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公开(公告)号：CN105861987B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610334060.6
申请日：2016-05-19
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝成核层；(3)热处理；(4)生长氮化铝过渡层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓薄膜。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，具有材料质量好，适用衬底范围大的优点，可用于制作氮化镓外延薄膜及器件。
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公开(公告)号：CN105734530B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610130981.0
申请日：2016-03-08
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)在铜衬底上通过金属有机物化学气相淀积MOCVD生长石墨烯；(2)在覆盖石墨烯层的铜衬底上采用磁控溅射生长一层氮化铝薄膜；(3)将得到的氮化铝基板进行一定时间的热处理；(4)将进行热处理之后的样品放入金属有机物化学气相淀积MOCVD中依次外延低V/III比氮化镓外延层和高V/III比氮化镓外延层。该方法易在覆盖石墨烯层的铜衬底上得到质量较好的氮化镓外延层。
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公开(公告)号：CN105655238B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610130918.7
申请日：2016-03-08
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于石墨烯和磁控溅射氮化铝的硅基氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)通过铜衬底上石墨烯的转移技术，将单层石墨烯转移到硅衬底上；(2)在覆盖石墨烯层的硅衬底上采用磁控溅射生长一层氮化铝薄膜；(3)热处理；(4)用金属有机物化学气相淀积MOCVD脉冲法外延一层氮化铝薄膜作为过渡层；(5)将样品放入金属有机物化学气相淀积MOCVD中依次外延低V/III比GaN外延层和高V/III比GaN外延层。该方法易在覆盖石墨烯层的硅衬底上得到质量较好的氮化镓外延层。
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公开(公告)号：CN105977135A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610334385.4
申请日：2016-05-19
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L21/02485 , C23C14/0036 , C23C14/0617 , C23C14/35 , C23C16/303 , C23C28/04 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要： 本发明公开了一种基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备二硫化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。
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公开(公告)号：CN105931946A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610333373.X
申请日：2016-05-19
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631
摘要： 本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了黑磷和磁控溅射氮化铝，材料质量优异，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。
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公开(公告)号：CN105861987A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610334060.6
申请日：2016-05-19
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化镓层；(6)生长高V?Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能氮化镓基器件。
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公开(公告)号：CN105655238A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610130918.7
申请日：2016-03-08
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L21/02381 , C23C14/0617 , C23C14/35 , C23C16/303 , C23C28/04 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631
摘要： 本发明涉及一种基于石墨烯和磁控溅射氮化铝的硅基氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)通过铜衬底上石墨烯的转移技术，将单层石墨烯转移到硅衬底上；(2)在覆盖石墨烯层的硅衬底上采用磁控溅射生长一层氮化铝薄膜；(3)热处理；(4)用金属有机物化学气相淀积MOCVD脉冲法外延一层氮化铝薄膜作为过渡层；(5)将样品放入金属有机物化学气相淀积MOCVD中依次外延低V/III比GaN外延层和高V/III比GaN外延层。该方法易在覆盖石墨烯层的硅衬底上得到质量较好的氮化镓外延层。
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公开(公告)号：CN108428618B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810218102.9
申请日：2018-03-16
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明涉及一种基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)在α面的蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜；(2)通过金属衬底上石墨烯的转移技术，将石墨烯转移到磁控溅射氮化铝薄膜上；(3)对覆盖石墨烯的基板进行热处理；(4)用脉冲金属有机物化学气相淀积MOCVD法外延氮化铝作为过渡层；(5)将样品放入金属有机物化学气相淀积MOCVD中依次外延低温GaN外延层和高温GaN外延层。该方法可以在工艺步骤少、成本低以及工艺重复性好的前提下得到高质量的氮化镓外延层。
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公开(公告)号：CN105633225B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610129914.7
申请日：2016-03-08
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)在蓝宝石衬底上转移一层石墨烯；(2)在石墨烯上磁控溅射氮化铝成核层；(3)在表面进行热处理；(4)生长氮化铝过渡层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层；本发明的氮化镓的优点在于，结合了石墨烯和磁控溅射氮化铝，具有材料质量好，适用衬底范围大的优点，可用于制作氮化镓外延层及器件。
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公开(公告)号：CN108899401A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810689886.3
申请日：2018-06-28
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/203
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/12
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法。其方案是：在蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜得到基板；在金属衬底上生长石墨烯，将石墨烯转移到基板上，得到覆盖石墨烯的基板，并对其进行热处理；在热处理后的覆盖石墨烯基板上生长N型GaN，得到N型GaN基板；在N型GaN基板上生长多量子阱层；在多量子阱层上生长P型GaN层；在P型氮化镓上旋涂得到透明导电层；对P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层进行干法刻蚀；生长SiO2保护层；干法刻蚀出电极区并生长电极，完成器件制备。本发明提高了石墨烯插入层和GaN外延层的质量，从而提升了LED的发光效率，可用于制作GaN基半导体器件。
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