成整个电荷泵电路。本发明优点：电路全部采用CMOS技术，具有集成度高、功耗低、容易获得高升压倍数等优点。
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公开(公告)号：CN110444846A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910132769.1
申请日：2019-02-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明涉及一种抑制腔内环行器带内谐振的结构，包括环行器、金属腔体、导电材料和金属腔体盖板，环行器底部磁性金属材料固定在金属腔体底部上；导电材料通过导电胶粘接在金属腔体盖板内侧或金属腔体侧壁，导电材料厚度大于金属腔体盖板与磁钢之间的间隙，金属腔体盖板固定在金属腔体上，使得导电材料与环行器磁钢充分接触。优点：1）磁钢与封闭腔体之间填充导体，实现电互连，改变整体结构谐振频率，从而有效解决腔内环行器通带内插损突变的现象。2）适用于解决各类环行器置于腔体内发生的腔体谐振效应3）结构简单，操作工艺方便易实现。
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公开(公告)号：CN104868868B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201510210470.5
申请日：2015-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H03H7/24
Abstract: 本发明公开了一种MEMS步进式数字衰减器，包括传输线和n个级联的可变衰减单元，n≥1；可变衰减单元包括电阻衰减网络、上MEMS开关和下MEMS开关，且上MEMS开关和下MEMS开关关于电阻衰减网络上下对称。本发明采用MEMS开关代替传统电子开关，MEMS开关关于电阻衰减网络对称，使得信号通过路径最短，结构更为紧凑；通过MEMS开关控制不同电阻衰减网络的接入，以实现不同的衰减量，电路拓扑结构简单、端口阻抗匹配好、制造简单、工艺兼容性好，有利于大规模生产；此外，在共面波导两个接地金属面之间引入空气桥，使得衰减器的衰减量在较宽频带内的平坦度更好。
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公开(公告)号：CN110444846B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201910132769.1
申请日：2019-02-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明涉及一种抑制腔内环行器带内谐振的结构，包括环行器、金属腔体、导电材料和金属腔体盖板，环行器底部磁性金属材料固定在金属腔体底部上；导电材料通过导电胶粘接在金属腔体盖板内侧或金属腔体侧壁，导电材料厚度大于金属腔体盖板与磁钢之间的间隙，金属腔体盖板固定在金属腔体上，使得导电材料与环行器磁钢充分接触。优点：1）磁钢与封闭腔体之间填充导体，实现电互连，改变整体结构谐振频率，从而有效解决腔内环行器通带内插损突变的现象。2）适用于解决各类环行器置于腔体内发生的腔体谐振效应3）结构简单，操作工艺方便易实现。
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公开(公告)号：CN111180843A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010012766.7
申请日：2020-01-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS微带环形器及其制备方法，包括：铁镍合金层；微带层，设置于所述铁镍合金层上；下硅层，设置于所述微带层远离所述铁镍合金层的一面上；铁氧体层，贯穿所述下硅层以及所述微带层，向下延伸至所述铁镍合金层上；传输线层，设置于所述下硅层以及所述铁氧体层远离所述微带层的一面上；上硅层，设置于所述传输线层远离所述铁氧层的一面上；以及磁钢层，设置于所述上硅层远离所述传输线的一面上；其中，所述上硅层为台阶结构。本发明提供的一种MEMS微带环形器，通过将上硅层设置为台阶结构，降低了MEMS微带环形器的介质损耗以及辐射损耗，进而降低了MEMS微带环形器在使用的过程中的损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104388994B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410529841.1
申请日：2014-10-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种减小电镀层图形失真的方法，应用于对图形尺寸精度要求高的微电子、微机电系统(MEMS)等领域。本发明通过增加辅助图形，巧妙地利用电镀材料间的相互应力反向抵消，大大改善了电镀层图形失真的问题。该方法适合任何性质和厚度的可电镀材料，工艺简单，可操作性强，无需任何特殊设备，适合于大规模生产。
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公开(公告)号：CN104388994A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410529841.1
申请日：2014-10-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种减小电镀层图形失真的方法，应用于对图形尺寸精度要求高的微电子、微机电系统(MEMS)等领域。本发明通过增加辅助图形，巧妙地利用电镀材料间的相互应力反向抵消，大大改善了电镀层图形失真的问题。该方法适合任何性质和厚度的可电镀材料，工艺简单，可操作性强，无需任何特殊设备，适合于大规模生产。
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公开(公告)号：CN111180843B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010012766.7
申请日：2020-01-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS微带环形器及其制备方法，包括：铁镍合金层；微带层，设置于所述铁镍合金层上；下硅层，设置于所述微带层远离所述铁镍合金层的一面上；铁氧体层，贯穿所述下硅层以及所述微带层，向下延伸至所述铁镍合金层上；传输线层，设置于所述下硅层以及所述铁氧体层远离所述微带层的一面上；上硅层，设置于所述传输线层远离所述铁氧层的一面上；以及磁钢层，设置于所述上硅层远离所述传输线的一面上；其中，所述上硅层为台阶结构。本发明提供的一种MEMS微带环形器，通过将上硅层设置为台阶结构，降低了MEMS微带环形器的介质损耗以及辐射损耗，进而降低了MEMS微带环形器在使用的过程中的损耗。
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公开(公告)号：CN105789110A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610256375.3
申请日：2016-04-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H02M3/07
CPC classification number: H01L21/76264 , H01L21/76283 , H01L27/1203 , H02M3/07 , H02M2001/007
Abstract: 本发明是MEMS开关用高升压倍数电荷泵电路，其结构是第二Trench结构的版图、第三Trench结构的版图分别包围第一Trench结构的版图，SOI晶片从上到下为顶层硅，二氧化硅层，高阻载片；在SOI晶片的顶层硅上进行Trench结构，实现每个MOS管衬底电学隔离，MOS管和第三电容互连构成电荷泵子电路单元，若干级电荷泵子电路单元和输出级级联构成整个电荷泵电路。本发明优点：电路全部采用CMOS技术，具有集成度高、功耗低、容易获得高升压倍数等优点。
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公开(公告)号：CN104868868A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510210470.5
申请日：2015-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H03H7/24
Abstract: 本发明公开了一种MEMS步进式数字衰减器，包括传输线和n个级联的可变衰减单元，n≥1；可变衰减单元包括电阻衰减网络、上MEMS开关和下MEMS开关，且上MEMS开关和下MEMS开关关于电阻衰减网络上下对称。本发明采用MEMS开关代替传统电子开关，MEMS开关关于电阻衰减网络对称，使得信号通过路径最短，结构更为紧凑；通过MEMS开关控制不同电阻衰减网络的接入，以实现不同的衰减量，电路拓扑结构简单、端口阻抗匹配好、制造简单、工艺兼容性好，有利于大规模生产；此外，在共面波导两个接地金属面之间引入空气桥，使得衰减器的衰减量在较宽频带内的平坦度更好。
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