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公开(公告)号：CN119776828A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411836503.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: C23C28/02 , H01L21/3213 , C23F1/02 , C23F1/26 , C23F1/44 , C23C14/16 , C23C14/58 , C25D7/12 , C25D5/02 , C25D5/48
Abstract: 本发明公开了一种高平整度铬保护层图形化的工艺方法，包括如下步骤：准备衬底晶圆并湿法清洗，在衬底晶圆上依次溅射黏附层和种子层作为底层金属；在种子层上蒸发或溅射金属铬作为阻挡层，形成复合金属膜结构；在复合金属膜结构上旋涂光刻胶并曝光显影，进行后烘烤处理；使用中等浓度湿法混合溶液对铬进行预刻蚀，去除表面钝化层并粗化铬保护层；使用低浓度湿法混合溶液二次刻蚀，去除络合物并获得图形线条平整的铬掩膜层；在种子层上电镀金属层，并去除光刻胶；使用高浓度湿法混合溶液整面刻蚀，去除铬掩膜层并获得所需的金属表面。本发明可实现不同精度尺寸的图形化工艺并得到所需洁净表面。
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公开(公告)号：CN119092969A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411482071.X
申请日：2024-10-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01P11/00
Abstract: 本发明是一种太赫兹波导的制备方法，其主要是通过采用硅基MEMS工艺实现数百微米级多层深槽并精确控制槽深的制造方法，通过采用SOI圆片的硅基厚度实现第一刻蚀深度，采用介质掩蔽，通过刻蚀实现第二刻蚀深度，通过喷胶掩蔽刻蚀实现第三刻蚀深度，在此刻蚀深度的情况下，可通过减薄和抛光，精确调整第一、第二、第三刻蚀深度，并在圆片背面刻蚀第四刻蚀深度，并通过圆片键合实现波导腔体密封，在侧壁制备端口进行信号输入输出，实现太赫兹波导器件结构的制备。本发明能精确控制关键尺寸的制备精度，进而实现批量生产的一致性与稳定性。
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公开(公告)号：CN112839429B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202110052935.4
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种环形触点射频微机械开关及其制备方法，开关包括衬底结构、用于传输射频/微波信号的共面波导结构、悬臂梁结构及用于直流驱动的驱动结构。共面波导结构包括位于中间的输入信号线、输出信号线和位于两侧的地线。悬臂梁右顶端下方有环形触点，悬臂梁下面的衬底结构表面有驱动电极。制备方法包括：在衬底上溅射金属并刻蚀形成共面波导结构和驱动结构；在共面波导结构和驱动结构上涂覆一层牺牲层；各向异性刻蚀牺牲层形成环形凹槽；各向同性刻蚀，拓展凹槽形成圆环形触点；在牺牲层上溅射一层金属并刻蚀出悬臂梁结构，然后电镀增厚；腐蚀牺牲层释放结构获得开关。本发明环形触点结构大大增加触点接触面积，从而提高开关导通态性能。
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公开(公告)号：CN113479841A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110563714.3
申请日：2021-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基微流道基板制备方法，属于微电子技术领域。该基板制备方法包括：步骤1.在硅表面光刻、干法刻蚀形成多条平行沟槽，去除表面光刻胶；步骤2.表面沉积金属粘附层和铜种子层，喷胶光刻、湿法腐蚀沟槽底部金属粘附层和铜种子层；步骤3.采用二氟化氙干法刻蚀平行微流道，去除光刻胶；步骤4.电镀铜填充沟槽，并完成表面电镀金属铜平坦化；步骤5.表面光刻冷却液接口，腐蚀铜金属和金属粘附层，干法刻蚀硅形成冷却液接口，并连通平行微流道，去除表面光刻胶，完成所述基板的制备。本发明以较简易的工艺和较低的成本，实现单层硅片微流道结构的制备，有效解决电子模块和系统的散热问题。
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公开(公告)号：CN112839429A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110052935.4
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种环形触点射频微机械开关及其制备方法，开关包括衬底结构、用于传输射频/微波信号的共面波导结构、悬臂梁结构及用于直流驱动的驱动结构。共面波导结构包括位于中间的输入信号线、输出信号线和位于两侧的地线。悬臂梁右顶端下方有环形触点，悬臂梁下面的衬底结构表面有驱动电极。制备方法包括：在衬底上溅射金属并刻蚀形成共面波导结构和驱动结构；在共面波导结构和驱动结构上涂覆一层牺牲层；各向异性刻蚀牺牲层形成环形凹槽；各向同性刻蚀，拓展凹槽形成圆环形触点；在牺牲层上溅射一层金属并刻蚀出悬臂梁结构，然后电镀增厚；腐蚀牺牲层释放结构获得开关。本发明环形触点结构大大增加触点接触面积，从而提高开关导通态性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110459501A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910462435.0
申请日：2019-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于减薄圆片的加固拿持结构，包括薄片和圆环形结构，薄片的一面和圆环形结构固定连接，外径曲面完全对齐。其制备方法包括：1）选取半导体工艺用圆片，将圆片减薄成薄片；2）选取具有一定刚度和强度的平坦片状结构，将平坦片状结构制备成圆环形结构；3）将圆环形结构与减薄圆片一面固定连接，保证两结构的外径曲面完全对齐。优点：1）本发明加固拿持结构采用固定加固圆环提高圆片的强度，实现对减薄圆片的加固拿持，加固步骤简单，容易实现，兼容性高，可实现对圆片采用各种不同方式的减薄。2）采用了半导体通用设备既可实现对圆片进行减薄，制备容易、成本低廉，实用性强。
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公开(公告)号：CN113479841B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110563714.3
申请日：2021-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基微流道基板制备方法，属于微电子技术领域。该基板制备方法包括：步骤1.在硅表面光刻、干法刻蚀形成多条平行沟槽，去除表面光刻胶；步骤2.表面沉积金属粘附层和铜种子层，喷胶光刻、湿法腐蚀沟槽底部金属粘附层和铜种子层；步骤3.采用二氟化氙干法刻蚀平行微流道，去除光刻胶；步骤4.电镀铜填充沟槽，并完成表面电镀金属铜平坦化；步骤5.表面光刻冷却液接口，腐蚀铜金属和金属粘附层，干法刻蚀硅形成冷却液接口，并连通平行微流道，去除表面光刻胶，完成所述基板的制备。本发明以较简易的工艺和较低的成本，实现单层硅片微流道结构的制备，有效解决电子模块和系统的散热问题。
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公开(公告)号：CN117393419A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311470319.6
申请日：2023-11-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/3213 , G03F7/16 , G03F7/42
Abstract: 本发明是一种整晶圆表面图形化方法包括步骤：提供整晶圆，整晶圆表面具有三维微结构；对整晶圆表面喷胶及烘烤以形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光；在第一光刻胶层表面喷胶及烘烤以形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光；进行显影以在第一光刻胶层形成第一凹槽，在第二光刻胶层形成第二凹槽；进行薄膜沉积以在第一凹槽及第二凹槽暴露出的整晶圆表面形成金属图形并在第二光刻胶层形成金属层；去除第一光刻胶层、第二光刻胶层及上方的金属层。本发明实现在三维微结构上具有一定线宽精度的厚金属图形化，可为进一步的三维集成与封装提供圆片键合所需的共晶键合层，实现三维形貌晶圆级封装。
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公开(公告)号：CN116140156A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310044954.1
申请日：2023-01-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种整晶圆真空涂胶工艺，包括由涂胶腔组件、供胶组件、驱动涂胶组件以及真空VAC组件所构成的真空涂胶设备，涂胶工艺包括：放片、抽真空、滴胶、匀胶、充气、旋转、泄压。本发明的有益效果是：满足在具有槽、沟、深孔、腔等特别是具有高深宽比三维微结构的整晶圆样件表面胶液涂覆、填充和平坦化需求的工艺方法，通过利用真空环境及气体压力作用进行胶体填充，能达到传统的半导体涂胶系统无法实现的效果，解决了整晶圆三维微结构表面涂胶平坦化中得痛点。可广泛应用于TSV填孔、FAN‑out扇出埋置芯片缝隙填充及平坦化等微系统三维集成互联以及先进封装领域。
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公开(公告)号：CN103869637A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410084813.3
申请日：2014-03-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，至少包括采用多层光刻胶的胶膜结构作为镀膜的牺牲层材料，图形化后上层胶比下层胶要多伸出一段距离悬空，悬挂在基板的上方一定高度，然后带胶镀膜，剥离成膜，具体包括基板涂覆下层胶，固化；继续涂覆上层胶，固化；与基板原有图形对准，图形化，形成上窄下宽式镀膜窗口；利用物理气相淀积、蒸发、溅射、电镀镀膜方式，基板上淀积薄膜结构；剥离去掉胶牺牲层，留在基板上的镀膜图形带有斜坡状边缘。优点：方便实用简单可靠，成本低，薄膜表面顺滑无毛刺，膜层边缘结合力好，避免断裂或分层剥离，斜坡坡度灵活可控，适用于MEMS、IC、NEMS中的声、气敏、压阻薄膜传感器、集成电路。
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