公开(公告)号：CN101312165B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810130625.4

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN101553605A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200780039049.6

申请日：2007-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明获得一种其上能够形成良好质量外延生长层的III族氮化物衬底，以及一种制造上述衬底的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。

公开(公告)号：CN101541476A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000166.6

申请日：2008-02-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 川端计博 ,  中山茂吉 ,  石桥惠二

IPC: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明提供了一种用于氮化物晶体表面研磨的浆料。所述研磨浆料包括氧化物磨粒，选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂，以及氧化剂。所述研磨浆料具有小于7的pH值。所述浆料有效地研磨氮化物晶体的表面。

公开(公告)号：CN101066583A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200710100996.3

申请日：2007-05-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  石桥惠二

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/30

Abstract: 提供一种处理Ⅲ族氮化物晶体表面的方法，该方法包括步骤：用包含磨粒的抛光浆料抛光Ⅲ族氮化物晶体(1)的表面；其后用抛光液(27)抛光Ⅲ族氮化物晶体(1)的表面至少一次，并且用抛光液(27)抛光的每个步骤都使用碱性抛光液或者酸性抛光液作为抛光液(27)。用碱性或者酸性抛光液抛光的步聚允许去除杂质，所述杂质诸如是在用包含磨粒的浆抛光之后残留在Ⅲ族氮化物晶体表面上的磨粒。

公开(公告)号：CN104781907B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480002997.2

申请日：2014-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  松本直树 ,  中西文毅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L27/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度ts的支撑衬底(11)和具有比厚度ts薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度tf的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数αf中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数αs确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10‑6K‑1或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量Es和厚度ts、III族氮化物膜(13)的杨氏模量Ef和厚度tf，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：ts2/tf≥6Ef·|Δα|/Es。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN105755534A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610140263.1

申请日：2012-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/304 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明提供一种衬底、半导体器件及其制造方法。所述衬底具有前表面和背表面，在所述衬底中，所述前表面的至少一部分由单晶碳化硅构成，所述衬底具有：不大于0.5nm的、在所述前表面处的表面粗糙度Ra的平均值，并且所述表面粗糙度Ra的标准偏差不大于0.2nm；小于0.3nm的、在所述背表面处的表面粗糙度Ra的平均值；以及不小于110mm的所述前表面的直径。

公开(公告)号：CN104995713A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201380073228.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  柳泽拓弥 ,  上松康二 ,  关裕纪 ,  山本喜之

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/6835 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种III族氮化物复合衬底(1)，其具有75mm以上直径，包括彼此接合的支撑衬底(11)以及具有50nm以上且小于10μm厚度的III族氮化物膜(13)。III族氮化物膜(13)的厚度的标准偏差st与其厚度的平均值mt的比率st/mt为0.01以上且0.5以下，且III族氮化物膜(13)的主面(13m)和预定平面取向的平面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与偏离角的绝对值的平均值mo的比率so/mo是0.005以上且0.6以下。因此，提供一种低成本且大直径的III族氮化物复合衬底，一种制造III族氮化物复合衬底的方法，一种层叠的III族氮化物复合衬底，以及一种III族氮化物半导体器件及其制造方法，所述III族氮化物复合衬底具有具备小厚度、小厚度变化以及高结晶质量的III族氮化物膜且由此降低半导体器件的制造成本。

公开(公告)号：CN102471931B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201080029429.3

申请日：2010-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/30 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30621 ,  H01L24/32 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体器件(100)中，通过在表面层(12)中存在以S换算为30×1010个/cm2～2000×1010个/cm2的硫化物和以O换算为2原子％～20原子％的氧化物，在外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处能够抑制C堆积。通过这样抑制C的堆积，可抑制外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处的高电阻层的形成。由此，能够降低外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面的电阻，同时能够提高外延层(22)的结晶质量。因此，能够提高半导体器件(100)的发光强度和成品率。

公开(公告)号：CN104781907A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201480002997.2

申请日：2014-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  松本直树 ,  中西文毅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L27/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度ts的支撑衬底(11)和具有比厚度ts薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度tf的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数αf中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数αs确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10-6K-1或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量Es和厚度ts、III族氮化物膜(13)的杨氏模量Ef和厚度tf，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：ts2/tf≥6Ef·|Δα|/Es。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN102576787B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201080043216.6

申请日：2010-01-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: H01L33/32 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/325 ,  C23C16/303 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L24/32 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体器件100中，通过使前表面10a具有特定的面取向，并且表面层12中存在以S换算为30×1010个/cm2至2000×1010个/cm2的硫化物及以O换算为2原子％至20原子％的氧化物，可以抑制在外延层22与III族氮化物半导体衬底10之间的界面处堆积C。因此，抑制了在外延层22与III族氮化物半导体衬底10之间的界面处形成高电阻率层。因此，可以提高半导体器件100的发光强度。