公开(公告)号：CN1776891A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510087568.2

申请日：2005-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩桢希 ,  赵薰英 ,  金桢雨 ,  朴赞真 ,  吴钟守 ,  赵起贤

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/31155 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 公开了一种使用离子注入制造的非易失性存储器件以及制造该器件的方法。在半导体衬底上形成介电层，并且通过使用Si或Ge的离子注入来形成离子注入层，该离子注入层用作电荷俘获地点。然后，执行退火工艺。接着，执行用于在介电层上形成晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN102234111B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201110087212.4

申请日：2011-04-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东国大学校产学协力团

Inventor： 朴京洙 ,  宋仁庸 ,  许成 ,  郭东昱 ,  赵薰英 ,  金翰秀 ,  崔在万 ,  权问奭

IPC: C01B33/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/16 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线及其制造方法。硅纳米线包括以高密度形成在其表面上的金属纳米团簇。金属纳米团簇改善了硅纳米线的电学特性和光学特性，因此，能够有用地使用在诸如锂电池、太阳能电池、生物电池、存储器件等各种电子器件中。

公开(公告)号：CN102234111A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110087212.4

申请日：2011-04-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东国大学校产学协力团

Inventor： 朴京洙 ,  宋仁庸 ,  许成 ,  郭东昱 ,  赵薰英 ,  金翰秀 ,  崔在万 ,  权问奭

IPC: C01B33/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/16 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线及其制造方法。硅纳米线包括以高密度形成在其表面上的金属纳米团簇。金属纳米团簇改善了硅纳米线的电学特性和光学特性，因此，能够有用地使用在诸如锂电池、太阳能电池、生物电池、存储器件等各种电子器件中。