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公开(公告)号：CN106435508A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610770888.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: C23C14/505 , C23C14/54 , G02B1/10
Abstract: 本发明公开一种折射率连续渐变的光学薄膜制备方法，包括以下步骤：一、样品台设置：提供一基底，将基底设置在通过转动轴实现转动的样品台上，且样品台的转动轴与基底表面平行，二、材料源设置：提供一蒸镀源或溅射靶材，调整蒸镀源或溅射靶材位置，使其向基底入射的方向与样品台的转动轴垂直，蒸镀源或溅射靶材入射方向与基底之间形成可变化的夹角；三、镀膜控制：蒸镀源或溅射靶材向样品台上的基底送入镀膜材料，此时不断转动样品台并控制转速，使基底与蒸镀源或溅射靶材之间的夹角在0-90°内连续变化，制得密度连续变化的光学薄膜。本发明实现蒸镀光学薄膜的折射率的连续控制，制得光学薄膜产品具有更好的光学性能，可有效增加对光的穿透或反射的控制。
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公开(公告)号：CN106025027A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557066.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构及其制造方法，包括衬底、N型层、有源层、P型层、N型半导体粗化层、透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成N型半导体粗化层，N型半导体粗化层由N型半导体材料经区域性粗化后形成的粗化区和未经粗化的电流阻挡区构成，粗化区由同一个平面上多个单独的锥形凸块组成，粗化深度为露出P型层，N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上形成与其欧姆接触的透明导电层，透明导电层上形成P电极。本发明提升了出光效率、杜绝由于电流阻挡区被打线打裂导致的掉电极现象、改善了芯片表面的电流分布。
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公开(公告)号：CN105895761A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610396403.1
申请日：2016-06-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管，在衬底上设置AlN第一缓冲层，在AlN第一缓冲层上设置交替生长的SiO2腐蚀层及AlN第二缓冲层作为腐蚀通道层；在腐蚀通道层上设置SiO2图形层并形成PSS图形，PSS图形之间露出腐蚀通道层，腐蚀通道层两两相对且相邻间隔设置，在AlN第一缓冲层、SiO2图形层的PSS图形及腐蚀通道层上设置外延结构。本发明实现高效低成本剥离，缩短工艺时间，降低制造成本，提高二极管质量。
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公开(公告)号：CN105895755A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610396426.2
申请日：2016-06-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管制作方法，在衬底上蒸镀AlN第一缓冲层；在AlN第一缓冲层上交替沉积SiO2腐蚀层与AlN第二缓冲层，构成腐蚀通道层；在腐蚀通道层上蒸镀SiO2图形层，采用光刻、掩埋、ICP蚀刻，在SiO2图形层上形成PSS图形；在凸起PSS图形之间露出的腐蚀通道层，采用光刻、掩埋、ICP蚀刻，使得腐蚀通道层设置成凸起的图形。本发明实现高效低成本剥离，缩短工艺时间，降低制造成本，提高二极管质量。
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公开(公告)号：CN105789421A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610273774.0
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法，在衬底上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一型导电层；在第一型导电层上沉积微米孔洞制作层；在微米孔洞制作层上形成上宽下窄的倒梯形微米孔洞；在孔洞内依次形成第一型导电层、有源区、电子阻挡层和第二型导电层；在微米孔洞制作层上表面形成第二型导电层，在第二型导电层上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上蒸镀导电层；依次腐蚀部分导电层、欧姆接触层、第二型导弹层、微米孔洞制作层，裸露部分第一型导电层；在第一型导电层上形成第一电极制作区，第一电极制作区形成第一电极，在导电层上形成第二电极。本发明可以多维度提高二极管发光效率，且制作工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105762246A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610259089.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/007 , H01L33/06
Abstract: 一种垂直结构发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管生产技术领域。在相邻的元胞之间的沟槽中，于其中一个元胞的N?GaN层、量子阱层和P?GaN层的同一侧蒸镀第二布拉格反射镜层；然后在沟槽中的ITO层、第一布拉格反射镜层和第二布拉格反射镜层及制有第二布拉格反射镜层的元胞的N?GaN层的外表面制作形成金属层，使相邻的两个元胞形成串联；在各个串联的元胞的一个元胞的N?GaN层上方制作N电极，在另一个无胞的ITO层上方制作P电极。本发明工艺简单、合理，方便制作，可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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公开(公告)号：CN105633240A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610152153.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/005 , H01L33/385 , H01L33/48 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开一种CSP封装芯片结构，包括外延层、导电层、P电极、N电极和基板；外延层由依次形成的N-GaN、有源发光层及P-GaN构成；导电层形成在P-GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P-GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N-GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P-GaN及导电层绝缘；P电极及N电极分别与基板键合。本发明还公开一种CSP封装芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN105514240A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510918552.5
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/36
Abstract: 本发明公开一种高效发光二极管芯片，包括一衬底，一缓冲层，一非故意掺杂层，一N型导电层，一有源区，一电子阻挡层，一P型导电层，一P型接触层，一电流阻挡层，一ITO导电层，一P电极，一N电极以及一电极隔离层。本发明无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
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公开(公告)号：CN105355767A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510912074.7
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/64 , H01L33/005 , H01L33/52
Abstract: 一种具有高发光效率的发光二极管的制作方法，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明采用位错线密集区设置于P型电极下面，一方面提高发光二极管的晶体质量，有效提高了发光二极管的内量子效率；另一方面通过后期位错阻挡层、P型电极的设计及制作，使得位错线密集区不会对发光二极管起到不利影响。采用同时在P型、N型设置电极制作区，且同时采用ICP蚀刻P型、N型电极制作区的工艺设计，有效简化了工艺流程及工艺复杂度。本发明采用在P型电极底下制作位错阻挡层，有效绝缘了P型电极底部P、N，提高了发光二极管的电流扩展效果和可靠性。
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公开(公告)号：CN105355730A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510905411.X
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/324 , H01L33/0095
Abstract: 一种提高深紫外发光二极管P型激活效率的方法，涉及发光二极管的生产技术领域，在衬底上外延形成缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层的外延材料，在关闭反应室的MO源材料后，在反应室内进行分段退火，本发明主要在外延生长过程，通过规律性地提高和降低反应室温度来反复达到激活空穴的状态，大量地打断Mg-H键，有效地提高P型掺杂的空穴激活效率。增加了发光二极管的欧姆接触层的有效P型掺杂浓度，明显地降低了工作电压，明显提高发光二极管的发光效率。
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