公开(公告)号：CN107078057B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201580056672.7

申请日：2015-09-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  樱田昌弘 ,  高桥修治

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。

公开(公告)号：CN107078057A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056672.7

申请日：2015-09-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  樱田昌弘 ,  高桥修治

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。

公开(公告)号：CN105324834B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201480034727.X

申请日：2014-06-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B1/04 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明是一种硅晶圆的热处理方法，具有：将硅晶圆载置于SiC夹具上，放入热处理炉内的工序；在热处理炉内，在第一非氧化性气氛下，对硅晶圆进行热处理的工序；降温到能将硅晶圆从热处理炉内搬出的温度的工序；以及，将硅晶圆从热处理炉内搬出的工序；在降温工序中，在降温到能搬出的温度后，将第一非氧化性气氛切换成含氧气氛，在含氧气氛下，在SiC夹具的表面上形成厚度1～10nm的氧化膜，之后再将含氧气氛切换成第二非氧化性气氛。由此，能提供一种硅晶圆的热处理方法，该热处理方法能防止在热处理工序中来自于夹具和环境的碳污染。

公开(公告)号：CN105324834A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480034727.X

申请日：2014-06-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B1/04 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明是一种硅晶圆的热处理方法，具有：将硅晶圆载置于SiC夹具上，放入热处理炉内的工序；在热处理炉内，在第一非氧化性气氛下，对硅晶圆进行热处理的工序；降温到能将硅晶圆从热处理炉内搬出的温度的工序；以及，将硅晶圆从热处理炉内搬出的工序；在降温工序中，在降温到能搬出的温度后，将第一非氧化性气氛切换成含氧气氛，在含氧气氛下，在SiC夹具的表面上形成厚度1～10nm的氧化膜，之后再将含氧气氛切换成第二非氧化性气氛。由此，能提供一种硅晶圆的热处理方法，该热处理方法能防止在热处理工序中来自于夹具和环境的碳污染。

公开(公告)号：CN104620351A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047651.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  大井裕喜

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B31/22 ,  C30B33/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/3226 ,  C30B31/22

Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在氧化膜形成工序前，进行对准备好的硅晶圆在氧化性气氛下用1100℃～1250℃的温度实施30分钟～120分钟的热处理的工序，以及对成为该热处理后的硅晶圆的贴合面的表面进行研磨的工序。由此，在SOI晶圆的制造中，能够充分消除接合晶圆的缺陷，制造几乎没有缺陷等不良的SOI晶圆，此外，能够将在离子注入剥离法中作为副产物而生成的剥离晶圆多次再用作接合晶圆。