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公开(公告)号：CN115145231A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210806672.6
申请日：2022-07-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种基于扰动事件的多品种变批量生产车间调度方法，主要解决现有方案生产效率低的问题，其实施方案为：1)构建给定零件种类下的多品种变批量生产数据集；2)通过基于网络结构特征的瓶颈识别方法结合生产数据集选取瓶颈设备集；3)结合生产数据集和瓶颈设备集这些调度资源构建生产调度优化数学模型；4)采用改进的NSGA‑Ⅲ算法求解生产调度优化数学模型，得到最优的目标值，根据该值确定加工零件所需的加工设备及在该设备上的加工时间，形成车间生产作业计划；5)对在生产作业中紧急插单的扰动事件重复1)～4)进行生产重调度。本发明能有效提高生产效率，降低生产成本，充分发挥产线的总体效能，可用于多品种变批量的产品生产制造。
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公开(公告)号：CN115145231B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210806672.6
申请日：2022-07-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种基于扰动事件的多品种变批量生产车间调度方法，主要解决现有方案生产效率低的问题，其实施方案为：1)构建给定零件种类下的多品种变批量生产数据集；2)通过基于网络结构特征的瓶颈识别方法结合生产数据集选取瓶颈设备集；3)结合生产数据集和瓶颈设备集这些调度资源构建生产调度优化数学模型；4)采用改进的NSGA‑Ⅲ算法求解生产调度优化数学模型，得到最优的目标值，根据该值确定加工零件所需的加工设备及在该设备上的加工时间，形成车间生产作业计划；5)对在生产作业中紧急插单的扰动事件重复1)～4)进行生产重调度。本发明能有效提高生产效率，降低生产成本，充分发挥产线的总体效能，可用于多品种变批量的产品生产制造。
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公开(公告)号：CN103928504B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410168281.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InGaN纳米线生长效率低，方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层2-15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InGaN纳米线。本发明具有生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InGaN纳米器件。
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公开(公告)号：CN103928504A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410168281.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L29/201 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InGaN纳米线生长效率低，方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层2-15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InGaN纳米线。本发明具有生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InGaN纳米器件。
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