公开(公告)号：CN103124811A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201180046545.0

申请日：2011-05-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上松康二 ,  长田英树

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供在具有从(0001)面以20°～90°角度倾斜的主表面的GaN籽晶衬底上生长具有较少堆垛层错的GaN晶体的GaN晶体生长方法，还提供具有较少堆垛层错的GaN晶体衬底。生长GaN晶体的方法包括：准备GaN籽晶衬底10的步骤，所述GaN籽晶衬底具有从(0001)面10c以20°～90°角度倾斜的主表面10m，和在所述GaN籽晶衬底10上生长GaN晶体20的步骤。所述GaN籽晶衬底10的杂质浓度与所述GaN晶体20的杂质浓度的差为3×1018cm-3以下。

公开(公告)号：CN102959677A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030507.6

申请日：2011-11-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  关裕纪 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  松原秀树 ,  藤原伸介 ,  吉村雅司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。

公开(公告)号：CN102016135B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200980114398.9

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/203 ,  C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。

公开(公告)号：CN102449733A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023785.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  藤原伸介 ,  并川靖生 ,  增田健良

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/187 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 公开了一种碳化硅衬底制造方法，所述方法提供有以下步骤：准备包括碳化硅的基底衬底(10)和包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；以及在所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)之间形成作为导体的、包括碳的中间层(80)。由此将所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此接合。

公开(公告)号：CN102422424A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020502.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种MOSFET(100)，其是半导体器件并使能减少导通电阻同时抑制由于在器件制造工艺中的热处理而导致产生层错，包括：碳化硅衬底(1)；有源层(7)，其由单晶碳化硅制成并且布置在碳化硅衬底(1)的一个主表面上；源极接触电极(92)，其布置在有源层(7)上；以及漏电极(96)，其形成在碳化硅衬底(1)的另一主表面上。碳化硅衬底(1)包括：基底层(10)，其由碳化硅制成；以及SiC层(20)，其由单晶碳化硅制成并且布置在基底层(10)上。此外，基底层(10)具有大于2×1019cm-3的杂质浓度，并且SiC层(20)具有大于5×1018cm-3并且小于2×1019cm-3的杂质浓度。

公开(公告)号：CN102334176A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009653.6

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  冲田恭子 ,  井上博挥 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/187 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅衬底(81)，其具有衬底区域(R1)和支撑部(30)。该衬底区域(R1)具有第一单晶衬底(11)。支撑部(30)连接到第一单晶(11)的第一背面(B1)。第一单晶衬底(11)的位错密度小于支撑部(30)的位错密度。衬底区域(R1)和支撑部(30)中的至少一个具有空洞。

公开(公告)号：CN102148141A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110006321.9

申请日：2007-11-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  樱田隆 ,  木山诚 ,  善积祐介

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种GaN衬底和半导体器件。该半导体器件能够以高成品率制造且具有优异特性。该半导体器件包括：GaN衬底(10)，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长的至少单层半导体层(20)，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。

公开(公告)号：CN102137961A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201080002480.5

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/045 ,  C01B21/0632 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/12 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。

公开(公告)号：CN101312164A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810130622.0

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN1248320C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN03125145.5

申请日：2003-05-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L33/08 ,  H01L33/285 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种白色发光元件，包括发生340～400nm紫外光的InGaN-LED，含有1×1017cm-3以上浓度的Al、In、Ga、Cl、Br和I中任何杂质元素、吸收InGaN-LED的紫外光发射蓝色光荧光的块状ZnS第一荧光板，和含有1×1017cm-3以上浓度的Al、In、Ga、Cl、Br和I中任何杂质元素、吸收一部分上述蓝色光荧光发射黄色光荧光的块状ZnSSe第二荧光板，将第一荧光板ZnS结晶发出的蓝色光和第二荧光板ZnSSe发出的黄色光混合合成白色光线。并将含有1×1017cm-3以上Al、Ga、In、Cl、Br和I中任何杂质元素的ZnSSe制成块状的荧光板或以粉末状固化的荧光板，与发生410～470nm蓝色光的InGaN-LED组合，由蓝色光激发ZnSSe荧光板使之发生黄色光，将其二种光混合成白色光。