公开(公告)号：CN107026088A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710063704.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起宽 ,  刘庭均 ,  金基一 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括由其面对的末端之间的第一沟槽分开的第一鳍式图案和第二鳍式图案，形成填充第一沟槽的第一绝缘层，去除第一绝缘层的一部分以在第一绝缘层上形成第二沟槽，以及通过增大第二沟槽的宽度形成第三沟槽。

公开(公告)号：CN107017251A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610900212.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  朴起宽 ,  姜尚求 ,  柳庚玟 ,  李在训 ,  河泰元

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/0886

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。

公开(公告)号：CN106683987A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610962976.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  金炯东 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/027

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成包括真实掩模图案和伪掩模图案的多个掩模图案；去除伪掩模图案；以及利用真实掩模图案作为掩模对衬底进行蚀刻，以形成第一沟槽、第二沟槽以及由第一沟槽和第二沟槽限定的鳍式图案。接触鳍式图案的第二沟槽包括凸出并且位于第二沟槽的底表面与侧表面之间的平滑图案、位于第二沟槽的侧表面与平滑图案之间的第一凹进部分和位于凸出部分与第二沟槽的底表面之间的第二凹进部分。

公开(公告)号：CN106653851A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610948671.X

申请日：2016-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  朴起宽 ,  金松伊 ,  柳庚玟 ,  闵宣基

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7855 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。

公开(公告)号：CN106549017A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610833846.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  朴起宽 ,  金元洪

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/51 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7854

Abstract: 提供了集成电路装置及其制造方法。所述集成电路装置包括：第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构。

公开(公告)号：CN106486483A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610791568.9

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成石铉 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  金基一

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖鳍型有源区的下侧壁并且多个衬层在器件隔离层和鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，延伸以覆盖鳍型有源区的沟道区、多个衬层和器件隔离层，并包括位于栅绝缘层的覆盖多个衬层的部分上的突起。

公开(公告)号：CN106298670A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610463537.0

申请日：2016-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括第一鳍型有源区、第二鳍型有源区和区域间台阶部。第一鳍型有源区在基板的第一区中从基板突出并具有在第一方向上的第一宽度。第二鳍型有源区在基板的第二区中从基板突出并具有在第一方向上的第二宽度。第二宽度小于第一宽度。区域间台阶部形成在底表面上的第一区和第二区之间的界面处，该区域间台阶部是基板的在第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之间的部分。

公开(公告)号：CN106206576A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610366218.8

申请日：2016-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成石铉 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7854

Abstract: 提供了集成电路器件。器件可以包括从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，并且第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷下部部分中的隔离层。隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里。器件可以进一步包括第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面上的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。

公开(公告)号：CN117637752A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311071592.1

申请日：2023-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：在基板的第一区域和第二区域上的第一有源鳍和第二有源鳍；隔离图案，在第一区域和第二区域之间的边界以及第一区域和第二区域的与其相邻的部分上，隔离图案将第一有源鳍和第二有源鳍分开；第一栅极结构，在第一区域上的第一有源鳍和隔离图案上；第二栅极结构，在第二区域上的第二有源鳍和隔离图案上；第一源极/漏极层，在与第一栅极结构相邻的第一有源鳍上；以及第二源极/漏极层，在与第二栅极结构相邻的第二有源鳍上。第一栅极结构与第一有源鳍重叠的部分的宽度大于第二栅极结构与第二有源鳍重叠的部分的宽度。

公开(公告)号：CN107170741B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201710130993.8

申请日：2017-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  严命允 ,  车东镐 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角，并且其中鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。