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公开(公告)号:CN101032008A
公开(公告)日:2007-09-05
申请号:CN200680000931.5
申请日:2006-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/205 , G01F1/00 , G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0658 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置,能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正,包括:将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210),比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压,控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300),控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置,在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压,在MFC中设定修正的设定电压。
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公开(公告)号:CN100495659C
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200680000931.5
申请日:2006-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/205 , G01F1/00 , G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0658 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置,能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正,包括:将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210),比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压,控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300),控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置,在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压,在MFC中设定修正的设定电压。
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