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公开(公告)号：CN101438091B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200680054549.2
申请日：2006-06-02
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F17D1/04 , Y10T137/87177 , Y10T137/87885
Abstract: 小型、经济的气体供给单元和气体供给系统。气体供给单元(11A)安装在工作气体输送管路上，并且具有通过流路模块(12—17)连通且控制工作气体的流体控制装置(2—6，9)。气体供给单元具有第一流路模块(14)，包括在流体控制装置内的入口开关阀(4)固定至其一侧，且气体供给单元还具有第二流路模块(17)，包括在流体控制装置内的净化阀(9)固定至其一侧。第一流路模块(14)和第二流路模块(17)在垂直于工作气体的输送方向的方向上层叠。入口开关阀(4)和净化阀(9)设置在质量流控制器(5)和安装表面之间，其中所述质量流控制器(5)安装在工作气体输送管路上，单元(11A)安装在所述安装表面内。
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公开(公告)号：CN101438091A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200680054549.2
申请日：2006-06-02
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F17D1/04 , Y10T137/87177 , Y10T137/87885
Abstract: 小型、经济的气体供给单元和气体供给系统。气体供给单元(11A)安装在工作气体输送管路上，并且具有通过流路模块(12－17)连通且控制工作气体的流体控制装置(2－6，9)。气体供给单元具有第一流路模块(14)，包括在流体控制装置内的入口开关阀(4)固定至其一侧，且气体供给单元还具有第二流路模块(17)，包括在流体控制装置内的净化阀(9)固定至其一侧。第一流路模块(14)和第二流路模块(17)在垂直于工作气体的输送方向的方向上层叠。入口开关阀(4)和净化阀(9)设置在质量流控制器(5)和安装表面之间，其中所述质量流控制器(5)安装在工作气体输送管路上，单元(11A)安装在所述安装表面内。
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公开(公告)号：CN102356451A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012229.7
申请日：2010-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4402 , C23C16/448 , C23C16/4488 , C23C16/452 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种处理装置。其包括用于对被处理体进行处理的处理容器，其包括：气体供给流路，其至少一部分由金属构成，并且用于将含有卤素的腐蚀性气体向上述处理容器内供给；稳定化反应处理部，其具有能量产生器和障碍物中的至少一种，该能量产生器用于向在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体供给光能或者热能，该障碍物被设置成通过使在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体与该障碍物碰撞而产生作用于上述腐蚀性气体的碰撞能量，该稳定化反应处理部用于进行利用上述光能、热能以及碰撞能量之中的至少一种使包含上述腐蚀性气体所含有的卤素和上述金属的化合物稳定化的反应；捕捉部件，其用于对在上述稳定化反应处理部中被稳定化的化合物进行捕捉。
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公开(公告)号：CN101547549A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200810189270.6
申请日：2008-12-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/4622 , H05H2240/10 , H05H2245/123 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供可只对配管等具有足够长的环状构件、具有复杂内部形状的构件的内表面进行成膜处理的等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体。该等离子体处理装置包括：用于产生电磁波的电磁波产生源；将上述电磁波引导到等离子体点火区域的电磁波引导部；利用被引导到上述等离子体点火区域的电磁波在内部空间内对电磁波激励等离子体点火的电介质制的真空容器；具有与上述真空容器真空连接的内部空间的被处理体；对上述被处理体施加用于在上述被处理体的内表面上形成衬层的规定电压的电压施加部件，该等离子体处理装置用由形成在上述被处理体的内表面上的衬层引导到上述被处理体的内部的电磁波激励等离子体来处理上述被处理体的内表面。
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公开(公告)号：CN101284199A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810091619.2
申请日：2008-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B01D46/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4402 , C23C14/564 , Y10S55/15
Abstract: 本发明涉及的气体供给系统，包括：设置于向半导体制造装置供给气体的气体供给通路的气体过滤器；和设置在所述气体供给流路的比所述气体过滤器的配设位置更靠下游侧的位置，使所述气体供给流路内流通的气体所包含的挥发性金属成分液化并去除的金属成分去除器。由此，在通过气体供给流路向半导体制造装置供给腐蚀性气体时，防止通过气体过滤器无法去除的挥发性金属成分的混入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1933901A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009276.5
申请日：2005-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B01J4/00 , G05D7/06 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: G05D7/0658 , B01J4/008
Abstract: 本发明的基板处理装置设置有从设置在供给处理气体的气体供给系统的处理室(11)的入口附近的开关阀(13d、14d)的上游侧分支，并连接到排气管(17)的分支配管(18)。在该分支配管(18)上插入气体流量检测机构(19)，并设置用于将流路切换到处理室(11)侧和分支配管(18)的开关阀(13h、14h)。气体流路检测机构(19)使气体在电阻体中流通并测量其两端的压力来从压力差中检测出气体流量。通过该检测值，检测或校正质量流量控制器(13a、14a)。
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公开(公告)号：CN108292598B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201680069784.0
申请日：2016-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。
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公开(公告)号：CN105122432A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480022312.0
申请日：2014-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN101256940B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810082230.1
申请日：2008-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4402 , C23C16/4404 , C23C16/45561 , C30B25/14 , C30B31/16 , H01J37/3244 , Y02E60/34
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置的气体供给系统和气体供给集成单元。气体供给系统用于从气体供给源向半导体制造装置的处理部供给规定的气体。该气体供给系统具有与气体供给源和处理部连接的气体供给流路。气体供给流路包括多个流体控制设备(手动阀、减压阀、压力计、单向阀、第一截止阀、第二截止阀、质量流量控制器、气体过滤器)，和连接在这些流体控制设备之间、形成有气体的流路的流路构成部件(流路块)。这些流路构成部件由碳材料构成。由此，在向处理部供给腐蚀性气体时，能够极力抑制相对被处理基板的金属性污染物质的混入。
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公开(公告)号：CN100495659C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200680000931.5
申请日：2006-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/205 , G01F1/00 , G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0658 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置，能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正，包括：将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210)，比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置，在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压，在MFC中设定修正的设定电压。
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