公开(公告)号：CN104160493B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380012899.2

申请日：2013-02-28

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 门口卓矢 ,  岩崎真悟 ,  持田晶良 ,  奥村知巳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/73 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法，将多组功率单元在预定方向上排列配置，且将该多组功率单元一体地进行树脂封装，所述功率单元中，多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上，所述半导体装置中，在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体，其中，所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间，所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。

公开(公告)号：CN103377950B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310148433.7

申请日：2013-04-25

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： 库尔特-格奥尔格·贝森德费 ,  海科·布拉姆尔 ,  娜蒂娅·埃德纳 ,  克里斯蒂安·约布尔 ,  哈拉尔德·科波拉

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L23/49844 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/14 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种基底和用于制造至少一个功率半导体器件的基底的方法，该方法具有如下方法步骤：a）提供不导电的绝缘材料体（1）；b）将结构化的导电的第一金属化层（2a）施布在绝缘材料体（1）的第一侧（15a）上，其中，第一金属化层（2a）具有第一和第二区域（22a、22b），其中，第一区域（22a）具有窄导体轨迹（21），而第二区域22b）具有至少一个宽导体轨迹（20a、20b）；以及c）在至少一个宽导体轨迹（20a、20b）上电沉积第一金属层（5）。本发明提供一种基底（7），该基底不仅具有至少一个能承载负载电流的导体轨迹25）而且还具有能与集成电路连接的导体轨迹21）。

公开(公告)号：CN106415833A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480073732.1

申请日：2014-11-05

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 曾田真之介

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/28 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49844 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/84

摘要： 一种功率半导体模块，在同一面上配置有多个具有在绝缘体的基板的单面形成有表面电极并在另一面形成有背面电极的绝缘基板以及粘着于表面电极的表面的功率半导体元件的半导体元件基板，并且具备对邻接的半导体元件基板之间进行电连接的布线构件，以使至少所配置的多个背面电极全部露出的方式，通过模树脂对半导体元件基板以及布线构件进行了模塑，其中，模树脂在邻接的绝缘基板之间，具有从背面电极侧起的预定深度的未填充构成模树脂的树脂的凹部。

公开(公告)号：CN106104792A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580016004.1

申请日：2015-03-18

申请人： 技术研究组合光电子融合基盘技术研究所

发明人： 赤川武志 ,  屋敷健一郎

IPC分类号： H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K1/111 ,  G02B6/122 ,  G02B6/4232 ,  H01L23/49844 ,  H01L2224/16225 ,  H05K1/0219 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/0245 ,  H05K1/0251 ,  H05K1/181 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/10121 ,  H05K2201/10734 ,  Y02P70/611

摘要： 在用于将IC芯片搭载在基板上的该基板上的焊盘阵列配置结构中，通过设计IC用的焊盘阵列区域的焊盘配置，实现能够尽量避免基板上的多层布线化的结构。本发明的实施方式提供一种基板上的焊盘阵列结构，该焊盘阵列结构用于将IC芯片搭载到基板上。并且，在焊盘阵列区域的第一边缘部包括多个接地焊盘，均等间隔地排列在第一列；以及多个信号焊盘，均等间隔地排列在第二列，该第二列位于第一列的内侧且与第一列平行，各信号焊盘通过第一列中的相邻的两个接地焊盘之间，并与基板上的外部电路连接，在与该外部电路之间进行电信号的输入输出。

公开(公告)号：CN105633024A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510844574.1

申请日：2015-11-26

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 高桥卓也 ,  大坪义贵

IPC分类号： H01L23/053 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/053 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/48

摘要： 本发明得到一种具有下述构造的半导体装置，即，在不使用基板固定用的基底板的、无基底板构造中，能够防止基板以向上凸起的状态进行翘曲的现象。外部电极(21)的电极嵌入部(E2)的嵌入垂直电极区域(E21)以及壳体接触用水平电极区域(E22)的一部分，嵌入成型在形成收容壳体(3)的壳体内嵌入区域(3a)内。即，通过将壳体接触用水平电极区域(E22)作为电极嵌入部(E2)的一部分而插入至壳体内嵌入区域(3a)内，由此使壳体接触用水平电极区域(E22)的上表面以及下表面均与壳体内嵌入区域(3a)接触。

公开(公告)号：CN102763492B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201080054640.0

申请日：2010-12-01

申请人： 埃普科斯股份有限公司

发明人： C.比宁格 ,  U.克瑙尔 ,  H.措特尔 ,  W.吕勒 ,  T.耶武拉 ,  R.尼斯尔

IPC分类号： H05K3/38 ,  H05K3/04 ,  H05K1/09 ,  H03H9/02 ,  H01L23/498 ,  H05K1/02

CPC分类号： H01L41/0477 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49866 ,  H01L41/0472 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L2924/0002 ,  H03H9/02929 ,  H03H9/14538 ,  H05K1/0265 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/048 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0338 ,  H01L2924/00

摘要： 说明一种尤其是用于利用声波工作的器件的金属化部，该金属化部具有高电源稳定性和高导电性。为此，所述金属化部包括具有下层（BL）和上层（UL）的基座，所述下层包括钛并且所述上层包括铜。金属化部的布置在基座上的上覆层（TL）包括铝。

公开(公告)号：CN102479771B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201110396465.X

申请日：2011-11-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李镐珍 ,  赵泰济 ,  张东铉 ,  宋昊建 ,  郑世泳 ,  姜芸炳 ,  尹玟升

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49844 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/525 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/15311

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法和半导体封装件。在一个实施例中，一种半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体基底。第二表面限定再分布槽。基底具有延伸通过基底的通孔。半导体装置还包括设置在通孔中的通孔件。通孔件可以包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层。通孔件还可以包括与阻挡层相邻的导电连接件。半导体装置另外包括形成在基底的第二表面上的绝缘层图案。绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口。半导体装置包括设置在槽中并电连接到通孔件的再分布层。绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。

公开(公告)号：CN105390484A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510494845.5

申请日：2015-08-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R·拜雷尔 ,  W·布雷克尔

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L23/053 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明涉及一种电路装置，其具有数量为至少两个的半导体芯片，其被相继地设置为一排，该排以第一横向方向延伸。每个半导体芯片具有半导体主体以及第一负载连接端和第二负载连接端。所有的半导体芯片的第一负载连接端相互导电地连接以及所有的半导体芯片的第二负载连接端相互导电地连接。装置还具有第一负载电流汇流导轨以及与其导电连接的外部连接端。对于半导体芯片中的每个来说存在至少一个电连接导体，在第一连接位置处所涉及的连接导体与第一负载连接端导电连接以及在第二连接位置处所涉及的连接导体与第一负载电流汇流导轨导电连接。

公开(公告)号：CN105264658A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480026418.8

申请日：2014-09-17

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 山田教文

IPC分类号： H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/3675 ,  C04B37/021 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/407 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/01 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/11 ,  H01L25/115 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种在利用了销接合的半导体模块中能够提高冷却能力的半导体模块。具备：半导体元件(1)；销(10)，电连接且热连接到半导体元件(1)的上表面；销布线基板(5)，在销布线用绝缘基板(5a)的背面具备第一金属箔(5b)，在销布线用绝缘基板(5a)的正面具备第二金属箔(5c)，并且第一金属箔(5b)与销(10)接合；第一DCB基板(2)，在第一陶瓷绝缘基板(2a)的正面具备第三金属箔(2b)，在第一陶瓷绝缘基板(2a)的背面具备第四金属箔(2c)，并且，第三金属箔(2b)接合到半导体元件(1)的下表面；第一冷却器(6)，与第四金属箔(2c)热连接；以及第二冷却器(7)，与第二金属箔(5c)热连接。

公开(公告)号：CN102906874B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080066906.3

申请日：2010-05-21

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 畑井彰 ,  田村静里

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 在绝缘性基板（11）的正面安装晶体管芯片（15），该安装晶体管芯片（15）由形成有上桥臂用晶体管元件（M1、M3、M5）的宽带隙半导体形成，在绝缘性基板（11）的背面安装晶体管芯片（16），该晶体管芯片（16）由形成有下桥臂用晶体管元件（M2、M4、M6）的宽带隙半导体形成。