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公开(公告)号：CN1435864A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN03102283.9
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。
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公开(公告)号：CN1428873A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02160521.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/268 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/032 , B23K26/0608 , B23K26/067 , B23K26/0738 , B23K26/0853 , B23K26/10 , B23K26/702 , B23K2101/40 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L29/78603
Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。
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公开(公告)号：CN1409382A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02143428.X
申请日：2002-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , G02F1/35
CPC classification number: H01L21/02675 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/0738 , B23K26/352 , B23K2101/40 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/268 , H01L21/283 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/14625
Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。
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公开(公告)号：CN112671388B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202011559586.7
申请日：2015-10-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/00 , G11C7/04 , H01L27/12 , H01L29/04 , H01L29/78 , H01L29/786 , H10N97/00 , H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及逻辑电路、处理单元、电子构件以及电子设备。在逻辑电路中设置的保持电路能够进行电源门控。保持电路包括第一端子、节点、电容器以及第一晶体管至第三晶体管。第一晶体管控制第一端子与逻辑电路的输入端子之间的电连接。第二晶体管控制逻辑电路的输出端子与节点之间的电连接。第三晶体管控制节点与逻辑电路的输入端子之间的电连接。第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极电连接。在数据保持期间中，节点处于电浮动状态。节点的电压被电容器保持。
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公开(公告)号：CN117519454A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311475196.5
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F1/3293 , G06G7/60 , H10B10/00 , H10B12/00 , H10B41/35 , H10B43/35 , H01L29/786
Abstract: 提供一种功耗小的运算装置及电子设备。提供一种能够进行高速工作的运算装置及电子设备。提供一种能够抑制发热的运算装置及电子设备。上述运算装置包括第一运算部及第二运算部。第一运算部包括第一CPU核心及第二CPU核心。第二运算部包括第一GPU核心及第二GPU核心。CPU核心具有进行电源门控的功能且包括连接于触发器的第一数据保持电路。第一GPU核心保持模拟值且包括能够作为2位以上的数字数据读出的第二数据保持电路。第二GPU核心保持数字值且包括能够作为1位数字数据读出的第三数据保持电路。第一至第三数据保持电路分别具有包括氧化物半导体的晶体管及电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112671388A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011559586.7
申请日：2015-10-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/00 , G11C7/04 , H01L27/12 , H01L29/04 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L49/02 , H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及逻辑电路、处理单元、电子构件以及电子设备。在逻辑电路中设置的保持电路能够进行电源门控。保持电路包括第一端子、节点、电容器以及第一晶体管至第三晶体管。第一晶体管控制第一端子与逻辑电路的输入端子之间的电连接。第二晶体管控制逻辑电路的输出端子与节点之间的电连接。第三晶体管控制节点与逻辑电路的输入端子之间的电连接。第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极电连接。在数据保持期间中，节点处于电浮动状态。节点的电压被电容器保持。
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公开(公告)号：CN111033438A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054259.0
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F1/32 , G06G7/60 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种功耗小的运算装置及电子设备。提供一种能够进行高速工作的运算装置及电子设备。提供一种能够抑制发热的运算装置及电子设备。上述运算装置包括第一运算部及第二运算部。第一运算部包括第一CPU核心及第二CPU核心。第二运算部包括第一GPU核心及第二GPU核心。CPU核心具有进行电源门控的功能且包括连接于触发器的第一数据保持电路。第一GPU核心保持模拟值且包括能够作为2位以上的数字数据读出的第二数据保持电路。第二GPU核心保持数字值且包括能够作为1位数字数据读出的第三数据保持电路。第一至第三数据保持电路分别具有包括氧化物半导体的晶体管及电容器。
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公开(公告)号：CN107424927A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710291791.1
申请日：2012-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/477 , H01L21/324 , H01L29/66409
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。
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公开(公告)号：CN1822351B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN200510138045.6
申请日：2005-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02532 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/84 , H01L23/544 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L2221/6835 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/6677 , H01L2224/16 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/85 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01Q1/38 , H01Q9/285 , H01Q23/00 , Y10S438/982 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 半导体器件及其制造方法，本发明的目的在于提供一种通过不同于专利文献1中公开的方法从衬底分离薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的电路或半导体器件，并将该薄膜晶体管和电路或半导体器件移位到具有柔性的衬底上的方法。根据本发明，在绝缘膜处形成了大开口或多个开口，在开口处形成了连接薄膜晶体管的导电膜，以及移除了剥离层，然后，将具有薄膜晶体管的层移位到提供有导电膜等的衬底上。根据本发明的薄膜晶体管具有通过激光照射结晶化的半导体膜，并且防止不必用激光照射的剥离层暴露在激光照射下。
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公开(公告)号：CN1915572B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200610126206.4
申请日：2002-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B23K26/06 , B23K26/073 , G02B27/09 , H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/84
Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。
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