公开(公告)号：CN100365794C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200480001617.X

申请日：2004-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/68 ,  B65G49/00

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67742 ,  Y10S414/139

Abstract: 本发明提供的基板处理装置具有：多个处理室(20)，用于对容纳在其内部的基板实施处理；运送箱(24)，用于将容纳的基板运送至处理室(20)；移动机构，用于使运送箱(24)沿着移动线路进行移动。运送箱(24)在被从外部气氛隔离开的状态下容纳基板。多个处理室(20)以排列在运送箱(24)的移动线路的两侧的状态而配置，运送箱(24)与被排成两列而配置的处理室(20)的运送口(20a)相对应地具有两个运送口(24a)。

公开(公告)号：CN1938447A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009990.4

申请日：2005-03-29

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C16/448 ,  H05B33/10 ,  H05B33/28

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C14/564 ,  F28D2021/0077 ,  F28F9/026 ,  F28F13/08

Abstract: 以提供成膜速度快，使均匀成膜成为可能，能够节省原料的成膜装置和成膜方法为目的，使蒸发的成膜材料通过输运气体的气体流动到达基板表面，可以通过气体的气体流动控制成膜条件，能够将均匀的膜堆积在大面积的基板上。即、通过将气化的原料引导向基板而提高成膜速度，可以均匀成膜。

公开(公告)号：CN1910746A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200580002360.4

申请日：2005-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嶋隆季 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由CF构成的绝缘膜(91)。在该绝缘膜(91)上形成含有SiCN膜(93)的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧的活性种的等离子体，形成由SiCO构成的硬掩膜用的薄膜(94)。当形成保护层时，利用含有硅和碳的活性种的等离子体，在绝缘膜(91)上形成SiC膜(92)，利用含有硅、碳和氮的活性种的等离子体，在SiC膜(92)上形成SiCN膜(93)。

公开(公告)号：CN1717796A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200480001617.X

申请日：2004-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/68 ,  B65G49/00

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67742 ,  Y10S414/139

Abstract: 本发明提供的基板处理装置具有：多个处理室(20)，用于对容纳在其内部的基板实施处理；运送箱(24)，用于将容纳的基板运送至处理室(20)；移动机构，用于使运送箱(24)沿着移动线路进行移动。运送箱(24)在被从外部气氛隔离开的状态下容纳基板。多个处理室(20)以排列在运送箱(24)的移动线路的两侧的状态而配置，运送箱(24)与被排成两列而配置的处理室(20)的运送口(20a)相对应地具有两个运送口(24a)。

公开(公告)号：CN102292798A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005296.6

申请日：2010-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀込正弘 ,  黑鸟讬也 ,  小林保男 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下述步骤：对绝缘层进行退火，和在绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层。绝缘层包括氟碳化合物(CFx)膜。在退火步骤之后，用高温溅射工艺形成阻挡层。

公开(公告)号：CN101647110B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200880010423.4

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  野沢俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/32 ,  H01L21/316 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76883 ,  Y10S438/951

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)形成具有碳和氟的气体的等离子体，和使用等离子体在衬底上形成具有氟掺杂碳膜的内绝缘膜；(b)在所述内绝缘膜上形成金属膜；(c)根据图案蚀刻所述金属膜以形成硬掩模；(d)通过利用所述硬掩模来蚀刻所述氟掺杂碳膜以在所述氟掺杂碳膜中形成凹陷部分；(e)在所述衬底上形成配线材料膜，以利用所述配线材料填充所述凹陷部分；(f)将在所述氟掺杂碳膜上过量部分的所述配线材料和所述硬掩模移除，以暴露出所述氟掺杂碳膜的表面；和(g)移除在所述氟掺杂膜表面上形成的氧化物。

公开(公告)号：CN101919031A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200980102550.1

申请日：2009-01-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/042 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835

Abstract: 提供一种非晶碳膜的处理方法，其中，所述非晶碳膜被形成在衬底上，并在被干蚀刻后实施了湿式洗涤处理，所述非晶碳膜的处理方法包括以下步骤：准备具有经湿式洗涤处理后的非晶碳膜的衬底；以及在向经湿式洗涤处理后的非晶碳膜上形成上层之前，进行非晶碳膜的表面改性处理。

公开(公告)号：CN101449365A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018769.4

申请日：2007-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松冈孝明 ,  堀込正弘

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3127 ,  C23C16/26 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明提供一种可以获得良好的泄漏特性、线膨胀系数或机械强度的加氟碳膜的技术。利用使C5F8气体和氢气活化而得的活性种来形成加氟碳膜。由于在加氟碳膜中氟与氢一起排出而减少，因此聚合得到促进。这样就会减少加氟碳膜中的碳的未结合键，泄漏电流变小。另外，由于聚合得到促进，膜变得牢固，因此可以获得硬度、弹性模量之类的机械强度大的加氟碳膜。

公开(公告)号：CN1253928C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN02804070.8

申请日：2002-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松冈孝明

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67739

Abstract: 在将LCD基板送入到热处理单元的反应容器内后，从与LCD基板的表面相对的气体供给部向LCD基板的整个表面的范围吹预先加热的热交换用氦气。通过加热器的辐射热量以及与氦气的热交换，使LCD基板的温度上升。在反应容器内，进行CVD、退火等的处理后，从气体供给部向LCD基板的整个表面的范围吹大致室温温度的热交换用气体，对LCD基板进行冷却。将经冷却的LCD基板通过运送室，返回到托架室内的托架上。

公开(公告)号：CN1515024A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN03800408.9

申请日：2003-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/205 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 由TMP(22)、干式泵(23)构成连接到处理室(13)的排气线路(15)。处理室(13)和TMP(22)通过第一排气管(25)连接，而TMP(22)和干式泵(23)通过第二排气管(28)连接。测定部(24)监视流过第二排气管(28)的排气气体中的TiCl4或NH3的分压。在处理室(13)内，将两种处理气体交替供给规定时间，如果供给的一种处理气体的排气气体中的分压减少至规定值，则控制装置(12)开始另一种处理气体的供给。