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公开(公告)号：CN107533952B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201680025480.4
申请日：2016-03-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法包含：堆积多晶硅层于基底晶圆的贴合面侧、于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜、通过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合、以及将贴合晶圆薄膜化，作为基底晶圆，使用电阻率为100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，于堆积多晶硅层的步骤中更具有于基底晶圆堆积多晶硅层的表面预先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的阶段，以1050℃以上、1200℃以下的温度进行多晶硅层的堆积。由此，即使经过SOI晶圆的制造步骤的热处理步骤及装置制造步骤的热处理步骤亦能不使单晶化进行而堆积多晶硅层，同时能够提升多晶硅堆积步骤的总产量。
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公开(公告)号：CN107078057B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201580056672.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。
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公开(公告)号：CN107615455B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201680029245.4
申请日：2016-03-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/013 , B24B37/07 , B24B49/12
Abstract: 一种尺寸量测装置，配置于研磨装置，以激光干涉测定研磨中晶圆厚度，包含用于对研磨中晶圆照射激光的光源、接受被照射光源的激光的研磨中晶圆的反射光的受光件、自受光件受光的反射光计算出照射激光的研磨中晶圆的厚度的测定值的计算件，其中计算件基于预先求得的晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系，自研磨中晶圆的电阻率计算出研磨中晶圆的厚度的测定误差的值，修正测定误差而计算出研磨中晶圆厚度。由此在连续研磨中，即使有研磨基板的批次变更的情况，能防止尺寸量测精密度低下，得到高尺寸量测精密度。
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公开(公告)号：CN108138353B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201680060808.6
申请日：2016-09-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 北川胜之
Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，其在填充工序后，进行坩埚位置设定工序以及熔化工序，所述坩埚位置设定工序包含：将锥形阀的下端配置在比吹扫管的下端更靠下方的位置的步骤；一边测量锥形阀的重量的变化，一边使锥形阀和坩埚以相对接近的方式移动的步骤；根据锥形阀的重量的变化率，检测锥形阀的下端与原料的上端的接触的步骤；根据检测到接触的锥形阀的下端的位置，测量原料的上端的位置的步骤；以及设定坩埚的位置，以使吹扫管的下端与填充在坩埚内的原料的上端的间隔为规定的距离的步骤，所述熔化工序包含坩埚位置调整步骤，在所述坩埚位置调整步骤中，配合原料的熔化的进行，调整坩埚的位置，以使吹扫管的下端与原料的上端的间隔维持在规定的距离。由此，能够将吹扫管的下端与填充在坩埚内的原料的上端的间隔控制为规定的距离。
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公开(公告)号：CN108778623B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201780018553.1
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 宇佐美佳宏
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种线锯装置的制造方法，该线锯装置包括钢线供给轴盘、长型辊、导线器、钢线卷收轴盘及被控制而在经设定的控制角度±A(°)内动作并且对该钢线赋予张力的张力臂，该线锯装置的制造方法包括下列步骤：测定该长型辊的表面粗糙度Rmax；自该钢线供给轴盘伸出该钢线时，测定该张力臂的角度摆动至该经设定的控制角度的范围外时的该张力臂的角度a(°)；将该经测定的该长型辊的表面粗糙度Rmax作为R1(μm)，计算出R1×2×A÷(|a|+A)＝R2；以及使该长型辊的表面粗糙度Rmax成为该计算出的数值R2以下。由此，可防止张力臂大幅摆动至控制范围外。
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公开(公告)号：CN108290266B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201680067980.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/015 , B24B49/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨方法，具有研磨步骤，在对贴附于定盘的研磨布供给研磨浆的同时，通过将以研磨头支承的晶圆予以滑接于该研磨布的表面，而研磨该晶圆的表面，该研磨方法包含：相关关系导出步骤，于进行该研磨步骤之前，预先求得该研磨布的表面温度与使用该研磨布所研磨的晶圆的雾度的相关关系，其中在该研磨步骤之中，在基于该研磨布的表面温度与使用该研磨布所研磨的晶圆的雾度的相关关系而控制该研磨布的表面温度的同时，研磨该晶圆。由此在晶圆的研磨之中能抑制雾度，并且由此能延长研磨布的寿命。
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公开(公告)号：CN111164241A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063993.3
申请日：2018-09-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 星亮二
Abstract: 本发明提供一种单晶硅的培育方法，其为利用CZ法培育高电阻率单晶硅的方法，该培育方法中，培育所述单晶硅时，计算有助于所述单晶硅的目标电阻率的掺杂剂浓度的1/3的值，以使施主所造成的载流子浓度变化量为所述计算值以下的方式，设定培育条件以控制培育的单晶硅中的轻元素杂质的浓度，并基于该设定的培育条件来培育具有所述目标电阻率的单晶硅，所述施主起因于可能在制造器件时形成于培育后的所述单晶硅中的所述轻元素杂质。由此，提供一种即使经过器件工序也能够抑制产生起因于轻元素杂质的施主、且能够抑制偏离目标电阻率的变化量的高电阻率单晶硅的培育方法。
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公开(公告)号：CN108698192B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201780012780.3
申请日：2017-02-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用的载体的制造方法，包含准备载体基材及比该载体基材更厚的插入材的准备步骤、将插入材嵌入支承孔而使插入材自载体基材的表面侧及背面侧两者表面突出的嵌入步骤、分别测定自载体基材的表面侧突出的插入材的表面侧突出量及自载体基材的背面侧突出的插入材的背面侧突出量的测定步骤、设定启用研磨载体时的上定盘及下定盘的转速而降低表面侧突出量及背面侧突出量的差值的设定步骤及以经设定的上定盘及下定盘的分别的转速而启用研磨载体的启用研磨步骤。由此能提高双面研磨后的晶圆的边缘部的平坦度。
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公开(公告)号：CN107615469B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201680029024.7
申请日：2016-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 加藤正弘
IPC: H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 本发明提供一种半导体晶圆的评价方法，包含以DWO以及DNO两种检测模式，检测调查用样品的半导体晶圆表面的LPD；进行LPD的尺寸分类；自以两种检测模式所检测出的LPD的检测坐标，计算两种检测模式中检测坐标间的距离及相对于晶圆中心的相对角度；将各经分类的尺寸预先设定将LPD判定为异物或致命缺陷的判定基准；以两种检测模式测定评价对象半导体晶圆的LPD；进行评价对象的LPD的尺寸分类；关于评价对象，计算检测坐标间的距离及相对于晶圆中心的相对角度；以及基于计算结果及判定基准，将评价对象的半导体晶圆表面所检测出的LPD分类为致命缺陷及异物。
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