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公开(公告)号：CN101772589B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200880101675.8
申请日：2008-07-30
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C16/4404
Abstract: 本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的机率。
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公开(公告)号：CN101242702B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200810000277.9
申请日：2008-01-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 , 塙广二 , 卡提克·雷马斯瓦米 , 道格拉斯·A·小布赫伯格 , 沙希·拉夫 , 凯洛·贝拉 , 劳伦斯·黄 , 沃尔特·R·梅丽 , 马修·L·米勒 , 史蒂文·C·香农 , 安德鲁·阮 , 詹姆斯·P·克鲁兹 , 詹姆斯·卡尔杜齐 , 特洛伊·S·德里克 , 苏比哈什·德什穆赫 , 珍妮弗·Y·孙
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01L21/67069 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供了一种等离子体反应器，所述等离子体反应器包括面向工件支撑底座的顶电极和在底座中的底座电极，以及耦接到所述顶电极和所述底座电极中的相同或不同电极的具有不同频率的第一和第二VHF功率源。所述第一和第二VHF功率源分别具有充分高和充分低的频率，以在腔室内分别生成中心高和中心低的等离子分布非均匀性。所述反应器还包括控制器，该控制器程序化以改变第一和第二VHF功率源的相对输出功率电平以：(a)当等离子体离子分布具有显著的边缘高非均匀性时，增加第一VHF功率源的相对输出功率电平；以及(b)当等离子体离子分布具有显著的中心高非均匀性时，增加第二VHF功率源的相对输出功率电平。
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公开(公告)号：CN102860138A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180021201.4
申请日：2011-07-06
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32082 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01L21/67069 , Y10T428/13
Abstract: 本发明揭示一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体，该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由腔室侧壁、底壁及衬管组件组成。该腔室侧壁及该底壁界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体。该衬管组件设置在该处理容积内部，该衬管组件包含两个或两个以上狭槽，该狭槽在衬管组件上形成，该狭槽用于提供轴向对称的射频电流路径。该支撑组件支撑基板，以在该腔室主体内部进行处理。本发明使用具有若干对称狭槽的衬管组件，可防止该衬管组件的电磁场产生方位角不对称现象。
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公开(公告)号：CN101355004B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810134627.0
申请日：2008-07-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯 , 卡洛·贝拉 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 塙广二 , 安德鲁·源 , 史蒂文·C·香农 , 劳伦斯·黄 , 小林聪 , 特洛伊·S·德特里克 , 詹姆斯·P·克鲁斯
IPC: H01J37/00 , H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/20 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/32697 , H01J37/32834
Abstract: 本发明提供了用电旁路元件减小电歪斜的等离子体反应器。通过设置旁路电流路径来将RF接地返回电流从反应器室的非对称特征绕开。一种旁路电流路径避开了室底板中的泵送端口，并包括从侧壁向接地的基座基部延伸的导电对称格栅。另一种旁路电流路径避开了晶片狭缝阀，并包括导电带的阵列，导电带的阵列将狭缝阀占据的侧壁部分桥接。
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公开(公告)号：CN101189772A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680014183.6
申请日：2006-04-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01T23/00
CPC classification number: H01L21/68742 , H01L21/6831
Abstract: 用在对工件进行处理的反应器中的升降销组件包括大致平行于升降方向延伸的多个升降销。多个升降销的每个具有用于支撑工件的顶端和底端。升降台面向升降销的底端，并在大致平行于升降方向的方向上移动。小力检测器感测由升降销施加的力，该力足够大以指示所夹持的晶片，并且足够小以避免晶片脱离夹持。大力检测器感测在足以使晶片脱离夹持的范围中由升降销施加的力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109075067A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027603.2
申请日：2017-06-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杨扬 , 露西·陈 , 杰·周 , 卡提克·雷马斯瓦米 , 肯尼思·S·柯林斯 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 刘菁菁 , 史蒂文·莱恩 , 贡萨洛·蒙罗伊 , 詹姆斯·D·卡达希
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 提供用于形成具有期望的膜密度、机械强度及光学膜性质的类金刚石碳层的方法。在一个实施方式中，形成类金刚石碳层的方法包括下列步骤：在设置于处理腔室中的基板的表面上方产生电子束等离子体，以及在该基板的该表面上形成类金刚石碳层。所述类金刚石碳层由电子束等离子体工艺形成，其中类金刚石碳层作为半导体应用中的蚀刻工艺中的硬模层。所述类金刚石碳层可通过以下步骤形成：轰击设置在处理腔室中的含碳电极，以在设置于处理腔室中的基板的表面上方的含碳气体混合物中产生次级电子束，和在基板的表面上由该气体混合物的元素形成类金刚石碳层。
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公开(公告)号：CN109075059A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680084797.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H05H1/46 , H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理腔室的气体分配板组件，在一个实施例，该气体分配板组件包括主体、底板与穿孔面板，该主体由金属材料制成，该底板包含与该主体耦接的硅渗入的金属基质复合物，该穿孔面板包含通过黏接层与底板耦接的硅盘。
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公开(公告)号：CN103094044B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201210548832.8
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN102054648B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201010240684.4
申请日：2010-07-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 萨姆尔·班纳 , 瓦伦丁·N·托多罗夫 , 肯尼思·S·柯林斯 , 安德鲁·阮 , 马丁·杰夫·萨利纳斯 , 陈志刚 , 安库尔·阿加瓦尔 , 阿尼茹达·帕 , 王泽江
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供双模电感耦合等离子体反应器及所述双模电感耦合等离子体反应器的使用方法。在一些实施方式中，双模电感耦合等离子体处理系统可包括处理腔室，该处理腔室具有介质盖和设置在该介质盖上方的等离子体源组件。该等离子体源组件包括多个线圈，该线圈配置为将RF能量感应耦合至处理腔室以在所述处理腔室中形成并维持等离子体，用于调整施加给该多个线圈中每个线圈的RF电流的相对相的相控制器，以及耦合至该相控制器和该多个线圈的RF产生器。
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公开(公告)号：CN102056391B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201010240683.X
申请日：2010-07-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 陈志刚 , 沙希·拉夫 , 肯尼思·S·柯林斯 , 马丁·杰夫·萨利纳斯 , 萨姆尔·班纳 , 瓦伦丁·N·托多罗夫
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供用于等离子体处理的设备。在一些实施方式中，RF馈电结构包括将RF功率耦合到多个对称布置的堆叠的第一RF线圈元件的第一RF馈电器；围绕所述第一RF馈电器同轴设置并与所述第一RF馈电器电绝缘的第二RF馈电器，所述第二RF馈电器将RF功率耦合到多个对称布置的堆叠的第二RF线圈元件，其中所述第二RF线圈元件与所述第一RF线圈元件同轴设置。在一些实施方式中，等离子体处理设备包括第一RF线圈；围绕所述第一RF线圈同轴设置的第二RF线圈；第一RF馈电器，所述第一RF馈电器耦接到所述第一RF线圈以将RF功率提供到所述第一RF线圈；以及围绕所述第一RF馈电器同轴设置并与所述第一RF馈电器电绝缘的第二RF馈电器，所述第二RF馈电器耦接到所述第二RF线圈以将RF功率提供到所述第二RF线圈。
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