公开(公告)号：CN110224047A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910465077.9

申请日：2019-05-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张雅超 ,  马德璞 ,  许晟瑞 ,  王学炜 ,  张进成 ,  马佩军 ,  张春福 ,  郝跃

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法，主要解决现有p型区空穴注入效率低，量子阱当中存在电子泄漏的问题。其自下而上包括：氧化镓衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层，n型GaN层的上面设有电极和工作区层，工作区层的上面依次设有电子阻挡层、p型层和电极，该工作区层包含六个周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN的多量子阱层和一个势垒层，且势垒层采用P型掺杂AlmSc1-mN/AlnSc1-nN超晶格结构，以实现与电子阻挡层间的电子耗尽，本发明减少了电子泄漏，降低了空穴注入势垒，提高了量子阱中空穴浓度，可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。

公开(公告)号：CN107068812B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201710207374.4

申请日：2017-03-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  彭若诗 ,  范晓萌 ,  林志宇 ,  刘大为 ,  张进成 ,  孟锡俊 ,  李培咸 ,  牛牧童 ,  马德璞 ,  郝跃

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹交错组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物薄膜，由N面Ⅲ族氮化物条纹和金属面Ⅲ族氮化物条纹交错组成。该Ⅲ族氮化物采用GaN或InGaN，分别发紫外光和绿光。本发明利用c面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。

公开(公告)号：CN110224047B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201910465077.9

申请日：2019-05-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张雅超 ,  马德璞 ,  许晟瑞 ,  王学炜 ,  张进成 ,  马佩军 ,  张春福 ,  郝跃

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法，主要解决现有p型区空穴注入效率低，量子阱当中存在电子泄漏的问题。其自下而上包括：氧化镓衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层，n型GaN层的上面设有电极和工作区层，工作区层的上面依次设有电子阻挡层、p型层和电极，该工作区层包含六个周期AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN的多量子阱层和一个势垒层，且势垒层采用P型掺杂AlmSc1‑mN/AlnSc1‑nN超晶格结构，以实现与电子阻挡层间的电子耗尽，本发明减少了电子泄漏，降低了空穴注入势垒，提高了量子阱中空穴浓度，可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。

公开(公告)号：CN107068812A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710207374.4

申请日：2017-03-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  彭若诗 ,  范晓萌 ,  林志宇 ,  刘大为 ,  张进成 ,  孟锡俊 ,  李培咸 ,  牛牧童 ,  马德璞 ,  郝跃

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹交错组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物薄膜，由N面Ⅲ族氮化物条纹和金属面Ⅲ族氮化物条纹交错组成。该Ⅲ族氮化物采用GaN或InGaN，分别发紫外光和绿光。本发明利用c面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。

公开(公告)号：CN111933518A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010829637.7

申请日：2020-08-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  吴江涛 ,  马德璞 ,  高源 ,  吴金星 ,  张雅超 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了基于SiC衬底和LiCoO2缓冲层的AlN单晶材料制备方法，主要解决现有技术制得的自支撑c面AlN单晶材料缺陷密度高，厚度小，物理强度差和剥离成本高的问题。其实现方案是：选用c面SiC作为衬底，以利于降低缺陷密度；选用LiCoO2作为缓冲层，以利于制作厚度大于1μm的AlN单晶材料；在LiCoO2缓冲层和外延AlN材料界面处使用化学腐蚀法或刻蚀法或隔热胶带法进行剥离；对剥离后的基片进行清洗与烘干，制得自支撑c面AlN单晶材料。本发明制作的自支撑c面AlN单晶材料缺陷密度低，厚度大，物理强度高，且剥离成本低，可用于制作柔性可穿戴器件。