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公开(公告)号：CN114606480A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111412037.1
申请日：2021-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/52 , G01L19/00
Abstract: 本发明提供一种能够以高精度检测基板附近的压力的成膜装置以及成膜方法。根据本发明的一个方式的成膜装置具有:处理容器,其能够对内部进行减压；喷头,其用于向上述处理容器内供给气体,该喷头包括形成有多个气体孔的下部件、以及在与该下部件之间形成用于使上述气体扩散的扩散空间的上部件；载置台,其与上述喷头相对配置,并且在与上述喷头之间形成处理空间；升降机构,其用于使上述载置台进行升降；筒状部,其贯通上述喷头而与上述处理空间连通；以及压力传感器,其以气密的方式设于上述筒状部的内部,用于对上述处理空间的压力进行测定。
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公开(公告)号：CN114269965A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080058420.9
申请日：2020-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/285
Abstract: 一种原料气体供给系统，其将使固体原料气化而生成的原料气体向处理装置供给，其中，该原料气体供给系统包括：气化装置，其使所述固体原料气化而生成所述原料气体；送出机构，其从供在溶剂中溶解有所述固体原料的溶液贮存的溶液源向所述气化装置送出所述溶液；以及蒸发机构，其使从所述送出机构送出而容纳于所述气化装置内的所述溶液的溶剂蒸发，分离所述固体原料。
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公开(公告)号：CN101939827B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200880126474.3
申请日：2008-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/31645 , C23C16/4486
Abstract: 本发明提供一种液体原料气化器以及使用该液体原料气化器的成膜装置，在使液体原料的液滴通过通气性部件而气化时，能够使整个通气性部件的温度变得均匀，能够防止因气化不完全引起的网眼堵塞。液体原料气化器(300)具有：使液体原料成为液滴状并向气化空间(350)喷出的液体原料供给部(300A)；气化部(300B)；将来自液体原料供给部的液滴状的液体原料向气化部内导入的导入口(338)；配置在气化部内且由通气性部件(362)构成的雾气收集部(360)，该通气性部件由通过辐射热被加热的材料构成；辐射热加热器(370)，对通气性部件的整个外侧表面照射热射线，并通过该辐射热对通气性部件进行加热；送出口(340)，其将原料气体送出到外部，原料气体是通过使液滴状的液体原料通过被加热的通气性部件而气化生成的。
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公开(公告)号：CN102654241A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210054278.8
申请日：2012-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈部庸之
IPC: F17D1/02 , F17D3/01 , F17C5/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/45557 , C23C16/45561 , H01L21/67017 , Y02E60/321 , Y02E60/34 , Y10T137/0396 , Y10T137/2599 , Y10T137/7039 , Y10T137/7043 , Y10T137/776 , Y10T137/7761 , Y10T137/7762
Abstract: 本发明提供气体减压供给装置、具有该气体减压供给装置的气瓶柜、阀箱以及基板处理装置。该气体减压供给装置能够向以低于大气压的处理压力进行处理的腔室供给气体，其包括：压力调整器，其用于对一次压力进行减压并将二次压力调整成比大气压低且比处理压力高的压力；压力测量器，其用于对压力调整器的二次侧配管内的压力进行测量；第1开闭阀，其设于二次侧配管；开闭阀控制器，其用于使第1开闭阀进行开闭；压力比较器，其用于对由压力测量器测量的二次侧配管内的压力与第1设定压力进行比较；以及控制部，在由压力比较器判定为二次侧配管内的压力为第1设定压力以下的情况下，该控制部将用于使第1开闭阀关闭的关闭信号向开闭阀控制器输出。
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公开(公告)号：CN101488449B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910001283.0
申请日：2009-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/203 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/02186 , C23C16/409 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45531 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种包括半导体处理装置和对所述半导体处理装置供给处理气体的气体供给装置的半导体处理系统，其包括控制用于调整汽化室内的压力的压力调整机构的动作的控制部。控制部按照以下方式预先设定，即根据压力检测部的压力检测值将汽化室内的压力收敛在规定的压力范围内。规定的压力范围由上限值和下限值规定，所述上限值设定为比由于压力的上升而阻碍液体原料的汽化的第一界限值低，所述下限值设定为比由于压力的下降而液体原料的汽化变得不稳定汽化室内的压力开始脉动的第二界限值高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101438091B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200680054549.2
申请日：2006-06-02
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F17D1/04 , Y10T137/87177 , Y10T137/87885
Abstract: 小型、经济的气体供给单元和气体供给系统。气体供给单元(11A)安装在工作气体输送管路上，并且具有通过流路模块(12—17)连通且控制工作气体的流体控制装置(2—6，9)。气体供给单元具有第一流路模块(14)，包括在流体控制装置内的入口开关阀(4)固定至其一侧，且气体供给单元还具有第二流路模块(17)，包括在流体控制装置内的净化阀(9)固定至其一侧。第一流路模块(14)和第二流路模块(17)在垂直于工作气体的输送方向的方向上层叠。入口开关阀(4)和净化阀(9)设置在质量流控制器(5)和安装表面之间，其中所述质量流控制器(5)安装在工作气体输送管路上，单元(11A)安装在所述安装表面内。
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公开(公告)号：CN101285178B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810086915.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4486
Abstract: 本发明提供一种汽化器和半导体处理系统，其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器，包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间，在容器的内侧面和下部热交换体之间规定与助起动空间连接的环状空间。内部加热器配置在下部热交换体的内部空间中。内部加热器作成利用陶瓷密封编织有多个碳纤维束的碳线的结构。内部加热器加热通过环状空间的雾状液体原料生成处理气体。
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公开(公告)号：CN101438091A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200680054549.2
申请日：2006-06-02
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F17D1/04 , Y10T137/87177 , Y10T137/87885
Abstract: 小型、经济的气体供给单元和气体供给系统。气体供给单元(11A)安装在工作气体输送管路上，并且具有通过流路模块(12－17)连通且控制工作气体的流体控制装置(2－6，9)。气体供给单元具有第一流路模块(14)，包括在流体控制装置内的入口开关阀(4)固定至其一侧，且气体供给单元还具有第二流路模块(17)，包括在流体控制装置内的净化阀(9)固定至其一侧。第一流路模块(14)和第二流路模块(17)在垂直于工作气体的输送方向的方向上层叠。入口开关阀(4)和净化阀(9)设置在质量流控制器(5)和安装表面之间，其中所述质量流控制器(5)安装在工作气体输送管路上，单元(11A)安装在所述安装表面内。
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公开(公告)号：CN101144181A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710139047.6
申请日：2007-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，在卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路内形成第一环境。设定上述第一环境，使上述卤素酸性气体的平均分子量为20～23。该使用方法从上述气体供给源，通过已形成上述第一环境的上述上游气体流路和上述流量控制器，供给上述卤素酸性气体，并将含有上述卤素酸性气体的清洁气体供给至上述成膜装置的反应室内。利用这样供给的上述清洁气体蚀刻并除去附着在上述反应室内面的副生成物膜。
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公开(公告)号：CN101122013A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140837.6
申请日：2007-08-10
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F16K27/003 , F15B13/0821 , Y10T137/87885
Abstract: 为提供具有较小底部空间的吹扫气体单元和吹扫气体供应集成单元，所述吹扫气体单元包括：输入块，该输入块用于将吹扫气体输入到所述吹扫气体单元中，所述输入块包括穿过所述输入块形成以在所述输入块的侧表面中提供开口的吹扫通道、和从所述吹扫通道分叉形成的输入通道；输出块，该输出块用于从所述吹扫气体单元输出所述吹扫气体；以及连通块，该连通块连接至所述输入块和所述输出块，以提供在所述输入块和所述输出块之间的连通。
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