公开(公告)号：CN103378117A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310129824.4

申请日：2013-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁世汎 ,  赖志育 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  王俊智

IPC: H01L27/146

Abstract: 具有负电荷层的半导体图像传感器器件包括具有p型区域的半导体衬底，接近半导体衬底的正面位于p型区域中的多个辐射感应区域和接近多个辐射感应区域邻接p型区域的负电荷层。负电荷层可以是富氧氧化硅、高k金属氧化物或氮化硅，形成为浅沟槽隔离部件中的衬垫、晶体管栅极的侧壁间隔件或偏移间隔件、自对准硅化物阻挡层、位于自对准硅化物阻挡层下面的缓冲层、背表面层或它们的组合。

公开(公告)号：CN222261072U

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202420566281.6

申请日：2024-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张治平 ,  王铭义 ,  丁世汎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本实用新型提供一种集成芯片，包括半导体衬底。半导体衬底包括具有第一掺杂类型的第一区域、具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的第二区域以及具有第二掺杂类型的第三区域。光电探测器位于半导体衬底中。光电探测器至少部分地由第一区域与第二区域形成。第一电容器电极位于半导体衬底的第三区域之上。第一电容器电极包括半导体。第一绝缘体层位于第一电容器电极与第三区域之间。电容器沿着半导体衬底。电容器至少部分地由第一电容器电极、第三区域以及第一绝缘体层形成。

公开(公告)号：CN222851430U

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202421332303.9

申请日：2024-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈杰恩 ,  林政贤 ,  丁世汎 ,  林杏芝 ,  杨敦年

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本实用新型提供一种集成芯片，包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。第一晶体管和第二晶体管沿着半导体衬底的第一侧。包括多个介电层的介电结构位于半导体衬底的第一侧下方。第一金属线在介电结构内。第二金属线在介电结构内且在第一金属线下方。第一金属通孔在第一金属线和第二金属线之间延伸。衬底通孔从半导体衬底的第二侧延伸，穿过第一晶体管和第二晶体管之间的半导体衬底，到达第一金属线和第二金属线。

公开(公告)号：CN222532096U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202421149046.5

申请日：2024-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  丁世汎 ,  林政贤 ,  杨敦年

IPC: H10B12/00

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置以及半导体封装，和用于形成半导体装置的方法。半导体装置的多层结构包括金属环结构和沿着金属环结构的内部侧壁的介电侧壁结构。互连线结构(例如，硅通孔互连线结构)沿着金属环结构的中心内轴。保护层位于互连线结构和介电侧壁结构之间。在用导电材料填充空腔以形成互连线结构的沉积操作期间，保护层可以保护介电侧壁结构免受损坏，以提高半导体装置的质量和/或可靠性。

公开(公告)号：CN221447175U

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202323014172.8

申请日：2023-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄裕崴 ,  林政贤 ,  丁世汎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例涉及一种集成芯片，其包括半导体衬底以及半导体衬底中包括多个光侦测器的像素阵列。像素阵列进一步包括在半导体衬底的正面上的多个晶体管。背面接地结构延伸至半导体衬底与正面相对的背面中，并进一步沿着像素阵列的周边围绕像素阵列。背面接地结构具有从背面接地结构的底面延伸的第一倾斜侧壁，其凹陷到半导体衬底中。

公开(公告)号：CN222485203U

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202323453061.7

申请日：2023-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗宪 ,  黄正宇 ,  刘人诚 ,  周耕宇 ,  陈铭恩 ,  丁世汎

IPC: H10F39/18

Abstract: 本实用新型提供一种影像传感器，包括半导体衬底、光侦测器、上部钝化层、中间钝化层以及背侧隔离结构。所述半导体衬底，具有前侧及背侧。所述光侦测器，位于所述半导体衬底内。所述上部钝化层，位于所述背侧上。所述中间钝化层，位于所述上部钝化层与所述背侧之间，其中所述中间钝化层所具有的折射率在所述半导体衬底的折射率与所述上部钝化层的折射率之间。所述背侧隔离结构，延伸至所述背侧中以在侧向上环绕所述光侦测器，所述背侧隔离结构包括芯体及位于所述芯体与所述半导体衬底之间的介电衬垫。所述芯体包括衬底嵌入式金属栅格，所述衬底嵌入式金属栅格穿过所述中间钝化层且延伸至所述半导体衬底中。

公开(公告)号：CN219677260U

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202320887101.X

申请日：2023-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张胤杰 ,  江彦廷 ,  丁世汎 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H04N23/54

Abstract: 本实用新型提供一种图像传感器。图像传感器包括设置在衬底上的图像感测组件、邻近于图像感测组件设置的延伸接垫，以及设置在延伸接垫上的多晶硅柱。图像传感器还包括设置在图像感测组件、延伸接垫和多晶硅柱上方的绝缘层。本实用新型可以提高器件性能和可靠性。