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公开(公告)号：CN103617944B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310491592.7
申请日：2013-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明是一种基于光刻胶（ProLIFT100）的临时键合及去键合的方法，其特征是包括临时键合及去键合。优点是：GaAs、GaN等化合物半导体晶圆加工的一些关键工艺如背面金属化、背面通孔的刻蚀等步骤在200摄氏度以上高温下进行可获得更好的效果，而ProLIFT100能够耐受超过300摄氏度的高温，可以同时起到圆片正面图形保护和粘片粘附剂的作用，因此非常适合在半导体背面工艺中用于与载片的临时键合。另外利用旋涂甩胶的方式进行键合过渡层的涂敷，平整度和均匀性都非常好，工艺简单、重复性好；并且整个过程不会对临时载片造成磨损、沾污等伤害，可以循环使用；去键合过程简单易行，不需要外加机械力的作用，能够大大减少碎片的概率。
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公开(公告)号：CN103043605B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210521807.0
申请日：2012-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明是微型电镀立体结构提高圆片级金属键合强度的工艺方法，通过对其中一个晶片采用双层电镀工艺，以独立的、立体的、阵列式几何图形制备，实现圆片级金属键合的剪切强度与键合面积的增强，提高键合成品率，至少包括在原有器件设计版图上增加第二次电镀金属的几何图形版图，如小尺寸的网格状、柱状等几何凸起图形；通过辅助的金属粘附层实现二次电镀，与另一个晶片金属扩散键合。优点：工艺简单，剪切强度高、成品率高，克服常规金属键合工艺对键合晶片及其晶片金属表面的电镀平整度要求极高而易导致局部区域键合不上、键合面积不足、键合强度不够等晶片机键合质量不高问题，实现器件键合区域键合完好，剪切强度显著增加，实现圆片级密闭封装。
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公开(公告)号：CN101477977A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910028182.2
申请日：2009-01-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种利用多步径、精密控深的划片技术实现针对圆片级封装结构器件的引线焊盘的电信号引出方法，包括以下特征：所述圆片级封装结构包括上层结构、中层结构和下层支撑；其中中层结构外围有一键合环，下层支撑上分布有芯片结构的引线焊盘，所述的引线焊盘位于键合环的外侧；封装结构的上层结构、中层结构和下层支撑利用键合环通过MEMS键合成一体；对圆片进行多步径划片、裂片，使信号引线焊盘露出，利用引线键合方法将芯片与后续电路互连。本发明通过对芯片引线位置的合理设计，对圆片进行双面、多步径、深度可控、精确定位的划片，将引线焊盘直接暴露出来，利用引线键合技术实现芯片互连。该方法保护了芯片内部单元结构，大大提高了圆片级到独立芯片的成品率，减小了器件的封装体积，同时避免了采用倒装焊、通孔等复杂刻蚀工艺实现芯片引线之间的互连。
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公开(公告)号：CN103864009B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410085670.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明涉及的是一种基于介质膜掩膜板沉积工艺的斜坡边缘金属薄膜图形的制备方法，使用具有图形化通孔结构的薄层作为介质膜掩膜板进行金属薄膜的沉积，介质膜掩膜板和需要生长金属薄膜的衬底间的间距可调，产生的图形化金属薄膜具有斜坡状边缘，斜坡角度可根据需求控制；优点：金属薄膜上沿可平缓的降至衬底，其间高度不会有非连续性突变。在具有斜坡状边缘的金属薄膜上继续生长膜层时，膜层边缘结合力好，不会断裂或剥离。本发明中的金属薄膜生长方法基于介质膜掩膜板沉积工艺，斜坡的高度和倾角可通过改变介质膜掩膜板和衬底的间距来调节。具有工艺方法简单，加工方便，适合于大规模生产。
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公开(公告)号：CN103864009A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410085670.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及的是一种基于介质膜掩膜板沉积工艺的斜坡边缘金属薄膜图形的制备方法，使用具有图形化通孔结构的薄层作为介质膜掩膜板进行金属薄膜的沉积，介质膜掩膜板和需要生长金属薄膜的衬底间的间距可调，产生的图形化金属薄膜具有斜坡状边缘，斜坡角度可根据需求控制；优点：金属薄膜上沿可平缓的降至衬底，其间高度不会有非连续性突变。在具有斜坡状边缘的金属薄膜上继续生长膜层时，膜层边缘结合力好，不会断裂或剥离。本发明中的金属薄膜生长方法基于介质膜掩膜板沉积工艺，斜坡的高度和倾角可通过改变介质膜掩膜板和衬底的间距来调节。具有工艺方法简单，加工方便，适合于大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103864008A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410084759.2
申请日：2014-03-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明是采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法，包括工艺步骤：1）将硅片按照所需要的图形刻蚀穿通，制作好硅片掩膜版；2）将待沉积薄膜的基片与硅片掩膜版固定，其中包括控制基片与硅片掩膜版之间的间距，以及基片与硅片掩膜版之间的图形对准；3）沉积薄膜层；4）基片与硅片掩膜版分离，并清洗硅片掩膜版用于重复使用。优点：即通过改变硅片与待沉积薄膜的基片之间的距离以及使用不同厚度和不同通孔形貌的硅片，可改变所沉积材料的粒子在沉积过程中的分布情况，从而改变最终得到的薄膜图形的横截面形貌。工艺简单成本低廉，可重复利用，当进一步生长的薄膜上层材料与薄膜下层材料需要较好的晶格匹配时，本方法显示出了突出的优势。
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公开(公告)号：CN102169038A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110003525.7
申请日：2011-01-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明提供一种用于玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器侧墙保护方法，防止传感器在制作工艺过程中灰尘、水对电容间隙污染的工艺方法。其特征是在MEMS电容式压力传感器制作过程中，在导气孔前引入辅助侧墙，用于阻止在工艺过程中灰尘、水进入电容间隙，辅助侧墙与底层玻璃之间设置氮化硅薄膜，防止辅助侧墙与底层玻璃键合，使在芯片分离后，侧墙自动脱离芯片。优点：由于在导气孔前引入辅助侧墙，有效地阻止了在工艺过程中灰尘、水进入电容间隙，由于在辅助侧墙与底层玻璃之间设置氮化硅薄膜，防止辅助侧墙与底层玻璃键合，使在芯片分离后，侧墙自动脱离芯片。提高硅电容式压力传感器的可靠性和成品率。
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公开(公告)号：CN101727026B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910264459.1
申请日：2009-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
CPC classification number: B23K3/0638 , B41M1/12 , H01L2224/742 , H01L2924/1461 , H05K3/1225 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种利用接触式光刻机提高丝网印刷精确对准装置及其方法，光刻时，将装有丝网印刷掩膜图形的定位夹具框插入到接触式光刻机里，通过辅助垫片调节高度，设置压缩空气将承片台向上运动，并通过传感感应实现X-Y-Z光刻预定位，通过显微镜对准系统将丝网的印刷图形与承片台上的晶圆片的图形对准，再将显微镜对准系统抬上去，将印刷涂料放于丝网上用刮板进行图形印刷，承片台向下回到原位取出晶圆片。优点：丝网印刷对准精度由通常厚膜技术的10-15μm提高到微电子技术的±3μm，实现多层堆叠晶圆片的不同厚度衬底的涂覆和对准，显著拓宽适用领域。结构、方法、操作简单，易集成、推广。实现丝网印刷掩膜图形替代接触式光刻掩膜版。
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公开(公告)号：CN101477977B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200910028182.2
申请日：2009-01-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种利用多步径、精密控深的划片技术实现针对圆片级封装结构器件的引线焊盘的电信号引出方法，包括以下特征：所述圆片级封装结构包括上层结构、中层结构和下层支撑；其中中层结构外围有一键合环，下层支撑上分布有芯片结构的引线焊盘，所述的引线焊盘位于键合环的外侧；封装结构的上层结构、中层结构和下层支撑利用键合环通过MEMS键合成一体；对圆片进行多步径划片、裂片，使信号引线焊盘露出，利用引线键合方法将芯片与后续电路互连。本发明通过对芯片引线位置的合理设计，对圆片进行双面、多步径、深度可控、精确定位的划片，将引线焊盘直接暴露出来，利用引线键合技术实现芯片互连。该方法保护了芯片内部单元结构，大大提高了圆片级到独立芯片的成品率，减小了器件的封装体积，同时避免了采用倒装焊、通孔等复杂刻蚀工艺实现芯片引线之间的互连。
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公开(公告)号：CN1631843A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410065775.3
申请日：2004-11-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/47
Abstract: 本发明在制备钛酸锶钡靶材的原材料中添加微量的敏化剂和成核剂，在磁控溅射过程中使这类添加剂均匀地转移到薄膜中去，通过适当的晶化处理能够强化在薄膜的非晶态固体中均匀地析出大量微晶化晶体，并使其生长，这种方法可显著地提高所制薄膜的介电常数值。其中成核剂的作用主要是促进晶核的形成，敏化剂的作用主要是诱导非晶相析晶。成核剂可使用贵金属氧化物或贵金属盐类，如氧化铜、硝酸银等，敏化剂可以采用能增加光敏性、促进晶核形成的氧化物，如二氧化铈等。而热处理可采用低真空热处理办法，既可进一步降低热处理温度，又能进一步有效地提高晶化效果。
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