公开(公告)号：CN102751346A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210120788.0

申请日：2012-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都垠彻 ,  金东均 ,  金允基 ,  金德起 ,  崔永文

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0336

CPC classification number: H01L31/043 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供了太阳能电池。根据示例实施例，太阳能电池包括第一单元部分、第二单元部分和绝缘层。第一和第二单元部分可以具有不同的带隙，绝缘层可以在第一单元部分与第二单元部分之间。

公开(公告)号：CN101409290A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810144944.0

申请日：2008-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  朴允童 ,  金德起 ,  金元柱 ,  陈暎究 ,  李承勋

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法和制造方法。所述非易失性存储装置可以包括至少一个半导体层、多个控制栅电极、多个电荷存储层、至少一个第一辅助电极和/或至少一个第二辅助电极。多个控制栅电极可以凹陷到半导体层中。多个电荷存储层可以在多个控制栅电极和半导体层之间。第一和第二辅助电极可以布置成彼此面对。多个控制栅电极可以在第一和第二辅助电极之间，第一和第二辅助电极可以与半导体层电容式结合。

公开(公告)号：CN102074650A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010510702.6

申请日：2010-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金德起 ,  赵重来

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1666

Abstract: 本发明公开了非易失性存储器器件以及其制造方法和操作方法。一种非易失性存储器器件，其包括：至少一个水平电极；至少一个垂直电极，所述至少一个垂直电极被设置成与所述至少一个水平电极交叉于交叉区域；至少一个数据层，所述至少一个数据层被设置在所述交叉区域中，并且具有导电-绝缘转变特性；以及至少一个抗熔层，所述至少一个抗熔层与所述至少一个数据层串联连接。

公开(公告)号：CN102237337A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110113379.3

申请日：2011-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金德起

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/06 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/5382 ,  H01L21/28273 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/5256 ,  H01L23/544 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/788 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有电子熔丝结构的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：电子熔丝栅极；浮置图案，在电子熔丝栅极与电子熔丝有源部分之间；阻挡电介质图案，在浮置图案与电子熔丝栅极之间；以及电子熔丝电介质层，在浮置图案与电子熔丝有源部分之间。浮置图案包括在电子熔丝栅极与电子熔丝有源部分之间的第一部分和从第一部分的两边缘沿电子熔丝栅极的侧壁向上延伸的一对第二部分。

公开(公告)号：CN102024840A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010287385.6

申请日：2010-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金德起 ,  柳寅敬 ,  罗敬远 ,  薛光洙 ,  徐东硕

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L29/7827 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/66666 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供一种包括垂直晶体管阵列的电阻性存储器器件和相关制造方法。该电阻性存储器器件的存储器包括垂直晶体管和可变电阻层。所述垂直晶体管包括衬底表面上的栅电极、沿着所述栅电极的侧壁延伸的栅绝缘层以及与所述栅绝缘层相邻的在所述衬底表面上的单晶硅层。所述单晶硅层的至少一部分限定在与所述衬底表面基本上垂直的方向上延伸的沟道区。在所述单晶硅层上设置可变电阻层。所述可变电阻层与所述栅电极电绝缘。本发明还讨论了相关的器件和制造方法。

公开(公告)号：CN101414599A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810144945.5

申请日：2008-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金德起 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  宋利宪 ,  金元主 ,  陈暎究 ,  崔赫洵 ,  金锡必

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5252 ,  G11C17/16 ,  H01L27/1021 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种反熔丝结构和反熔丝阵列结构。反熔丝结构包括：位线，在半导体基底内被形成为第一扩散区；绝缘层，形成在位线上；字线，形成在绝缘层上。反熔丝阵列结构包括以阵列形式布置的多个反熔丝结构。