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公开(公告)号:CN103793685B
公开(公告)日:2018-12-04
申请号:CN201310526434.0
申请日:2013-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了识别物体动作的方法和设备以及相关系统,识别物体动作的方法可以包括:利用图像捕获装置来周期性获得与场景有关的具有第一分辨率的深度数据和具有第二分辨率的二维数据,其中,所述第二分辨率高于所述第一分辨率;通过基于所述深度数据在场景中识别目标物体来判断动作跟踪区域,使得所述动作跟踪区域与帧的一部分相对应并且所述部分包括目标物体;周期性获得与所述动作跟踪区域相对应的具有第二分辨率的跟踪区域数据;以及/或者基于所述跟踪区域数据分析目标物体的动作。
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公开(公告)号:CN103777750A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201310504921.7
申请日:2013-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/01 , G06F3/0487 , G06F1/32 , H04M1/73
CPC classification number: G06F3/017 , G06F1/3262 , G06F3/011 , G06F3/0416 , G06F2203/04101 , G06F2203/04106
Abstract: 本发明公开了一种移动系统、一种三维图像传感器的操作方法以及一种具有多个深度像素和彩色像素的图像传感器的操作方法。移动系统可以包括:位于所述移动系统的第一表面上的三维图像传感器,所述三维图像传感器构造成进行第一感测以检测对象的接近度并且通过获取对象的距离信息来进行第二感测以识别对象的手势;以及/或者位于所述移动系统的第一表面上的显示装置,所述显示装置用于显示所述第一感测和所述第二感测的结果。移动系统可以包括:光源单元;多个深度像素;以及/或者多个彩色像素。可以基于所述移动系统的操作模式启动光源单元、多个深度像素或多个彩色像素。
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公开(公告)号:CN102004254B
公开(公告)日:2014-04-23
申请号:CN201010271356.0
申请日:2010-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了调制光学飞行时间相位估计中的延迟补偿,其中公开了一种距离测量方法,包括:测量多个调制相位偏移处的多个积分信号;估计分别针对多个调制相位偏移中至少一个调制相位偏移的至少一个积分信号,以相对于针对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号来调节所述至少一个积分信号的接收时间;以及根据所估计的至少一个信号来确定目标与接收机之间的距离。
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公开(公告)号:CN103716557A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310464857.4
申请日:2013-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/37457 , G06T5/20 , G06T2207/10024 , G06T2207/10028 , H01L27/14605 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37455 , H04N5/3765 , H04N5/378 , H04N5/63
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器和一种包括该图像传感器的图像处理系统。图像传感器包括:像素阵列,包括多个单位像素,每个单位像素包括单个晶体管和与单个晶体管的本体连接的光电二极管;行驱动器块,被构造成使像素阵列中的多个行中的一个行能够进入读出模式;以及读出块,被构造成感测并放大进入读出模式的行中包括的多个单位像素中的每个单位像素输出的像素信号。
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公开(公告)号:CN103677259A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310426326.6
申请日:2013-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/2228 , A63F13/213 , G06F3/0346 , H04N21/4126 , H04N21/4223 , H04N21/44231
Abstract: 描述了用于把主体引导回多媒体系统的可识别范围内的方法、系统和设备。根据所描述的方法之一,当确定目标已经离开多媒体系统的可识别范围时,从用户已经用来控制多媒体系统的便携式电子设备(或者控制器)中获取传感器信息,并且所获取的传感器信息被用来确定用户相对于可识别范围在何处。在一个例子中,用户被要求利用便携式电子设备做出姿态,并且关于该姿态的传感器信息被用来确定用户的相对位置。在另一例子中,用户离开可识别范围时被记录的传感器信息被用来确定用户的相对位置。
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公开(公告)号:CN101651145B
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN200910165721.7
申请日:2009-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14641 , H04N5/332 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N13/229 , H04N13/257
Abstract: 提供了一种三维图像传感器的像素阵列。该像素阵列包括多个单元像素图案,每一单元像素图案包括按照阵列形式排列的颜色像素以及距离测量像素。所述多个单元像素图案按照这样的方式排列,使得彼此相邻地安排距离测量像素组。
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公开(公告)号:CN101447502A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200810212778.3
申请日:2008-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/02 , G11C5/025 , H01L27/2409 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种可以具有堆叠结构并可以以增大的密度容易地集成的非易失性存储装置以及制造该非易失性存储装置和使用该非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括至少一对第一电极线。至少一条第二电极线可以在所述至少一对第一电极线之间。至少一个数据存储层可以在所述至少一对第一电极线和所述至少一条第二电极线之间,并可以局部地存储电阻变化。
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公开(公告)号:CN101409290A
公开(公告)日:2009-04-15
申请号:CN200810144944.0
申请日:2008-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/10 , G11C16/26
CPC classification number: H01L27/115 , G11C16/0483 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/42336 , H01L29/42344 , H01L29/42352 , H01L29/66825 , H01L29/66833
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法和制造方法。所述非易失性存储装置可以包括至少一个半导体层、多个控制栅电极、多个电荷存储层、至少一个第一辅助电极和/或至少一个第二辅助电极。多个控制栅电极可以凹陷到半导体层中。多个电荷存储层可以在多个控制栅电极和半导体层之间。第一和第二辅助电极可以布置成彼此面对。多个控制栅电极可以在第一和第二辅助电极之间,第一和第二辅助电极可以与半导体层电容式结合。
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公开(公告)号:CN101355086A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200810086760.3
申请日:2008-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/78 , H01L21/8242 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/10802 , H01L21/84 , H01L27/108 , H01L27/10826 , H01L27/10844 , H01L27/1203 , H01L29/7841 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种无电容器DRAM及其制造和操作方法。所述无电容器DRAM包括形成在基底上的源极、漏极和沟道层。电荷保存层形成在沟道层上。所述无电容器DRAM包括接触沟道层和电荷保存层的栅极。
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公开(公告)号:CN101308867A
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200810096571.4
申请日:2008-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: H01L21/28282 , G11C16/349 , H01L27/11568 , H01L29/42332 , H01L29/42336 , H01L29/42348 , H01L29/42352 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供了一种存储装置、一种制造该存储装置的方法以及一种操作该存储装置的方法。所述存储装置可以包括:沟道区,具有上端,其中,上端的两侧弯曲,两侧的弯曲部分允许在编程或擦除中将电荷注入到两侧的弯曲部分中,使得注入有电荷的弯曲部分与确定阈值电压的部分分开;栅极结构,在沟道区上。
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