公开(公告)号：CN101414599A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810144945.5

申请日：2008-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金德起 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  宋利宪 ,  金元主 ,  陈暎究 ,  崔赫洵 ,  金锡必

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5252 ,  G11C17/16 ,  H01L27/1021 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种反熔丝结构和反熔丝阵列结构。反熔丝结构包括：位线，在半导体基底内被形成为第一扩散区；绝缘层，形成在位线上；字线，形成在绝缘层上。反熔丝阵列结构包括以阵列形式布置的多个反熔丝结构。