公开(公告)号：CN119092969A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411482071.X

申请日：2024-10-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所

Inventor： 吴杰 ,  王雷 ,  杨扬 ,  郑源 ,  严可 ,  刘欣 ,  陈磊

IPC: H01P11/00

Abstract: 本发明是一种太赫兹波导的制备方法，其主要是通过采用硅基MEMS工艺实现数百微米级多层深槽并精确控制槽深的制造方法，通过采用SOI圆片的硅基厚度实现第一刻蚀深度，采用介质掩蔽，通过刻蚀实现第二刻蚀深度，通过喷胶掩蔽刻蚀实现第三刻蚀深度，在此刻蚀深度的情况下，可通过减薄和抛光，精确调整第一、第二、第三刻蚀深度，并在圆片背面刻蚀第四刻蚀深度，并通过圆片键合实现波导腔体密封，在侧壁制备端口进行信号输入输出，实现太赫兹波导器件结构的制备。本发明能精确控制关键尺寸的制备精度，进而实现批量生产的一致性与稳定性。

公开(公告)号：CN113479841A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110563714.3

申请日：2021-05-24

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所

Inventor： 禹淼 ,  吴杰 ,  王政焱 ,  王勇光 ,  刘欣 ,  李杰 ,  陈聪 ,  朱健

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B01L3/00

Abstract: 本发明公开了一种硅基微流道基板制备方法，属于微电子技术领域。该基板制备方法包括：步骤1.在硅表面光刻、干法刻蚀形成多条平行沟槽，去除表面光刻胶；步骤2.表面沉积金属粘附层和铜种子层，喷胶光刻、湿法腐蚀沟槽底部金属粘附层和铜种子层；步骤3.采用二氟化氙干法刻蚀平行微流道，去除光刻胶；步骤4.电镀铜填充沟槽，并完成表面电镀金属铜平坦化；步骤5.表面光刻冷却液接口，腐蚀铜金属和金属粘附层，干法刻蚀硅形成冷却液接口，并连通平行微流道，去除表面光刻胶，完成所述基板的制备。本发明以较简易的工艺和较低的成本，实现单层硅片微流道结构的制备，有效解决电子模块和系统的散热问题。

公开(公告)号：CN113479841B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202110563714.3

申请日：2021-05-24

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所

Inventor： 禹淼 ,  吴杰 ,  王政焱 ,  王勇光 ,  刘欣 ,  李杰 ,  陈聪 ,  朱健

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B01L3/00

Abstract: 本发明公开了一种硅基微流道基板制备方法，属于微电子技术领域。该基板制备方法包括：步骤1.在硅表面光刻、干法刻蚀形成多条平行沟槽，去除表面光刻胶；步骤2.表面沉积金属粘附层和铜种子层，喷胶光刻、湿法腐蚀沟槽底部金属粘附层和铜种子层；步骤3.采用二氟化氙干法刻蚀平行微流道，去除光刻胶；步骤4.电镀铜填充沟槽，并完成表面电镀金属铜平坦化；步骤5.表面光刻冷却液接口，腐蚀铜金属和金属粘附层，干法刻蚀硅形成冷却液接口，并连通平行微流道，去除表面光刻胶，完成所述基板的制备。本发明以较简易的工艺和较低的成本，实现单层硅片微流道结构的制备，有效解决电子模块和系统的散热问题。