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公开(公告)号：CN102184891B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201110062354.5
申请日：2004-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法。用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。
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公开(公告)号：CN1523668B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200410003980.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1214 , H01L27/3209 , H01L27/3227 , H01L29/78603 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，该半导体器件具有的集成电路有以下特点：使用价格低廉的玻璃衬底；能够应付信息量的增加；高性能；且能高速工作。一种具有通过将在不同衬底上形成的半导体元件转移以层叠的半导体元件的半导体器件，其中，在所述层叠的半导体元件之间形成有由树脂形成的膜以及形成在一部分区域中的金属氧化物，并且，在和所述层叠的半导体元件中的一个半导体元件电连接的发光元件中，第一电信号被转换为光信号，且在和所述层叠的半导体元件中的另一个半导体元件电连接的光接收元件中，所述光信号被转换为第二电信号。
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公开(公告)号：CN100585908C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200310120283.5
申请日：2003-12-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/524 , H01L51/5259 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的是提供一种发光器件及其制造方法，该发光器件具有防止氧和潮气到达发光元件的结构。而且，本发明用少的工艺步骤将发光元件用塑料衬底密封而无须封入干燥剂。本发明在粘合提供有发光元件的柔性衬底11和柔性衬底12时，像素区13被其中包含用来维持两个衬底之间间隙的间隙材料(填充剂，细小颗粒等)的第一密封材料16(其粘度大于第二密封材料)环绕着，扩展滴注的几滴透明的第二密封材料17a并使其填充像素区，用第一密封材料和第二密封材料来密封两个衬底。
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公开(公告)号：CN100530576C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200310123567.X
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/50 , H01L25/065 , H01L25/18
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN100487893C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200310123922.3
申请日：2003-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/075 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L23/34
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/1214 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8319 , H01L2224/83205 , H01L2224/838 , H01L2224/83805 , H01L2224/83851 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0665 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01003 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2224/05541 , H01L2224/05005 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明通过使用转移技术，提供由薄膜形成的多个元件形成层集成的半导体芯片。本发明利用转移技术先暂时从衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并转移到其他衬底上，然后再从另一个衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并将其转移层叠到先前的元件形成层上，如此重复就可以实现常规三维组装的半导体芯片所没有实现的薄膜化，形成高集成化的半导体芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100391004C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200380102641.8
申请日：2003-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L23/291 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L51/0002 , H01L51/0021 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L2221/68368 , H01L2924/0002 , Y10S438/928 , Y10S438/982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是：提供一种不使被剥离层受到损伤的剥离方法，其不仅是具有小面积的被剥离层的剥离，还能成品率很高地进行具有大面积的被剥离层的全面剥离。此外，本发明的课题是提供一种在各种基材上粘贴被剥离层并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。特别是，提供一种在柔性薄膜上粘贴以TFT为代表的各种元件(薄膜二极管、由硅的PIN结构成的光电变换元件或硅电阻元件)并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。本发明的解决方法是：在基板上设置金属层(11)，再接在上述金属层(11)上设置氧化物层(12)，进而形成被剥离层(13)，如果以激光照射上述金属层(11)从而进行氧化形成金属氧化层(16)，就能够以物理手段在金属氧化物层(16)的层内或者金属氧化物层(16)和氧化物层(12)的界面上进行很好的分离。
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公开(公告)号：CN100388411C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200310124240.4
申请日：2003-12-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2924/3025
Abstract: 一种分离方法，包括步骤：依此次序形成金属膜、第一氧化物和含有氢的半导体膜；将支撑物粘接到含有该第一氧化物和该半导体膜的释放层，并从提供有该金属层的衬底通过物理方法分离粘接到该支撑物的该释放层。在分离方法中，进行热处理以便使半导体膜中含有的氢扩散，通过还原在金属膜和第一氧化物膜之间的表面边界处形成的第二氧化物来形成第三氧化物，并分离含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜、含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该金属膜之间的表面边界，或含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该第一氧化物之间的表面边界。
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公开(公告)号：CN1517948A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310123564.6
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/02
CPC classification number: G06K19/077 , G06K19/07703 , G06Q20/105 , G06Q20/3415 , G07F7/1008 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01005 , H01L2224/45147
Abstract: 本发明的目的是提供一种高功能智能卡，该智能卡可以防止更换脸部相片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部相片以外的图像。具有显示器件和多个薄膜集成电路的智能卡，该卡用多个薄膜集成电路控制显示器件的驱动，用于显示器件以及多个薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，多个薄膜集成电路被层叠，显示器件和多个薄膜显示器件被搭载到同一个印刷线路板上，智能卡的厚度在0.05mm－1mm的范围内。
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公开(公告)号：CN1516253A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310123567.X
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/50 , H01L25/065 , H01L25/18
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN1508844A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310120685.5
申请日：2003-12-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02667 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2223/54473 , H01L2224/1134 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/29198 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/92247 , H01L2225/06524 , H01L2225/06555 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的目的是在不实施造成裂缝以及研磨痕迹的背面研磨处理的情况下，提供一种封装以及其制作方法，该封装可以使芯片飞跃性地变薄，而且可以制作出低成本并且高产量的芯片，还可以抑制芯片厚度的不均匀。本发明用连续振荡的激光晶化形成在作为支撑物发挥作用的衬底上的膜的厚度等于或少于500nm的半导体薄膜，然后用该晶化过的半导体膜形成芯片，该芯片具有总膜厚为5μm，优选等于或少于2μm的薄膜的半导体元件。并且，在最后衬底被剥离的状态下，该芯片被安装到内插板。
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