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公开(公告)号：CN109545919B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201811328759.7
申请日：2018-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及其制备方法，主要解决现有紫外发光二极管电流拥堵的问题。其自下而上包括：磁控溅射AlN的c面蓝宝石衬底层(1)、u型AlxGa1‑xN层(2)、n型AlxGa1‑xN层(3)、InyGa1‑yN/AlzGa1‑zN多量子阱层(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中n型AlxGa1‑xN层(3)采用由AlxGa1‑xN层和GaN层按照10‑60的周期交替生长的n‑AlxGa1‑xN层和u‑GaN层组成的调制掺杂结构。本发明提高了器件的电导率，缓解了电流拥堵效应，从而提高了器件的发光效率，可用于紫外和深紫外发光设备中。
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公开(公告)号：CN107068813B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710210413.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高AlN圆环和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低AlN圆环相间组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物层，由N面圆环和金属面圆环相间组成。该Ⅲ族氮化物层采用圆环结构增加反型畴的密度；该III族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明相比于传统LED，器件结构和制作流程简单，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN107068812B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201710207374.4
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹交错组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物薄膜，由N面Ⅲ族氮化物条纹和金属面Ⅲ族氮化物条纹交错组成。该Ⅲ族氮化物采用GaN或InGaN，分别发紫外光和绿光。本发明利用c面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN107068813A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710210413.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高AlN圆环和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低AlN圆环相间组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物层，由N面圆环和金属面圆环相间组成。该Ⅲ族氮化物层采用圆环结构增加反型畴的密度；该III族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明相比于传统LED，器件结构和制作流程简单，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN107068812A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710207374.4
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹交错组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物薄膜，由N面Ⅲ族氮化物条纹和金属面Ⅲ族氮化物条纹交错组成。该Ⅲ族氮化物采用GaN或InGaN，分别发紫外光和绿光。本发明利用c面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107146831B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710206926.X
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：r面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层和发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有数根条纹，AlN成核层包括一层温度为750‑900℃的低温AlN成核层和950‑1100℃的高温AlN成核层，发光层为一层a面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用a面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN106910805B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710210415.5
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于m面LiAlO2衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：m面LiAlO2衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极，其中GaN缓冲层与发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有通过光刻工艺形成的数根条纹，发光层为一层m面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用SiN掩膜层控制m面Ⅲ族氮化物层内的反型畴密度，利用反型畴的发光特点发光，相比于传统LED器件，本发明的器件结构和制作流程更为简化，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN107134512B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710206927.4
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED器件生长步骤繁多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面Al2O3衬底层、10‑40nm厚的高温AlN成核层、700‑2000nm厚的发光层和电极，其中发光层为一层N面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN材料，分别获得发紫外光、极紫外光和深紫外光不同颜色的发光二极管。本发明利用N面Ⅲ族氮化物薄膜内的反型畴代替传统LED的量子阱结构发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN107146831A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710206926.X
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：r面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层和发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有数根条纹，AlN成核层包括一层温度为750‑900℃的低温AlN成核层和950‑1100℃的高温AlN成核层，发光层为一层a面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用a面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN106910805A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710210415.5
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/18 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于m面LiAlO2衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：m面LiAlO2衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极，其中GaN缓冲层与发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有通过光刻工艺形成的数根条纹，发光层为一层m面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用SiN掩膜层控制m面Ⅲ族氮化物层内的反型畴密度，利用反型畴的发光特点发光，相比于传统LED器件，本发明的器件结构和制作流程更为简化，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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