公开(公告)号：CN107078057B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201580056672.7

申请日：2015-09-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  樱田昌弘 ,  高桥修治

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。

公开(公告)号：CN107078057A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056672.7

申请日：2015-09-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  樱田昌弘 ,  高桥修治

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。