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公开(公告)号：CN107039344A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710057126.6
申请日：2017-01-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L23/3171 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L2224/80801 , H01L2924/15323 , H01L21/56 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/16227 , H01L2224/8102 , H01L2224/81048 , H01L2224/81815
Abstract: 一种元件芯片的制造方法、电子部件安装构造体及其制造方法，能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。在对具有多个元件区域且元件面被绝缘膜覆盖的基板进行分割而制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中，将基板暴露于第一等离子体，从而将基板分割为元件芯片，成为使具备第一面、第二面以及侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在载体上且使侧面和绝缘膜露出的状态。然后，将元件芯片暴露于第二等离子体，从而将露出的侧面中的与绝缘膜相接的区域部分地除去而形成凹陷部，并通过第三等离子体从而用保护膜覆盖凹陷部，抑制安装过程中导电性材料向侧面爬升。
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公开(公告)号：CN106024682A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610034741.0
申请日：2016-01-19
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 一种等离子处理装置，对保持于输送载体的基板进行等离子处理，输送载体具备保持片和配置在保持片的外周部的框架，基板保持于保持片，等离子处理装置具备：反应室；配置在反应室的内部，搭载输送载体的工作台；具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构；在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部；和使支撑部相对于工作台升降的升降机构，1)使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时，保持片的外周部与工作台接触前，静电吸附机构开始向电极部施加电压，或2)电极部具备配置为同心圆状的多个环形电极，在使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时，静电吸附机构从多个环形电极的中心侧依次向外周侧施加电压。
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公开(公告)号：CN103718284B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280037016.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/201 , H01L21/67069 , H01L21/68764 , H01L21/68785
Abstract: 干法蚀刻装置(1)具备搬运基板(5)的托架(3)。在托架(3)设有可收容(3)枚基板(5)的作为贯通孔的基板收容孔(4A～4C)。基板(5)被从基板收容孔(4A～4C)的孔壁突出的基板支撑部(11)支撑。在产生等离子体的腔室(2)内设有平台(21)。平台(21)具备基板载置部(27A～27C)，该基板载置部(27A～27C)从托架(3)的下面插入基板收容孔(4A～4C)、并且在作为其上端面的基板载置面(28)载置从基板支撑部(11)交付的基板(5)的下面。能够抑制装置的大型化同时，实现针对方形基板的高的形状控制性和良好的生产性。
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公开(公告)号：CN105390359A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510514504.X
申请日：2015-08-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，对传送载体所保持的基板等离子体处理时，提高产品的成品率。传送载体具备框架和覆盖框架的开口的保持片，基板被保持片保持，该装置具备：传送机构，传送保持有基板的传送载体；位置计测部，计测基板相对于框架的位置；等离子体处理部，具备等离子体处理台和罩体，等离子体处理台载置保持有基板的传送载体，罩体覆盖在等离子体处理台上载置的框架和保持片的至少一部分，且具有使基板的至少一部分露出的窗部；控制部，基于由位置计测部计测的基板相对于框架的位置信息，以使窗部和基板满足预定的位置关系的方式控制传送机构将保持基板的传送载体载置于等离子体处理台。
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公开(公告)号：CN115136283A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202080096277.2
申请日：2020-12-04
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/461
Abstract: 电子部件的清洁方法具备：准备工序，准备具备被保护膜覆盖的第1面、所述第1面的相反侧的第2面、位于所述第1面与所述第2面之间的侧壁、和附着于所述侧壁的附着物的电子部件；和侧壁清洁工序，清洁所述电子部件的所述侧壁，所述侧壁清洁工序具备：沉积工序，使用第1等离子，在所述保护膜以及所述附着物的表面沉积第1膜；和去除工序，使用第2等离子，将所述附着物的至少一部分同沉积于所述附着物的表面的所述第1膜一起去除，在所述侧壁清洁工序中，交替重复多次所述沉积工序和所述去除工序，以使得所述保护膜残存。据此，能在减少给电子部件带来的伤害的同时清洁侧壁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558541B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201610825780.2
申请日：2016-09-14
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升的元件芯片的制造方法。在对具有多个元件区域的基板进行分割来制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中所利用的等离子处理工序之中，通过使基板暴露于第1等离子体中，从而将基板分割为元件芯片(10)，具备第1面(10a)、第2面(10b)以及连结第1面(10a)和第2面(10b)的侧面(10c)的元件芯片(10)在载体(4)上成为相互空出间隔被保持的状态。通过使这些元件芯片(10)暴露于以氟化碳和氦的混合气体为原料气体的第2等离子体中，由此形成覆盖侧面(10c)的保护膜(12c)，来抑制安装过程中的导电性材料向侧面(10c)的爬升。
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公开(公告)号：CN106560915B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201610865508.7
申请日：2016-09-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种元件芯片的制造方法和电子部件安装结构体的制造方法。在将在元件区域形成了元件电极露出的凸部的基板进行分割来制造多个元件芯片(10)的元件芯片的制造方法中，通过蚀刻将基板进行分割后，使元件芯片(10)暴露于第2等离子体(P2)，由此在元件芯片(10)的第2面(10b)、侧面(10c)、空隙部(S)的第1面(10a)，形成由氟碳膜构成的保护膜，接下来使元件芯片(10)暴露于第3等离子体(P3)，由此使形成于空隙部(S)的保护膜的至少一部分残留，去除形成在元件芯片(10)的第2面(10b)、侧面(10c)的保护膜。由此，通过残留的保护膜来抑制安装过程中的导电性材料的爬升。
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公开(公告)号：CN105895488B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201510931460.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4586 , C23C16/466 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/32724 , H01L21/67109 , H01L21/67132 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/68785
Abstract: 本发明的等离子体处理装置以及电子部件的制造方法在对基板进行等离子体处理时，高效地对基板和保持该基板的搬运载体进行冷却。等离子体处理装置对载体所保持的基板进行等离子体处理，载体具备在基板的周围配置的框架、和保持基板以及框架的保持片，等离子体处理装置具备：腔室；工作台，其配置在腔室内，且具有搭载载体的上表面；气体孔，其设置在上表面的与框架的底面对置的位置，且向工作台与载体之间供给冷却用气体；以及等离子体激发装置，其在腔室内产生等离子体。
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公开(公告)号：CN105390361B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201510546887.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，具备：腔体，具有减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，冷却台；罩体，覆盖保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板露出到等离子体的窗部；移动装置，使罩体相对于框架的相对位置移动，罩体具备：顶盖部，与载置于台上的框架相对；筒状周侧部，从顶盖部的周边缘向台侧延伸；矫正部件，从顶盖部和/或周侧部相对于载置于台上的框架突出，使框架推压台来矫正框架的歪斜。
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公开(公告)号：CN104616957B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201410558116.7
申请日：2014-10-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 置田尚吾
CPC classification number: H01J37/32724 , H01J37/321 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明涉及等离子处理装置，提升等离子处理性能和冷却性能这两者。干式蚀刻装置(1)以保持在具备框架(6)和保持片(5)的搬运载体(4)的晶片(2)为处理对象。机台(11)的电极部(13)具备静电卡盘(17)。静电卡盘(17)的上表面的隔着保持片(5)载置晶片(2)的区域是平坦部，不运用背面气体冷却。静电卡盘(17)的上表面的隔着保持片(5)载置框架(6)的区域、和晶片(2)与框架(6)间的配置保持片(5)的区域形成第1槽结构部(43)。由第1传热气体提供部(41A)介由传热气体提供孔(45、46)向由第1槽结构部(43)和搬运载体(4)划定的微小空间提供来自稀有气体源(48)的传热气体(背面气体冷却)。
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