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公开(公告)号：CN118289964A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410418819.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: C02F9/00 , C02F1/00 , C02F1/52 , C02F3/30 , C02F3/34 , C02F101/30 , C02F103/34
Abstract: 本发明提供一种半导体有机废水零排泥处理方法，涉及半导体废水处理技术领域，先将高浓度有机废水、低浓度有机废水进行混凝沉淀得到预处理废水；再将预处理废水进行微生物水解酸化，在水解酸化过程中同时加入氮肥、磷肥，得到第一处理废水，将第一处理废水进行微生物接触氧化，得到第二处理废水，以使COD降低；将第二处理废水进行沉淀，泥水分离后，废水外排，污泥回流回用；根据出水的指标控制氮肥、磷肥的加入量，使得微生物数量处于动态平衡中，以使微生物在有效降解废水中有机物的同时还不会因为微生物菌种的大量增值导致剩余污泥产生，以实现剩余污泥量的排放量降低甚至为零，进而大幅减少污泥处理成本。
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公开(公告)号：CN118223110A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410346859.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种单晶硅棒的电阻率调节方法，涉及半导体材料制备和材料掺杂技术领域，该方法包括以下步骤：步骤1：配制原料、化料、化料完毕后进行单晶硅拉制；步骤2：在放肩开始后及在等径开始前结束拉晶，并将拉制的肩状硅体取出；步骤3：针对肩状硅体进行电阻率测试；步骤4：判断肩状硅体的实测电阻率是否在目标打靶电阻率范围内；若是则继续进行单晶硅拉制；若超出目标打靶电阻率，则根据预先确定的补掺标准向硅熔体中补掺掺杂剂；并利用补掺掺杂剂后的硅熔体继续进行单晶硅拉制。本方案能够实现晶棒电阻率的准确控制，从而提高晶棒的合格率，同时节省制备目标电阻率晶棒的时间和经济成本。
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公开(公告)号：CN118087022A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410311200.2
申请日：2024-03-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种防止晶棒掉落的稳定装置及稳定方法。包括：内环、移动装置以及夹紧装置；内环为筒状，内设于单晶炉的上炉筒内，并与上炉筒固定连接，内环的轴向方向与上炉筒的轴向方向一致；内环沿径向方向对称设置有两个缺口，且缺口沿内环的轴向方向延伸；移动装置安装于缺口内，以沿着上炉筒的轴向方向移动；夹紧装置安装于移动装置远离上炉筒侧壁的侧面，并沿上炉筒的径向方向伸缩，以在移动装置带动夹紧装置移动至对应位置时，夹紧装置沿上炉筒的径向方向向晶棒伸出，以在接触晶棒后夹紧晶棒。在冷却工序及取棒工序中通过本发明的防止晶棒掉落的稳定装置对晶棒进行夹紧，从而防止晶棒掉落。
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公开(公告)号：CN117626413A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311631502.X
申请日：2023-11-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种单晶生长过程中固液界面形状的调整方法，属于晶体生长技术领域，本发明通过根据产品需求参数和热场条件，确定出拉晶预调整工艺参数的上下限范围，在该上下限范围内设定不同值进行拉晶试验，然后对拉制的试验晶棒进行取样检测得到固液界面形状，基于各设定值与其对应的固液界面形状，建立该拉晶预调整工艺参数与固液界面形状的变化关系，然后基于这种变化关系在单晶生长过程中调整该工艺参数，进而调整固液界面形状，以减小固液界面形状变化对单晶硅径向性质平均性的影响，提高晶体径向性质的均匀性，并更好的调控晶体缺陷的面内分布，得到高品质、高均匀性的单晶产品。
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公开(公告)号：CN117607150A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311587554.1
申请日：2023-11-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及单晶硅检测领域，具体涉及一种重掺硼硅单晶轴状位错缺陷的检测方法，该检测方法包括下列步骤：先从待检测的重掺硼晶棒上截取样片，后将该样片放入碱性腐蚀液中进行腐蚀，并在腐蚀结束后清洗该样片；然后在暗室中通过肉眼观察该样片的待测面上是否有短线，若观察到短线，则将短线标记出来；最后通过显微镜对样片待测面上有标记的位置进行观测，以确认该短线是否为位错缺陷，完成对重掺硼硅单晶轴状位错缺陷的检测；本发明采用碱腐蚀法对样片的待测面进行腐蚀，通过该方法得到的样片表面光滑，能够清楚地观察到该样片待测面上的位错缺陷，并且腐蚀时间短，缩短了位错检测的时间，提高了检测效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117604613A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311617055.2
申请日：2023-11-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种单晶炉热场及单晶炉及改善轻掺硼硅单晶OISF的方法，属于单晶硅制造技术领域，所述单晶炉热场包括炉体、断热材、坩埚、底加热器、侧加热器、热屏，炉体内部设置有断热材，断热材内设置有坩埚，坩埚与断热材之间设置有侧加热器和底加热器，坩埚上方设置有热屏，侧加热器的上端延伸至与坩埚上端面齐平，断热材包括从上到下依次设置的上环、中环、下环，中环的厚度与下环的厚度一致，热屏为上下开口的筒状结构，用于引导氩气气流方向，所述热屏的内侧从上至下梯次排布有第一竖直面、内凹弧面、第二竖直面，以延长氩气流动的路径，使氩气流出时带走的溶汤热量减少。采用该单晶炉热场拉晶，在改善轻掺硼硅单晶OISF的同时可以提高成晶率，降低运行时间。
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公开(公告)号：CN117445210A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311443425.5
申请日：2023-11-01
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种改善硅片脏污的方法，属于砂浆线切片工艺技术领域，包括：根据每刀加工后砂浆罐内残留的硅粉含量，向砂浆罐内添加预定比例的有效分子添加剂，利用有效分子添加剂降低硅片表面附着的硅粉含量，以改善硅片脏污；所述有效分子添加剂包括聚乙二醇、二甲肼、丙二醇、乙醚、聚醚、活性剂。
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公开(公告)号：CN117305974A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311274284.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善重掺砷杂质管道的拉晶方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，通过控制晶体的生长速率、固液界面的温度梯度及熔体中的对流，使得热传导沿着径向方向传输均匀，晶体生长过程中固液界面平坦，不会在高掺杂浓度长晶过程中形成中心富集进而不会形成杂质管道，使得器件端的正品率提升。
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公开(公告)号：CN117248268A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311232017.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低 晶向掺锑单晶电阻率径向变化率的方法及单晶晶棒，涉及 晶向单晶硅拉晶技术领域，在重掺拉制晶棒时，当晶棒进入等径阶段时，通过在预定等径长度内调整晶棒的拉速进行晶棒拉制，一方面，改善固液界面形状，从而中心电阻率和边缘电阻率偏差降低，使得晶体的电阻率分布更均匀，提高材料的电子性质均匀性；另一方面，减小杂质在(111)原子密排面与其他平面区的杂质浓度，进而减小 晶向重掺单晶的小平面效应，从而降低电阻率径向变化率（RRG），提高材料的电子性质稳定性，应用更加广泛。
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公开(公告)号：CN117038428A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310724899.0
申请日：2023-06-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 一种改善硅片电阻率性能的预处理方法，包括步骤1：利用研磨机对硅片表面进行打磨，以使硅片表面平整；步骤2：将打磨好的硅片浸没在预先制备的碱腐蚀液中进行碱洗；步骤3：将碱洗后的硅片浸没在预先制备的混酸溶液中进行第一次酸洗；步骤4：对酸洗后的硅片进行氧化热处理和快速冷却，以去除硅片中的热施主；步骤5：将冷却后的硅片通过混酸溶液进行第二次酸洗，得到用于进行电阻率性能测试的硅片。本方案能够提高硅片的电阻率稳定性，并能够通过去热施主的方式还原出硅片的真实电阻率，提高硅片电阻率检测的准确性。
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