公开(公告)号：CN105931946B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201610333373.X

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  朱家铎 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  吕佳骐 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了黑磷和磁控溅射氮化铝，材料质量优异，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105869998B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201610333650.7

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  吕佳骐 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

摘要： 本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硒化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105861987B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201610334060.6

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  庞凯 ,  陈智斌 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金 ,  郝跃

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝成核层；(3)热处理；(4)生长氮化铝过渡层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓薄膜。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，具有材料质量好，适用衬底范围大的优点，可用于制作氮化镓外延薄膜及器件。

公开(公告)号：CN105977135A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610334385.4

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

CPC分类号： H01L21/02485 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/35 ,  C23C16/303 ,  C23C28/04 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明公开了一种基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备二硫化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105931946A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610333373.X

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  朱家铎 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  吕佳骐 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了黑磷和磁控溅射氮化铝，材料质量优异，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105861987A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610334060.6

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  庞凯 ,  陈智斌 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金 ,  郝跃

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化镓层；(6)生长高V?Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105977135B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201610334385.4

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

摘要： 本发明公开了一种基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备二硫化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105810562A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610334076.7

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  庞凯 ,  陈智斌 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

CPC分类号： H01L21/02458 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/35 ,  C23C16/303 ,  C23C28/04 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长二硫化钼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化镓层；(6)生长高V?Ш比氮化镓层。本发明生长的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化钼和磁控溅射氮化铝，氮化镓材料质量好，适用衬底范围大，有利于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105810562B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201610334076.7

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  庞凯 ,  陈智斌 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

摘要： 本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长二硫化钼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明生长的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化钼和磁控溅射氮化铝，氮化镓材料质量好，适用衬底范围大，有利于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105869998A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610333650.7

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  吕佳骐 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

CPC分类号： H01L21/02458 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/35 ,  C23C16/303 ,  C23C28/04 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化镓层；(6)生长高V?Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硒化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能氮化镓基器件。