公开(公告)号：CN101273456A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035573.1

申请日：2006-09-27

Applicant: 康奈尔研究基金公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 桑迪普·蒂瓦里 ,  金桢雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L41/00 ,  B81B3/00 ,  H01L27/12 ,  G11C13/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  G11C11/00 ,  H01L29/788 ,  H01L27/10 ,  G11C23/00 ,  H01L21/8247 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/115 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/016 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/14 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/77 ,  H01H9/547 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/0107 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/112 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/785

Abstract: 具有双稳态位置的纳米机械装置，用于形成开关和存储器装置。所述装置可驱动至不同的位置，可连接到不同配置中的晶体管装置，以提供存储器装置。驱动机制包括静电方法和加热。在一个形式中，所述机械装置形成场效应晶体管的栅极，参见图2A。在另一形式中，所述装置可以是开关，开关可以不同的方式连接晶体管，当导通和断开时影响其电子特性。在一个实施例中，所述存储器开关包括用可拉长的或可压缩的膜形成，参见图5B。交叉点开关由多个交叉的导电的导体的列和行形成，参见图11A。可驱动开关位于列和行的各个交叉点之间，使得各个交叉点可单独地访问。基于侧壁的开关可连接晶体管的浮栅(823)，参见图8B。

公开(公告)号：CN100383976C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200410079460.4

申请日：2004-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金桢雨 ,  李兆远 ,  金汶庆

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/14

CPC classification number: H01L29/792 ,  G11C16/0466

Abstract: 本发明公开了一种SONOS存储器件及从其中擦除数据的方法。通过穿过隧道氧化膜能垒将热空穴注入到氮化膜中而擦除数据。所述热空穴通过形成于至少与一条位线接触的第一和第二电极中之一和与字线接触的栅电极之间的强电场而产生。该擦除方法提高了擦除速度，因此改进了SONOS存储器件的性能。

公开(公告)号：CN1832204A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610051480.X

申请日：2006-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  崔相武

IPC: H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括栅极结构，所述栅极结构包括在半导体衬底上的电荷存储层中的金属氮化物材料。该栅极结构设置于形成于半导体衬底上的第一掺杂剂区和第二掺杂剂区之间。该金属氮化物材料被构造以作为俘获电荷的俘获点。

公开(公告)号：CN1828938A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006120.8

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  白圣权 ,  崔相武

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/167 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储期间包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种。该半导体存储器件包括设置得与所述第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域接触的绝缘层以及设置得与所述绝缘层接触的栅电极层。

公开(公告)号：CN1815740A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510131729.3

申请日：2005-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶庆 ,  李兆运 ,  朴允童 ,  金桢雨

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明涉及一种包括公共栅极的互补金属氧化物半导体(CMOS)薄膜晶体管、包括CMOS晶体管的逻辑器件、及CMOS薄膜晶体管的制造方法。在一个实施例中，CMOS薄膜晶体管包括基衬底和形成于基衬底上的半导体层。P沟道晶体管和N沟道晶体管形成于单一半导体层上以彼此相交且公共栅极形成于相交的区域。另外，肖特基势垒感应材料层形成于P沟道晶体管的源极和漏极上。

公开(公告)号：CN1776891A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510087568.2

申请日：2005-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩桢希 ,  赵薰英 ,  金桢雨 ,  朴赞真 ,  吴钟守 ,  赵起贤

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/31155 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 公开了一种使用离子注入制造的非易失性存储器件以及制造该器件的方法。在半导体衬底上形成介电层，并且通过使用Si或Ge的离子注入来形成离子注入层，该离子注入层用作电荷俘获地点。然后，执行退火工艺。接着，执行用于在介电层上形成晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN1761073A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510106838.X

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种包括多层隧道势垒层的非易失存储器件和制造其的方法。所述器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的源极区和漏极区；和形成于所述半导体衬底上且接触所述源极和漏极区的栅极结构。这里，栅极结构包括多层隧道势垒层，所述隧道势垒层由具有不同带隙能量的两个或更多层形成。

公开(公告)号：CN1734773A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510092281.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  金元柱 ,  蔡熙顺 ,  蔡洙杜 ,  宋利宪

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系。

公开(公告)号：CN1211882C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN01124577.8

申请日：2001-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋寅相 ,  金桢雨 ,  姜锡镇 ,  宋薰 ,  宋基武 ,  权泳佑 ,  千昌律 ,  徐用教

IPC: H01P7/10 ,  H03H9/00

CPC classification number: H01P7/065

Abstract: 一种谐振器，包括有槽的下部基片；充满该槽的电介质；材料膜形成于该槽内壁上，用于防止下部基片和电解质之间的介电常数突然变化；上部基片与下部基片组合以形成空腔；导电薄膜形成于上部基片下表面上以对着电介质，还有与材料膜接触的狭槽，并使电介质露出；以及用于波导管的带状传输线，其形成于上部基片上表面上并与导电薄膜相连。通过使空腔充满电介质(或磁性材料)，对应于给定谐振频率的空腔尺寸能减小。

公开(公告)号：CN1607668A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410095200.6

申请日：2004-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶庆 ,  金桢雨 ,  李兆远 ,  李殷洪 ,  蔡熙顺

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C16/0475 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 一种SONOS存储器，包括：具有源区和漏区以及沟道区的半导体层，和在半导体层上的上部堆叠结构，其与半导体层一起形成上部SONOS存储器。在半导体层下的下部堆叠结构与半导体层一起形成下部SONOS存储器。还提供一种制造和操作SONOS存储器的方法。可以不按照窄设计规则而制造出具有高封装密度的SONOS存储器。