-
公开(公告)号：CN117735474A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311738928.5
申请日：2023-12-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统及其制造方法，所述微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统包括：自下而上设置的第一层硅衬底、第二层硅衬底、第三层硅衬底、第四层硅衬底、第五层硅衬底；射频芯片；芯片埋置槽；输入/输出硅波导‑CPWG转换结构；硅波导无源元件；TSV阵列。本发明利用MEMS圆片级键合工艺实现了多层硅衬底的堆叠，实现了硅微机械波导无源元件与微波电路的空间一体化集成，降低了传输损耗，提高了太赫兹微纳系统结构的空间利用率；MEMS体硅工艺的高精度加工保证了太赫兹微纳系统的加工精度和性能一致性。
-
公开(公告)号：CN117155322A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311086318.1
申请日：2023-08-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于薄膜体声波器件的低应力ALN压电薄膜制备方法，通过在衬底上设计沟槽结构，多个沟槽将衬底分隔为若干个独立封闭区域，之后对衬底表面进行清洗并基于反应溅射在衬底有沟槽的表面沉积ALN压电薄膜。在沟槽形成的每个封闭独立区域内，应力延伸至区域边缘的台阶处，由于沟槽深度大于薄膜厚度，在沟道台阶处会形成ALN压电薄膜缺陷，在薄膜生长过程的应力可以在边缘台阶处通过薄膜缺陷释放，而不再继续延伸至整个圆片，防止应力变化范围沿衬底径向方向不断积累增加。该制备方法仅增加分隔图形，工艺简洁，可以有效解决ALN压电薄膜的局部应力积累问题，将薄膜的应力控制在较低水平，保障FBAR器件的制造工艺和最终器件性能。
-
公开(公告)号：CN117080200A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311156676.5
申请日：2023-09-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/50 , H01L25/18 , H01L21/60 , H01L21/50 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种可重构异构集成三维射频芯片及其制作方法，芯片包括：CPLD裸芯片、硅基Fan‑in结构、微凸点/微柱和射频裸芯片，其特征在于，所述可重构异构集成三维射频芯片包括硅基Fan‑in结构，所述CPLD裸芯片和射频裸芯片分别设于所述硅基Fan‑in结构两侧，所述硅基Fan‑in结构的线路与所述CPLD裸芯片PAD连接，所述线路通过RDL重构布线，连接射频裸芯片控制信号PAD，所述射频裸芯片还包括扩展PAD，所述CPLD裸芯片的电源/地/编程接口信号通过所述扩展PAD引出。该三维射频芯片通过硅基Fan‑in工艺重构布线和芯片倒装堆叠工艺实现2种裸芯片的三维异构集成。
-
公开(公告)号：CN117038593A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311023957.3
申请日：2023-08-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明公开了一种高可靠三维异构集成数模混合射频微系统，包括陶瓷基座、硅基转接板、硅基埋置型多芯片Fan‑out和硅基封帽腔体；系统采用多种硅基射频微系统集成技术和3级POP三维堆叠架构；采用四层高密度硅基转接板和两层高密度硅基埋置型多芯片Fan‑out作为布线介质；陶瓷基座具有两层布线结构，硅基转接板具有四层高密度RDL布线结构和TSV垂直传输结构，正面实现射频/数模混合电路裸芯片和无源器件的集成，背面的球栅阵列通过BGA焊球堆叠在硅基埋置型多芯片Fan‑out正面。本发明能够减少布线层数，简化层叠结构，缩小封装体的尺寸，从根源上减小了微系统和PCB之间的热应力，满足BGA焊球使用条件，降低了板级装配的工艺难度，同时实现了高密度集成和高可靠性。
-
公开(公告)号：CN116598261A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310450415.8
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种圆片级气密键合结构及其制造方法，气密键合结构基本单元为倒梯形沟槽，正面布局为梳齿状或蜂窝状阵列，其中倒梯形沟槽宽度为10‑20um，深度为5‑10um；该方法通过采用干法刻蚀技术在硅基衬底上制作特殊布局的槽型键合结构；随后在槽内填充键合层金属，并与另一片硅基衬底上柱状键合结构进行晶圆级键合，从而形成晶圆与晶圆间的气密粘接，并以此为基础实现3层以上晶圆级气密堆叠。本发明避免了芯片集成过程中气密封装失效风险，为三维集成微系统提供多层气密封装解决方案。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113755804A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110930803.7
申请日：2021-08-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种近零应力掺钪氮化铝薄膜制备方法，属于半导体制造技术领域。该方法具体包括以下步骤：a.对硅衬底进行烘烤，除去水汽和有机物沾污；b.对硅衬底进行预清洗，去除自然氧化层；c.对溅射靶材进行预处理，获得稳定的掺钪氮化铝生长状态；d.向腔体内通入高纯氩气和氮气，调节气体流量、直流功率、射频功率对掺钪铝靶进行溅射，在硅衬底上形成近零应力的掺钪氮化铝薄膜。本发明不增加额外工艺步骤以及额外设备改造，通过对靶材的处理以及工艺参数的调试，可以在硅衬底上制备高均匀性、近零应力的掺钪氮化铝薄膜。
-
公开(公告)号：CN112768432A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011621897.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/58 , H01L21/48 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种集成大功率射频芯片的微流体转接板及其制备方法，包括信号互联层、微流道结构层以及微流体接口结构层；信号互联层包括表面覆盖有接地金属层的顶层硅片以及嵌入顶层硅片内部的厚铜结构件，厚铜结构件上表面设有芯片键合面并与接地金属层相连；微流道结构层包括中间层硅片以及设置在中间层硅片内部的分流流道和合流流道，分流流道与合流流道之间平行设置有若干条冷却流道，且分流流道、冷却流道以及合流流道顺次连通；微流体接口结构层包括底层硅片以及与分流流道对应的入液口、与合流流道对应的出液口；本发明结合厚铜结构与微通道，利用高热容的冷却液工质可将发热器件的废热及时带走，散热效率可以获得显著提升。
-
公开(公告)号：CN111049495B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911392114.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明涉及一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构，包括上表面带有凹槽的衬底、位于衬底上方的底电极层、压电层，其特征在于，还包括带有异形空气桥结构的顶电极层，该空气桥结构内设有可起到对横向声波回弹作用的声回弹结构；该声回弹结构为与异形空气桥结构的桥腔相向的凸形或梯形多面体并以卧式设置在异形空气桥结构的桥腔上方区域，该声回弹结构的顶端面嵌入并与异形空气桥结构的桥腔仰顶面凹槽紧贴，该声回弹结构的底端面与异形空气桥结构的桥腔下方区域悬空结构之间留有空气间隙，该声回弹结构的左侧面和右侧面分别嵌入并与异形空气桥结构的桥腔支撑结构相邻的内侧面的凹槽紧贴。本发明能够显著提升薄膜体声波谐振器的品质因数。
-
公开(公告)号：CN112542413A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011413182.7
申请日：2020-12-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/68 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法，步骤依次为：在目标衬底正面完成器件电路的制备，以及对准标记A阵列和对准标记B阵列的制备；将待转移半导体薄膜剥离转移到目标衬底晶圆正面；在转移至目标衬底上的半导体薄膜上，通过曝光暴露出至少两个对准标记A；通过掩膜版与对准标记A进行对准曝光，暴露出对准标记B阵列；利用对准标记B阵列，通过标准微电子加工工艺在转移后的半导体薄膜正面进行器件流片以及半导体薄膜与目标衬底器件结构的异质互联。本发明解决了异质衬底集成不透明半导体薄膜材料的高精度对准问题，为后续基于标准微电子工艺的异质集成技术奠定基础，有助于进一步提升异质集成密度。
-
公开(公告)号：CN111863648A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010502228.6
申请日：2020-06-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成后偏移量的测量方法，所述方法包括如下步骤：在第一、第二待集成衬底上分别设置键合偏差测试矩阵，测试矩阵中布置有键合结构和与键合结构一一对应并相连的金属布线；采用直流测试设备分别对测试矩阵里的键合结构进行直流测试，得到键合导通结果；根据测试矩阵中的键合导通结果，得到集成后偏移量的偏离方向和偏离数值。本发明的测量方法能够提高键合偏差的测试准确性和便捷性，减少失效分析时间，增加工艺监控质量，为三维异质异构集成工艺的良率提升和成本降低提供保障。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
117
records
(took 0.062 seconds)
