公开(公告)号：CN118843390A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410757852.9

申请日：2024-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈杰恩 ,  林政贤 ,  丁世汎 ,  翁伟智 ,  林杏芝 ,  杨敦年

IPC: H10N97/00

Abstract: 制造金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的方法包括：形成图案化金属层；将介电材料设置在图案化金属层上；蚀刻一或多个深沟槽以穿过介电材料到图案化金属层；在介电材料上且在介电材料中所形成的一或多个深沟槽里面沉积MIM多层；以及制造至少一个三维金属‑绝缘体‑金属(3D‑MIM)电容器，其包括沉积在一或多个深沟槽中的至少一者里面的MIM多层的一部分；以及制造至少一个第二电容器，其包含至少一个浅3D‑MIM电容器，其包括沉积在一或多个浅沟槽里面的MIM多层的一部分，一或多个浅沟槽部分穿过介电材料且比一或多个深沟槽还浅，及/或至少一个二维金属‑绝缘体‑金属(2D‑MIM)电容器，其包括沉积在介电材料上的MIM多层的一部分。

公开(公告)号：CN118588685A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410582078.2

申请日：2024-05-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈杰恩 ,  林政贤 ,  丁世汎 ,  杨敦年

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的实施例通过将TSV着陆在FEOL工艺期间形成的金属连接结构上，解决了在不损坏BEOL金属互连结构的情况下将TSV连接到BEOL金属互连结构的问题。金属连接结构是根据适用于FEOL加工的设计规则生产的。金属连接结构可以包括具有晶体管级金属互连件中的布线的成分和形状的子结构以及具有金属栅极带的成分和形成的子结构。金属连接结构可以包括排列在TSV着陆区域上的多个子结构。构成金属连接结构的子结构通过通孔连接到BEOL金属互连件。本发明的实施例提供了一种集成电路器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN220693264U

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202321568375.9

申请日：2023-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈杰恩 ,  林政贤 ,  许慈轩 ,  黄正宇 ,  江伟杰

IPC: H04N25/70 ,  H01L27/146 ,  H04N25/62

Abstract: 本实用新型提供一种光学结构。在一些实施例中，光学结构包括：衬底，具有前侧及与前侧相对的后侧；多个影像感测组件，布置于衬底内；以及深沟渠隔离(DTI)结构，设置于相邻的影像感测组件之间。DTI结构自衬底的后侧在衬底内延伸至第一深度且在侧向上环绕所述多个影像感测组件。光学结构还包括形成于衬底的后侧之上的光透射层。所述光透射层包括第一侧及与衬底的后侧相邻的第二侧。光学结构还包括位于光透射层中的隐埋栅格结构，所述隐埋栅格结构自光透射层的第一侧在光透射层内延伸至第二深度。

公开(公告)号：CN222851430U

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202421332303.9

申请日：2024-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈杰恩 ,  林政贤 ,  丁世汎 ,  林杏芝 ,  杨敦年

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本实用新型提供一种集成芯片，包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。第一晶体管和第二晶体管沿着半导体衬底的第一侧。包括多个介电层的介电结构位于半导体衬底的第一侧下方。第一金属线在介电结构内。第二金属线在介电结构内且在第一金属线下方。第一金属通孔在第一金属线和第二金属线之间延伸。衬底通孔从半导体衬底的第二侧延伸，穿过第一晶体管和第二晶体管之间的半导体衬底，到达第一金属线和第二金属线。