公开(公告)号：CN113451507B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202110055248.8

申请日：2021-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李璧伸 ,  金海光 ,  江法伸 ,  匡训冲

IPC: H10B63/00

Abstract: 本发明的各种实施例是关于一种电阻式随机存取存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片，所述电阻式随机存取存储器器件包含上覆衬底的数据存储结构。底部电极上覆衬底且顶部电极上覆底部电极。数据存储结构设置于底部电极与顶部电极之间。数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂物的介电材料，其中第一掺杂物与第二掺杂物不同。

公开(公告)号：CN110943160B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201910774748.X

申请日：2019-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  吴启明 ,  林杏莲 ,  江法伸

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10

Abstract: 在一些实施例中，本发明的实施例涉及集成芯片及其形成方法。该集成芯片包括设置在一个或多个互连层上方的底电极和布置在底电极上方的扩散阻挡层。数据存储层通过扩散阻挡层与底电极分隔开。顶电极位于数据存储层上方。

公开(公告)号：CN110783452B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201910119439.9

申请日：2019-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  梁晋玮 ,  林杏莲 ,  江法伸

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明的实施例提供一种相变存储器器件，包含具有安置在相变元件与介电层之间的吸气剂金属层的相变存储器结构。相变存储器结构包含介电层、底部电极、通孔、相变元件以及吸气剂金属层。介电层安置在衬底上方。底部电极上覆于介电层。通孔从介电层的底部表面延伸穿过介电层到介电层的顶部表面。相变元件上覆于底部电极。吸气剂金属层安置在介电层与相变元件之间。

公开(公告)号：CN109119532B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201711246858.6

申请日：2017-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  林杏莲 ,  蔡正原 ,  朱文定

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 本公开实施例涉及电阻式随机存取存储器装置。在一些实施例中，电阻式随机存取存储器装置包含下电极设置于导电下部内连线层上，上电极位于下电极之上，以及多层数据存储结构介于下电极与上电极之间。多层数据存储结构具有第一和第二子层。第一子层具有来自于第一组金属的第一金属、来自于第二组金属的第二金属的第一浓度以及氧。第二子层具有来自于第一组金属的第三金属、来自于第二组金属的第四金属的非零第二浓度以及氧。非零第二浓度小于第一浓度，并且使得形成于第二子层内的导电细丝宽于形成于第一子层内的导电细丝。

公开(公告)号：CN109560194B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201810172320.3

申请日：2018-03-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  林杏莲 ,  陈侠威

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本公开实施例涉及电阻式随机存取存储器装置。在一些实施例中，电阻式随机存取存储器装置包含下电极结构位于导电下内连接层上方，上电极结构位于下电极结构上方，以及转换层位于下电极结构与上电极结构之间，转换层具有转换层外侧壁。电阻式随机存取存储器装置也包含帽盖层，帽盖层具有从转换层的角落沿上电极侧壁垂直延伸的垂直部分，帽盖层也具有从转换层的角落水平延伸至转换层外侧壁的水平部分。

公开(公告)号：CN109841731B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN201810218962.2

申请日：2018-03-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  林杏莲 ,  蔡正原

IPC: H01L45/00

Abstract: 提供半导体装置结构的结构及形成方法，此方法包含在半导体基底上方形成下电极层以及在下电极层上方形成资料储存层，此方法也包含在资料储存层上方形成离子扩散阻障层以及在离子扩散阻障层上方形成覆盖层，离子扩散阻障层为掺杂氮、碳或前述的组合的金属材料，覆盖层由金属材料制成，此方法更包含在覆盖层上方形成上电极层。

公开(公告)号：CN109817662B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201811366380.5

申请日：2018-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林杏莲 ,  金海光 ,  江法伸

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/768 ,  H01L23/367 ,  H01L23/528 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构、存储器装置及用于形成半导体结构的方法。半导体结构包含第一导电层和第二导电层，以及所述第一导电层与所述第二导电层之间的存储器装置。所述存储器装置包含顶部电极、邻近于所述第一导电层的底部电极，以及所述顶部电极与所述底部电极之间的相变材料。所述底部电极包含第一部分和所述第一部分与所述第一导电层之间的第二部分。

公开(公告)号：CN110660778B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201910520717.1

申请日：2019-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张耕培 ,  张耀文 ,  金海光

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：第一衬底；金属垫，其放置于所述第一衬底上方；介电结构，其放置于所述第一衬底上方且暴露所述金属垫的一部分；接合结构，其放置于所述金属垫上方且电连接到所述金属垫；阻障环，其环绕所述接合结构；及通孔，其穿透所述第一衬底及所述介电结构。所述接合结构包含底部及侧壁，所述接合结构的所述底部与所述金属垫接触，所述接合结构的所述侧壁的第一部分与所述介电结构接触，且所述接合结构的所述侧壁的第二部分与所述阻障环接触。

公开(公告)号：CN109560040B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201811108925.2

申请日：2018-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林杏莲 ,  江法伸 ,  金海光 ,  吴启明

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本申请涉及一种包含用以增进电极粘合性的粘合层的集成电路及其形成方法。一些实施例中，集成电路包含连通柱介电层、粘合层及第一电极。粘合层上覆连通柱介电层，第一电极上覆并直接接触粘合层。粘合层在第一电极接触粘合层的界面处具有第一表面能，第一电极在界面处具有第二表面能。并且，第一表面能大于第二表面能，用以增进粘合性。

公开(公告)号：CN112670407A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010639969.9

申请日：2020-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江法伸 ,  蔡正原 ,  金海光 ,  林杏莲 ,  李璧伸

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明的实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)器件及其形成方法。在一些实施例中，可以通过在衬底上方形成第一电极结构来执行该方法。在第一电极结构上方形成掺杂的数据存储元件。通过在第一电极结构上方形成第一数据存储层以及在第一数据存储层上方形成第二数据存储层来形成掺杂的数据存储元件。第一数据存储层形成为具有第一掺杂浓度的掺杂剂，并且第二数据存储层形成为具有第二掺杂浓度的掺杂剂，该第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度。在掺杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。