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公开(公告)号：CN106057915A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610643966.6
申请日：2016-08-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/88 , H01L29/45 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/882 , H01L29/452 , H01L29/66219
Abstract: 本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n+GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN势垒层，InGaN隔离层，n+InGaN发射极欧姆接触层，圆形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明的二极管的发射极欧姆接触层采用InGaN材料，增大峰值电流，提高输出功率；二极管的制作方法中，生长InGaN后没有高温工艺，没有In析出，减小器件漏电。
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公开(公告)号：CN105869998A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610333650.7
申请日：2016-05-19
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L21/02458 , C23C14/0617 , C23C14/35 , C23C16/303 , C23C28/04 , H01L21/02485 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化镓层；(6)生长高V?Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硒化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能氮化镓基器件。
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公开(公告)号：CN105845716A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610313055.7
申请日：2016-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/15 , H01L29/20 , H01L21/329 , H01L29/88
CPC classification number: H01L29/882 , H01L29/151 , H01L29/2003 , H01L29/66219
Abstract: 本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n十GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In组分的InGaN子量子阱、第二GaN隔离层、n十GaN发射极欧姆接触层、圆形电极依次从下至上分布在衬底上方，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明在RTD中引入渐变In组分InGaN子量子阱和AlN材料钝化层，增大峰值电流，提高输出功率，减小器件功耗。
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公开(公告)号：CN103928504A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410168281.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L29/201 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InGaN纳米线生长效率低，方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层2-15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InGaN纳米线。本发明具有生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InGaN纳米器件。
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公开(公告)号：CN105861987B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610334060.6
申请日：2016-05-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝成核层；(3)热处理；(4)生长氮化铝过渡层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓薄膜。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，具有材料质量好，适用衬底范围大的优点，可用于制作氮化镓外延薄膜及器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731903A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710828635.4
申请日：2017-09-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/12 , H01L29/20 , H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/12 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI结构金刚石复合衬底的GaN高电子迁移率器件及制作方法，主要解决传统GaN高电子迁移率在高温大功率工作条件下性能退化的问题。其自下而上包括衬底、AlGaN/GaN异质结构和金属电极。其中衬底采用基于SOI结构异质外延生长得到的金刚石/硅/氮化镓复合衬底，金刚石层采用MPCVD工艺生长的多晶金刚石薄膜，其生长温度为900-1100℃，厚度为50-200μm；硅层为SOI结构上Si层；氮化镓层采用MOCVD工艺生长，其生长温度为1100±10℃，厚度为1.2-2.5μm。本发明由于采用Si层很薄的复合衬底，提高了GaN高电子迁移率器件的散热特性，可应用于高温大功率工作条件。
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公开(公告)号：CN107394022A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710610925.1
申请日：2017-09-05
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/20 , B82Y40/00 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中多量子阱包括五个周期，Al含量x和y由镓源和铝源的流量控制，以获得不同波长的LED，之后利用金属在高温下的蠕变现象形成金属球作为阻挡层，在量子阱上以均匀间隔刻蚀纳米槽，使p型GaN层镶嵌生长在纳米槽内，以提高p型GaN和量子阱的接触面积，有利于空穴的注入，本发明提高了发光效率，可用于紫外及深紫外发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN107068813A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710210413.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高AlN圆环和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低AlN圆环相间组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物层，由N面圆环和金属面圆环相间组成。该Ⅲ族氮化物层采用圆环结构增加反型畴的密度；该III族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明相比于传统LED，器件结构和制作流程简单，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN107068812A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710207374.4
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹交错组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物薄膜，由N面Ⅲ族氮化物条纹和金属面Ⅲ族氮化物条纹交错组成。该Ⅲ族氮化物采用GaN或InGaN，分别发紫外光和绿光。本发明利用c面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN105977135A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610334385.4
申请日：2016-05-19
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L21/02485 , C23C14/0036 , C23C14/0617 , C23C14/35 , C23C16/303 , C23C28/04 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备二硫化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。
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