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公开(公告)号:CN103086317A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201210429745.0
申请日:2012-10-31
Applicant: 索尼公司 , 索尼信息技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C3/001 , B29C65/4895 , B81B2201/058 , B81C2201/019 , B81C2203/037
Abstract: 本发明涉及基板层的融合方法和装置及微流体芯片的制造方法。提供的基板层的融合方法,包括:使用对树脂具有溶解性的有机溶剂处理由树脂制成的基板层的接合面;以及在低于树脂的玻璃化转变温度或软化点温度下加热经处理的基板层,并压接加热的基板层。
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公开(公告)号:CN101668710B
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN200880013573.0
申请日:2008-02-27
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: C03B11/08
CPC classification number: C03B11/084 , B81B2201/051 , B81C99/0085 , B81C2201/019 , B81C2201/036 , C03B2215/07
Abstract: 本发明揭示了模塑玻璃和玻璃复合体的方法,包括提供具有第一表面的第一结构,提供具有第二表面的第二结构,该第二表面是图案化和多孔的,在第一和第二表面之间设置一定量的含玻璃的组合物,然后将第一和第二结构以及第一用量的组合物一起加热至足以软化第一用量的组合物的程度,使得第一和第二结构在重力或以其他方式施加的力的作用下彼此相向运动,从而在第一用量的组合物中形成第二表面的图案,然后将该组合物冷却至足以稳定该组合物的程度,该第二结构包含开口孔隙率至少为5%的多孔碳,该一定量的组合物能够从第二表面去除,而不损坏该一定量的组合物或第二表面,使得该第二表面可以再次使用。
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公开(公告)号:CN102369059A
公开(公告)日:2012-03-07
申请号:CN200980130482.X
申请日:2009-06-05
Applicant: 博纳基因技术有限公司
Inventor: 曹涵 , 迈克尔·D·奥斯汀 , 帕里克希特·A·德什潘德 , 马克·昆克尔 , 阿列克谢·Y·沙罗诺夫 , 迈克尔·科切尔斯皮尔格
IPC: B01L3/00
CPC classification number: B81C1/00119 , B01L3/502761 , B01L2200/0663 , B01L2200/0689 , B01L2200/10 , B01L2300/0816 , B01L2300/0851 , B01L2300/0858 , B01L2300/0864 , B01L2300/0887 , B01L2300/168 , B01L2400/0415 , B01L2400/043 , B01L2400/0442 , B01L2400/0487 , B01L2400/086 , B81B2201/058 , B81C2201/019 , G01N2021/0346 , G01N2021/6439 , Y10T29/4981
Abstract: 本发明提供了具有大尺度和纳米尺度尺寸的部件的集成分析装置,以及具有降低的背景信号并减少了置于装置内的荧光团淬灭的装置。还提供了制造这些装置和使用这些装置的相关方法。
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公开(公告)号:CN102315094A
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN201110190779.4
申请日:2011-07-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00373 , B81C2201/0184 , B81C2201/019 , G01J5/00 , H01L51/0005 , H05K1/16
Abstract: 本发明涉及一种用于制造包括有第一印刷结构的电或者电子器件的方法,其中提供了基片,并在这基片上借助于杰特法印刷第一结构。印刷的结构包括有至少第一角。此外借助于杰特法使第二结构从第一结构的第一角一直印刷到位于第一结构之外的端点,其中第二结构接触第一结构,而且其中实施这种印刷,只要接触第二结构的第一结构的材料至少部分地处于一种流体状态的话。最后使第一结构和/或第二结构电接触。
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公开(公告)号:CN101263077B
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN200680033035.9
申请日:2006-08-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: F04B43/043 , B01L3/502707 , B01L3/502738 , B01L2200/10 , B01L2200/12 , B01L2300/0627 , B01L2300/0819 , B01L2300/0887 , B01L2300/123 , B01L2300/1827 , B01L2400/0638 , B81C1/00119 , B81C1/00182 , B81C99/0095 , B81C2201/019 , F16K99/0001 , F16K99/0007 , F16K99/0015 , F16K99/0034 , F16K99/0051 , F16K2099/008 , F16K2099/0084 , Y10T428/24851
Abstract: 本发明涉及一种制造微系统的方法并且还涉及该微系统。利用该方法,可以通过层叠在至少一侧上具有导电层(11a,11b)的预处理的箔(10)制造微系统。在层叠之后,使用压力和热来密封这些箔(10)。最后,微系统从叠层(S)分开。箔的预处理(优选通过激光束完成)包括选自以下的步骤:(A)保持箔完整,(B)部分去除导电层,(C)去除导电层和部分蒸发所述箔(10),以及(D)去除导电层以及箔(10),由比在箔(10)上形成孔。结合所述层叠,可以形成空腔,自由悬挂的悬臂以及膜。这使得能够制造不同的微系统,例如MEMS器件和微流系统。
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公开(公告)号:CN102226999A
公开(公告)日:2011-10-26
申请号:CN201110121476.7
申请日:2011-05-11
Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司
Inventor: 柳连俊
CPC classification number: H01L23/562 , B81C1/00182 , B81C1/00365 , B81C2201/019 , H01L21/30 , H01L21/76283 , H01L21/76898 , H01L21/84 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种衬底结构,包括:相对设置的第一衬底和第二衬底;所述第一衬底的第一表面朝向第二衬底的第二表面,所述第一表面依次设置有导体互连层和键合层;所述键合层将第一衬底及导体互连层与第二衬底连接。该衬底结构及其制作方法。可以将第二衬底作为支撑功能的衬底,第一衬底作为直接制作器件的衬底,而第一衬底为通过晶体生长形成的,不会有厚度和自身的应力的问题,避免了不必要的应力,进而提高在第一衬底中形成的器件的性能。
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公开(公告)号:CN102046909A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN200980120550.4
申请日:2009-03-30
Applicant: 瑞士材料试验研究所
CPC classification number: E06B3/66342 , B23K35/262 , B81C1/00269 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , C03C27/08 , C04B37/006 , C04B2237/12 , C04B2237/126 , C04B2237/128 , C04B2237/708 , E06B3/67334 , H01L31/0488 , Y02E10/50 , Y10T428/1317 , Y10T428/24744
Abstract: 本发明涉及一种复合材料,其包括由在升高温度下离子导电的氧化材料构成的两个组件(2a,2b),这两个组件在位于其间的结合区域(6)中通过焊接搭接片(4)以介质密封的方式互相结合。为了形成可靠的结合,按照本发明,所述焊接搭接片由低熔点锡合金形成,该低熔点锡合金具有重量份额至少为65%w的锡和最高为350℃的熔点,并包含至少一种活泼金属作为合金成分。
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公开(公告)号:CN101599473B
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN200810171192.7
申请日:2008-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/50 , H01L27/02 , H01L21/60
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B2201/042 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81B2207/056 , B81C2201/019 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种电路结构及其形成方法,其包含一基板;一第一非晶硅层,位于所述基板上;一第一粘着层,位于所述第一非晶硅层上于且邻接于所述第一非晶硅层;以及一第二非晶硅层,位于所述第一粘着层上于且邻接于所述第一粘着层。本发明由于接线柱由非晶硅组成,因此所产生的接线柱的图案化相对简单,即使这些接线柱可能具有很大的高度。藉由在非晶硅层间形成粘着层,可增加非晶硅接线柱的高度而不会产生缺陷。该有利特征包含了改善非晶硅接线柱的品质、以及降低形成多个具有不同高度的非晶硅接线柱的复杂性。另外,更提供一种电路结构的形成方法。
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公开(公告)号:CN101960314A
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN200980107567.6
申请日:2009-01-30
Applicant: 柯尼卡美能达精密光学株式会社
Inventor: 平山博士
CPC classification number: B81C1/00103 , B01L3/502707 , B01L3/502746 , B01L2200/0689 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B81B2201/058 , B81B2203/0338 , B81B2203/0384 , B81C2201/019 , Y10T156/1062 , Y10T428/24331 , Y10T428/24562
Abstract: 本发明提供一种微芯片及其制造方法,其中,使树脂薄膜不弯向流路用槽,解消液体试料的滞留,能够进行正确的分析。作为手段,微芯片是在形成了流路用槽的树脂基板的形成了所述流路用槽的面上接合树脂薄膜,由此形成流路,在所述流路的各位置上,所述流路宽度方向截面中的所述树脂薄膜的弯曲角度在0度以上30度未满。
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公开(公告)号:CN101359605B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200810134052.2
申请日:2004-05-19
Applicant: 齐普特洛尼克斯公司
Inventor: 童勤义
IPC: H01L21/58 , H01L21/762 , B81C1/00
CPC classification number: B32B7/04 , B32B2250/04 , B81C1/00357 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L21/3105 , H01L21/76251 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/08059 , H01L2224/29186 , H01L2224/80896 , H01L2224/81894 , H01L2224/81895 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/92125 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01058 , H01L2924/01067 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/05442
Abstract: 一种粘结方法,包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入,可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法,从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种,优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处,氟的浓度也可具有第二峰值。
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