公开(公告)号：CN102484126A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201180003503.9

申请日：2011-02-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司 ,  穗永美纱子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66068

Abstract: 所公开的碳化硅绝缘栅型半导体元件(100)的终端构造提供有：第一导电类型的半导体层(132)，其具有第一主面(137)；栅电极(142)；以及源布线(101)。其中在半导体层(132)内提供第二导电类型的主体区(133)、第一导电类型的源区(134)、第二导电类型的接触区(135)和外围RESURF区(105)以及。外围RESURF区(105)的不含主体区(133)的部分具有至少1/2半导体层(132)的厚度的宽度。由此，可以提供高电压、高性能的碳化硅绝缘栅型半导体器件(100)。

公开(公告)号：CN102652362A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201180004823.6

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  原田真 ,  穗永美纱子 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868

Abstract: 提供了一种能够稳定地展示其性质并且具有高质量半导体器件以及用于生产该半导体器件的工艺。半导体器件包括具有主表面的衬底（1）以及形成在衬底（1）的主表面上并且每一个均具有相对于主表面倾斜的侧表面的碳化硅层（2-5）。侧表面基本上包含面[03-3-8]。该侧表面包含沟槽区域。

公开(公告)号：CN102652361A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080055687.9

申请日：2010-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 穗永美纱子 ,  原田真

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种碳化硅半导体器件（1,100），其包括：半导体层（12），该半导体层由碳化硅制成，并且具有相对于{0001}面以不小于50°且不大于65°的范围内的角倾斜的表面（12a）；和绝缘膜（13），形成为与半导体层（12）的表面（12a）相接触。在距半导体层（12）和绝缘膜（13）之间的界面10nm内的区域中的氮浓度的最大值不小于1×1021cm-3，并且半导体器件具有在相对于与半导体层（12）的表面（12a）中的 方向正交的方向±10°的范围内的沟道方向。还提供了制造这种碳化硅半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102150270B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201080002562.X

申请日：2010-03-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET1。所述MOSFET1包括：碳化硅(SiC)衬底(2)，所述碳化硅衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21)，所述半导体层(21)形成在所述SiC衬底(2)的所述主表面上；以及绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与所述半导体层(21)的表面接触。当绝缘膜(26)具有的厚度不小于30nm且不大于46nm时，其阈值电压不大于2.3V。当绝缘膜(26)具有的厚度大于46nm且不大于100nm时，其阈值电压大于2.3V且不大于4.9V。

公开(公告)号：CN103548143A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280021568.0

申请日：2012-03-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 穗永美纱子 ,  增田健良 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66068

Abstract: 漂移层（3）具有电流流动所贯穿的厚度方向且具有第一导电类型的杂质浓度（N1d）。体区（4）被提供在漂移层（3）的一部分上，具有借助栅电极（93）开关的沟道（41），具有第一导电类型杂质的浓度（N1b）以及第二导电类型杂质的浓度（N2b），所述浓度（N2b）高于浓度（N1b）。JFET区（7）相邻体区（4），所述JFET区（7）在漂移层（3）上，具有第一导电类型杂质的浓度N1j以及第二导电类型杂质的浓度N2j，所述浓度（N2j）高于浓度（N1j）。满足不等式N1j-N2j>N1d且N2j

公开(公告)号：CN102439699A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022258.1

申请日：2010-04-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  玉祖秀人 ,  增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/768 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808

Abstract: 公开了一种碳化硅半导体器件，其当电极材料与内部互连的材料不同时，消除了在这些不同金属的接触界面处出现问题的可能性，并且具有甚至长期使用之后的高可靠性。该半导体器件提供有接触电极(16)，其接触碳化硅(14，18)；以及互连(19)，其与接触电极连接。接触电极(16)由含有钛、铝和硅的合金形成。互连(19)由铝或铝合金形成，并且通过接触所述接触电极来与所述接触电极相连接。

公开(公告)号：CN102165595A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201080002761.0

申请日：2010-05-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/12 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET，该MOSFET能够实现为稳定的反向击穿电压以及降低的导通电阻，当以二维平面来看时，其分别包括n导电类型的SiC晶片、被形成为包括SiC晶片的第一主表面(20A)的p导电类型的多个p本体(21)和形成在由多个p本体(21)围绕的区域中的n导电类型的n+源区(22)。当以二维平面来看时，每个p本体(21)具有圆形形状，并且每个n+源区(22)被布置成与每个p本体(21)同心并且当以二维平面来看时具有圆形形状。当以二维平面图来看时，多个p本体(21)的每个被布置成位于正六边形的各顶点。

公开(公告)号：CN102484126B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201180003503.9

申请日：2011-02-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司 ,  穗永美纱子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66068

Abstract: 所公开的碳化硅绝缘栅型半导体元件(100)的终端构造提供有：第一导电类型的半导体层(132)，其具有第一主面(137)；栅电极(142)；以及源布线(101)。其中在半导体层(132)内提供第二导电类型的主体区(133)、第一导电类型的源区(134)、第二导电类型的接触区(135)和外围RESURF区(105)以及。外围RESURF区(105)的不含主体区(133)的部分具有至少1/2半导体层(132)的厚度的宽度。由此，可以提供高电压、高性能的碳化硅绝缘栅型半导体器件(100)。

公开(公告)号：CN102725849A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080003308.1

申请日：2010-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 穗永美纱子 ,  原田真

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供了一种碳化硅半导体器件(1)，所述碳化硅半导体器件(1)包括半导体层(12)，其由碳化硅制成并具有带沟槽(20)的表面(12a)，所述沟槽(20)具有由以相对于{0001}面不小于50°且不大于65°的范围内的角度倾斜的晶面形成的侧壁(19)；以及绝缘膜(13)，其形成为接触所述沟槽(20)的所述侧壁(19)。在从所述沟槽(20)的所述侧壁(19)与所述绝缘膜(13)之间的界面起10nm的区域中的氮浓度的最大值不小于1×1021cm-3，并且所述半导体器件具有在所述沟槽(20)的所述侧壁(19)内的、相对于与 方向正交的方向±10°的范围内的沟道方向。还提供了一种碳化硅半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN102422424A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020502.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种MOSFET(100)，其是半导体器件并使能减少导通电阻同时抑制由于在器件制造工艺中的热处理而导致产生层错，包括：碳化硅衬底(1)；有源层(7)，其由单晶碳化硅制成并且布置在碳化硅衬底(1)的一个主表面上；源极接触电极(92)，其布置在有源层(7)上；以及漏电极(96)，其形成在碳化硅衬底(1)的另一主表面上。碳化硅衬底(1)包括：基底层(10)，其由碳化硅制成；以及SiC层(20)，其由单晶碳化硅制成并且布置在基底层(10)上。此外，基底层(10)具有大于2×1019cm-3的杂质浓度，并且SiC层(20)具有大于5×1018cm-3并且小于2×1019cm-3的杂质浓度。