一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法

    公开(公告)号:CN105244267B

    公开(公告)日:2018-12-14

    申请号:CN201510746482.X

    申请日:2015-11-05

    Abstract: 本发明属于PiN器件领域,尤其涉及一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法,该方法包括以下步骤:a)准备碳化硅PiN基体;b)在碳化硅PiN基体的P型SiC外延层表面沉积非晶硅层;c)分别在沉积有非晶硅层的碳化硅PiN基体的SiC衬底表面和非晶硅层表面沉积金属层;d)对沉积有金属层的碳化硅PiN基体进行退火处理,得到形成欧姆接触的碳化硅PiN器件;所述退火处理依次包括第一升温阶段、第一保温阶段、第二升温阶段和第二保温阶段;第一保温阶段和第二保温阶段的温度分别为450~550℃和970~1020℃。本发明提供的方法通过一次退火工艺即可在沉积有金属层的碳化硅PiN基体上形成P型欧姆接触和N型欧姆接触。

    结势垒肖特基二极管及其制造方法

    公开(公告)号:CN104009099B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201410200502.9

    申请日:2014-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制造方法,包括由N型半导体构成的有源区,所述有源区内设置有断点环形结构的P型掺杂区。本发明采用断点环形P型掺杂区,在充分利用耗尽层(反向阻断模式下)在三维方向的延伸能力的前提下,能够增加器件的电流有效导通面积。在有源区面积相等的情况下,本发明所提出的新型结构及分布能够改善器件的性能。在同等电流级别下,新型结构器件的芯片面积可以更小,这样可有效减小芯片面积,降低芯片成本。

    一种功率半导体模块
    44.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104465549A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410779614.4

    申请日:2014-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块,包括:相对设置的外壳上盖和外壳底座,所述外壳底座设置有多个定位凸台;设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置,所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。本申请所公开的一种功率半导体模块的整体定位装置和定位凸台配合定位,就能保证将每个芯片置于合适的位置,因此可以利用机器,自动化地向定位方格中放置芯片,从而使得生产效率大为提高。

    一种电励磁同步电机的转子磁场定向控制方法和装置

    公开(公告)号:CN103151981B

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201310061786.3

    申请日:2013-02-27

    Abstract: 本发明实施例公开了一种电励磁同步电机的转子磁场定向控制方法和装置。其中,该方法包括:计算使电励磁同步电机的定子磁链为恒定值,且定子电压和定子电流为同相位的定子电流的控制值和励磁电流的控制值;根据定子电流的控制值获得控制三相逆变器的脉冲信号,并根据励磁电流的控制值获得控制励磁整流器的导通角信号;通过所述脉冲信号控制三相逆变器,以及通过所述导通角信号控制励磁整流器,实现对电励磁同步电机进行控制。根据本发明实施例,可以避免转子磁场定向控制对于系统控制、安全和效率的影响。

    结势垒肖特基二极管及其制造方法

    公开(公告)号:CN104009099A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201410200502.9

    申请日:2014-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制造方法,包括由N型半导体构成的有源区,所述有源区内设置有断点环形结构的P型掺杂区。本发明采用断点环形P型掺杂区,在充分利用耗尽层(反向阻断模式下)在三维方向的延伸能力的前提下,能够增加器件的电流有效导通面积。在有源区面积相等的情况下,本发明所提出的新型结构及分布能够改善器件的性能。在同等电流级别下,新型结构器件的芯片面积可以更小,这样可有效减小芯片面积,降低芯片成本。

    一种碳化硅功率器件结终端的制造方法

    公开(公告)号:CN103824760A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201410044255.8

    申请日:2014-01-30

    Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤:步骤1:在外延层上形成牺牲层;步骤2:在牺牲层上制作掩膜,以形成场限环的注入窗口;步骤3:刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分;步骤4:去除掩膜;步骤5:注入离子,以同时形成场限环和电荷补偿层。本发明的碳化硅功率器件结终端的制造方法,借助于外延层上形成的牺牲层,一次离子注入同时实现场限环和电荷补偿层,工艺简单,制造成本低。

    一种硬件保护电路
    48.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101447663B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN200910076611.3

    申请日:2009-01-09

    Abstract: 本发明提供一种硬件保护电路包括:数字信号处理单元,数模转换单元、电压比较器和执行单元;所述数字信号处理单元,用于数字化设置阀值电压,发送所述阀值电压至数模转换单元;所述数模转换单元,用于将数字阀值电压转换为模拟阀值电压,发送至所述电压比较器的反向输入端;所述电压比较器,用于比较正向输入端的输入电压和所述阀值电压,当所述输入电压大于所述阀值电压时,所述电压比较器输出逻辑高电平至执行单元,执行单元动作,切断电路,起到保护作用,防止重大事故的发生。本发明可以通过所述数字信号处理单元任意设置所述阀值电压,方便简洁且具有通用性。

    一种直线感应电机恒转差频率矢量控制方法及系统

    公开(公告)号:CN101316093A

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN200810134726.9

    申请日:2008-07-23

    Abstract: 本发明公开了一种直线感应电机恒转差频率矢量控制方法,所述方法包括:检测直线感应电机转子转速,结合给定转差频率电角速度Wsl,计算转子磁链空间位置角度θs;由所述转子磁链空间位置角度θs和所述给定转差频率电角速度Wsl,结合给定的转矩T和转子时间常数Tr,计算励磁电压Usm和转矩电压Ust;脉冲调制所述励磁电压Usm和转矩电压Ust、以及电源输出的直流电压,生成调制脉冲;根据所述调制脉冲,将电源输出的直流电压转化为交流电,供给直线感应电机。本发明还公开了一种直线感应电机恒转差频率矢量控制系统。采用本发明所述直线感应电机恒转差频率矢量控制方法及系统,能够实现直线感应电机的恒转差频率矢量控制。

Patent Agency Ranking