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公开(公告)号：CN102956440B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210236571.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/108 , H01L27/10894 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种电容器及其制造方法，片上系统(SOC)器件包括第一区域中的第一电容器、第二区域中的第二电容器，并且还包括第三区域中的第三电容器以及附加区域中的任何附加数量的电容器。电容器可以为不同的形状和大小。区域可包括多于一个的电容器。区域中的每个电容器都具有顶部电极、底部电极和电容器绝缘体。在共用工艺中形成所有电容器的顶部电极，同时在共用工艺中形成所有电容器的底部电极。电容器绝缘体可具有不同数量的子层，由不同厚度的不同材料形成。点融资可形成在层间电介质层或金属间电介质层中。区域可以为混合信号区域、模拟区域、射频区域、动态随机存取存储器区域等。
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公开(公告)号：CN104051615A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310234123.7
申请日：2013-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元及其制造方法。RRAM单元包括晶体管和RRAM结构。该RRAM结构包括具有通孔部分和非平面部分的底部电极；共形地覆盖底部电极的非平面部分的电阻材料层；以及位于电阻材料层上的顶部电极。底部电极的通孔部分嵌入第一RRAM停止层中。底部电极的非平面部分具有顶点并且在通孔部分上方居中。本发明还提供了低形成电压的电阻式随机存取存储器(RRAM)。
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公开(公告)号：CN103811656A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310175513.1
申请日：2013-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1691
Abstract: 本发明公开了可变电阻存储结构及其形成方法，其中一种半导体结构包括可变电阻存储结构。该半导体结构还包括介电层。可变电阻存储结构位于介电层上方。可变电阻存储结构包括设置在介电层上方的第一电极。第一电极具有侧面。可变电阻层具有设置在第一电极的侧面上方的第一部分和从第一部分延伸远离第一电极的第二部分。第二电极位于可变电阻层上方。
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公开(公告)号：CN103811515A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310317125.2
申请日：2013-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1666 , H01L45/1675
Abstract: 一种存储单元和方法包括：穿过第一介电层中的第一开口共形地形成的第一电极、共形地形成在第一电极上的电阻层、共形地形成在电阻层上的间隔层、共形地形成在电阻层上的第二电极、以及共形地形成在第二电极上的第二介电层，第二介电层包括第二开口。第一介电层形成在包括第一金属层的衬底上。第一电极和电阻层共同地包括超出第一开口延伸第一距离的第一唇状区。第二电极和第二介电层共同地包括超出第一开口延伸第二距离的第二唇状区。间隔层从第二距离延伸到第一距离。第二电极使用延伸穿过第二开口的通孔连接至第二金属层。本发明还提供了逻辑兼容的RRAM结构和工艺。
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公开(公告)号：CN102956440A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210236571.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/108 , H01L27/10894 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种电容器及其制造方法，片上系统(SOC)器件包括第一区域中的第一电容器、第二区域中的第二电容器，并且还包括第三区域中的第三电容器以及附加区域中的任何附加数量的电容器。电容器可以为不同的形状和大小。区域可包括多于一个的电容器。区域中的每个电容器都具有顶部电极、底部电极和电容器绝缘体。在共用工艺中形成所有电容器的顶部电极，同时在共用工艺中形成所有电容器的底部电极。电容器绝缘体可具有不同数量的子层，由不同厚度的不同材料形成。点融资可形成在层间电介质层或金属间电介质层中。区域可以为混合信号区域、模拟区域、射频区域、动态随机存取存储器区域等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956439A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210015271.5
申请日：2012-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L28/86 , H01L23/5223 , H01L28/40 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: MIM电容器的实施例可以被嵌入到厚的IMD层中，该厚IMD层的厚度(例如，至)足以得到高电容。该厚IMD层可以位于较薄的IMD层上面。MIM电容器可以形成在三个邻近的金属层之中，这些金属层具有两个将这三个邻近的金属层分隔开的厚的IMD层。材料(诸如，TaN或TiN)可以被用作为底部/顶部电极以及Cu阻挡物。厚IMD层上面的金属层可以作为顶部电极连接件。厚IMD层下面的金属层可以作为底部电极连接件。该电容器可以具有不同形状，诸如，圆柱形或凹形。可以使用许多种类的材料(Si3N4、ZrO2、HfO2、BTS...等)作为介电材料。在形成电路的其他无电容器逻辑件时，通过一个或两个额外的掩模形成该MIM电容器。本发明还提供了一种金属绝缘体金属电容器及制造方法。
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公开(公告)号：CN102891142A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210044727.0
申请日：2012-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L28/40
Abstract: 公开了具有无方向去耦电容器的半导体器件和制造该半导体器件的方法。在一个实施例中，半导体器件包括至少一个集成电路和至少一个去耦电容器。将至少一个去耦电容器定向为与至少一个集成电路定向的方向不同的方向。
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公开(公告)号：CN101740572B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910160321.7
申请日：2009-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L23/52 , H01L23/60
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/0255 , H01L27/10811 , H01L27/10852 , H01L27/10897 , H01L28/60
Abstract: 本发明提供一种动态随机存取存储器(DRAM)元件，其具有金属-绝缘层-金属电容，此电容经由金属桥电性连接至PN结二极管，用以保护后段工艺(BEOL)中等离子体工艺所造成的电荷伤害。
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公开(公告)号：CN101677101A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910141083.5
申请日：2009-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L27/13 , H01L23/522 , H01L27/108 , H01L29/92
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L27/0629 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有反耦合电容的集成电路，包括一电路模块，其具有耦接至一对电源供应节点之间的多个有源元件；一反耦合电容模块，耦接至上述电路模块，上述反耦合电容模块包括多个金属-电容-金属电容，以串联方式耦接于上述对电源供应节点之间，其中介于上述电源供应节点之间的电压经由上述多个金属-电容-金属电容分压，因而降低施加于上述多个金属-电容-金属电容的电压应力。
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公开(公告)号：CN101207019A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710110383.8
申请日：2007-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 涂国基
IPC: H01L21/02 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/86 , H01L27/10817 , H01L27/10852
Abstract: 本发明的一个实施例公开了一种金属－绝缘层－金属电容器及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，其表面形成有第一绝缘层；于第一绝缘层上形成堆叠绝缘结构，其由多个第二绝缘层和多个第三绝缘层交错形成；形成开口于堆叠绝缘结构中以暴露出第一绝缘层的一部分；执行湿蚀刻工艺以大量去除这些第二绝缘层，及小量去除这些第三绝缘层，由此在这些第二绝缘层中沿着开口侧壁形成多个横向凹槽；形成底部电极层，其沿着开口及横向凹槽的侧壁和底部延伸；形成电容绝缘层于底部电极层上；及形成顶部电极层于电容绝缘层上。本发明的优点包括可改善材料层的品质以及减少工艺时间。
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